【課題】ワイヤボンディング不良の発生を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、半導体チップを搭載するダイパッドと、ダイパッド上に半導体装置に接着するためのダイボンド材と、ダイパッドの周縁部に形成された溝構造と、溝構造に連結され、半導体チップの下面からはみ出したダイボンド材を溜める液溜まり構造と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】表面を傷つけることなく、外部導出端子を９０°折り曲げる。
【解決手段】半導体装置10に相対的に固定された側板100c1,100c2に対して押し下げ部材100dを下向きに移動させ、押し下げ部材100dの押し下げ面100d1aによって支持部材100b1の当接部100b1b3,100b1c3を押し下げ、姿勢を維持したまま、支持部材100b1および押し当て部材100a1を側板100c1,100c2のガイド溝100c1a,100c2aに平行に斜め下向きに移動させ、押し当て部材100a1の側面100a1bを、鉛直方向上向きに延びている外部導出端子10b1に当接させ、次いで、外部導出端子10b1が折れ曲がり始めると、押し当て部材100a1の橋絡面100a1cを外部導出端子10b1に当接させ、次いで、押し当て部材100a1の下面100a1aが外部導出端子10b1に当接する時に、外部導出端子10b1の折り曲げ角度が９０°になる。 （もっと読む）

【課題】信号伝送速度を高速化しても信頼性が高く、かつ、汎用的なリードフレームを利用可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１は、内側ワイヤボンディング２０、内側ボンディング用端子１００、配線１１０、外側ボンディング用端子１２０、外側ワイヤボンディング３０を具備し、この順に、ボンディングパッド９０からインナーリード６０までを電気的に接続する信号伝送手段を有する。内側ボンディング用端子１００、配線１１０、外側ボンディング用端子１２０は、絶縁性部材４０上に形成されている。信号伝送手段は、ボンディングパッド９０から前記アウターリード７０の先端までの信号伝送路の距離が実質的に等しくなるように、配線１１０の配線長によって調整されている。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】モールド樹脂５０を樹脂５０ａに磁性材料５０ｂを混入して構成する領域を有しるものとする。または、隣接するリード３０の間に配置されるモールド樹脂５０を、樹脂５０ａに誘電性材料５０ｃを混入して構成する。これによれば、半導体装置のインダクタンスまたは容量を大きくすることができ、共振周波数を低くすることができる。したがって、増幅されるノイズの周波数を低くすることができ、当該ノイズが増幅されたとしても半導体チップ２０に対する影響を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】リードフレームへ導電性リボンや太線ワイヤなどの接続体をボンディングする際に、高い超音波出力を用いる。その際、インナーリードの超音波振動方向への振動を規制し、高品質で且つ信頼性が高いボンディングを実現できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】インナーリード７ａを有するリードフレーム４と、リードフレーム４に搭載された、電極パッド３ａを有する半導体素子２と、電極パッド３ａとインナーリード７ａとを接続する導電性の接続体８とを有し、インナーリード７ａにおける、接続体８が接合される接合領域１１の近傍に、凹部１２を配置された半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】取り扱いが容易な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１は、相互に離隔した第１及び第２のリードフレーム１１，１２と、第１及び第２のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子１４ａが第１のリードフレーム１１に接続され、他方の端子１４ｂが第２のリードフレーム１２に接続された半導体チップ１４と、樹脂体１７と、を備える。第１及び第２のリードフレームは、それぞれ、ベース部１１ａ，１２ａと、ベース部から延出した複数本の吊ピン１１ｂ〜１１ｅ，１２ｂ〜１２ｅと、を有する。ベース部は、第１及び第２のリードフレームにおける少なくとも相互に対向した部分に配置された薄板部と、薄板部よりも下方に突出した凸部１１ｇ，１２ｇと、を有する。そして、薄板部の下面及び側面、凸部の側面、吊ピンの下面及び側面は樹脂体によって覆われており、凸部の下面及び吊ピンの先端面は樹脂体から露出している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のワイヤ長の低減化を図る。
【解決手段】複数のリード２ａのうちのリード２ｆは、第１の厚さを有する基端部２ｇと、基端部２ｇの長さよりも長く、かつ平面視において基端部２ｇからダイパッドに向かって屈曲するインナー部２ｅと、基端部２ｇからリード幅方向Ｈに迫り出した突出部２ｈとを有しており、インナー部２ｅは、平面視において前記ダイパッド側に位置する先端部２ｅａと、基端部２ｇ及び突出部２ｈと連結する連結部２ｅｂとを有するとともに、平面視において連結部２ｅｂの幅Ｍ３は基端部２ｇの幅Ｍ１よりも大きく、複数のリード２ｆのそれぞれのインナー部２ｅにステージを接触させた状態でワイヤボンディングを行う。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを高精度に位置合せすること。
【解決手段】リードフレームは、めっきを施した導電材料５１に対してエッチング加工を行って形成される。めっきマスクを用いて導電材料５１の１つの主面にリードフレームの所定部分（ダイパッド及びリード）に対応しためっき部５３とアライメントマーク１５，１６を形成する。フォトマスク７１のアライメントマーク７４ａとアライメントマーク１５とを位置合し、導電材料５１の１つの主面に形成したレジスト膜（感光性フィルム５６）を露光してエッチングマスクを形成し、そのエッチングマスクを用いて導電材料５１をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】パッケージ応力に起因する回路部品の電気特性変動のバラツキによって出力信号が変動する内部回路について、パッケージ応力に起因する出力信号の変動を防止する。
【解決手段】半導体チップ５に形成された内部回路はその回路を構成する複数の回路部品の電気特性の変動のバラツキによって出力信号が変動するものである。チップタブ３の平面サイズは半導体チップ５の平面サイズよりも小さい。上方から見てチップタブ３の配置位置の全部が半導体チップ５の配置位置と重なっている。さらに、封止樹脂１３に起因して半導体チップ５に加わる応力の大きさがチップタブ３上で均一になる位置関係でチップタブ３の周縁と上記半導体チップ５の周縁は間隔をもって配置されている。上記回路部品は半導体チップ５内部で上記チップタブ３上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上と信頼性の向上とを図ることを可能とするとともにコストの削減をも可能とする樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】第１面に１個の電極が形成され、第２面に２個以上の電極が形成された半導体素子１１１と、半導体素子１１１を搭載する第１ダイパッド１２２及び第１リード１２４を有する第１リードフレーム１２０と、第１リードフレーム１２０とは隔離して配置される第２ダイパッド１３２及び第２リードを有する第２リードフレーム１３０と、接続部１４２及び第３リード１２４４有する第３リードフレーム１４０とを備える樹脂封止型半導体装置１０１であって、第２面に形成された電極のうちの１個の電極は、第１ダイパッド１２２に直接接続され、第２面に形成された他の電極は、第２ダイパッド１３２に直接接続され、第１面に形成された電極は、電気接続子１５０を介して第３リードフレーム１４０の接続部１４２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】樹脂バリを容易に除去することができ、かつリードフレームの端子間の放電を抑制することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】パッケージ外部領域５とパッケージ内部領域６を有するリードフレーム１を用いる。リードフレーム１の側面の上端にカエリ面７が設けられ、側面の上端近傍に破断面８が設けられている。パッケージ外部領域５においてリードフレーム１の側面の上端を面取り加工する。パッケージ内部領域６においてリードフレーム１上に半導体素子１０を搭載してモールド樹脂１２で封止する。面取り加工及び樹脂封止の後に、パッケージ外部領域５においてリードフレーム１の側面に設けられた樹脂バリ１３を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の耐圧を確保することのできる技術を提供する。
【解決手段】封止体４は、第１リード１の第１インナー部１Ａと、第１オフセット部１Ｃと、第１アウター部１Ｂの一部とを封止し、第２リード２の第２インナー部２Ａと、第２オフセット部２Ｃと、第２アウター部２Ｂの一部とを封止する。さらに、第１アウター部１Ｂは、封止体４の下面から露出する第１裏面Ｄ１１と、第１リード１の延在方向と直交する第１外端面Ｄ１２と、前記第１オフセット部１Ｃと前記第１アウター部１Ｂとの境界に位置する第１内端面Ｄ１３とを有し、第２アウター部２Ｂは、封止体４の下面から露出する第２裏面Ｄ２１と、第２リード２の延在方向と直交する第２外端面Ｄ２２と、第２オフセット部２Ｃと第２アウター部２Ｂとの境界に位置する第２内端面Ｄ２３とを有する。 （もっと読む）

【課題】 縦型ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗及びスイッチング損失の低減。
【解決手段】 封止体と、前記封止体内に位置する半導体チップと、前記封止体の内外に亘って延在する複数のリードと、前記半導体チップの電極と前記封止体内に位置するリードの内端を電気的に接続する導電性のワイヤとを有し、前記半導体チップには縦型電界効果トランジスタセルが並列接続状態で複数組み込まれ、半導体チップの表面にはゲート電極とソース電極が交互に並んでそれぞれ複数配置されるとともに、前記各電極に対応してリードが並び、前記各電極と前記対応した各リードは前記ワイヤによって接続されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスパッケージ及びその製造方法を改善することを目的とすること。
【解決手段】本発明の一態様は、キャビティが形成されたパッケージ本体と、前記キャビティの底面上の底部フレーム、並びに、前記底部フレームの一方の側面から延在する第１の側壁フレーム、及び、前記底部フレームの他方の側面から延在する第２の側壁フレームを有するリードフレームと、前記リードフレームの上に配置された発光ダイオードとを備え、発光ダイオードパッケージである。前記第１及び第２の側壁フレームの少なくとも一方は、前記底面に対する垂直軸を基準として１５°から３０°の範囲の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣカード用のリードフレーム及びその製造方法に関し、新たな固定治具を要することなく、剛性の高いリードフレームを提供する。
【解決手段】 鉄ニッケル合金または銅を含むリードフレーム素材からなり、内部に開口部を有する複数の所定のパターンに耐熱テープを貼付し、前記耐熱テープの他方の面に接触端子パターンを貼付する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金の代わりに使用でき、軽量化が図れると共に、原材料費の低減も図れる電子部品材を提供する。
【解決手段】電子部品材は、焼きなまし処理し、引張強度を２００〜３００ＭＰａかつビッカース硬度Ｈｖを６５〜１００にしたＡｌ合金の基材１０の表面に、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｓｎ、Ｓｎ合金、Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ａｕ、又はＡｕ合金のいずれか１種又は２種以上で構成される第１のめっき層１３を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】接地電源用パッド数の増加や半導体チップの大面積化を伴うことなく、接地電源のインダクタンスを低化させてＬＳＩ電位変動を抑制することを目的とする。
【解決手段】ダイパッド３をＬＳＩ電位の外部端子として機能させ、ＬＳＩ電位の供給をダイパッド３から樹脂基板４の接続ビア１１ｂを介して行うことにより、ＬＳＩ電位の電流経路が短縮されると共に電流経路の断面積を拡大することが可能となり、接地電源用パッド数の増加や半導体チップ２の大面積化を伴うことなく、接地電源のインダクタンスを低化させてＬＳＩ電位変動を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】リフローはんだ付けによって配線基板に信頼性よく固定できる新規な構造のリードピンを提供する。
【解決手段】軸部１２と、軸部１２の先端側に設けられて、軸部１２の径より大きな径をもち、外面全体が球状面からなる接続ヘッド部１４とを有し、軸部１２及び接続ヘッド部１４が銅、銅合金、又はコバールから形成されるリードピン１０と、ピン接続部Ｓ２を備えた配線基板２０とを含み、接続ヘッド部１４は、横方向の直径が縦方向の直径より長い楕円球形状からなり、リードピン１０の接続ヘッド部１４がはんだ層３６を介して配線基板２０のピン接続部Ｓ２に接続されており、リードピン１０の接続ヘッド部１４の径は、配線基板２０のピン接続部Ｓ２の径の４０乃至８０％に設定される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、表面粗さが低く、ロールスクラッチのない表面特性を有し、めっきの密着性に優れた銅又は銅合金部材の製造方法とその部材並びにこれをリードフレーム材として備える半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明は、フィルムラッピング処理された算術平均粗さ(Ｒａ)が０.０２μｍ以上０.０５μｍ未満である表面粗さを有するロールを用いて、圧下量を１０〜５０μｍの範囲内で仕上げ圧延を行う銅又は銅合金部材の製造方法にあり、その製法によって得られ、材料表面に長さが５０μｍ以上及び幅が３μｍ以上である突起状のロールスクラッチが存在しないこと、更に、材料表面の算術平均粗さ(Ｒａ)が０.０５μｍ以下及び最大高さ(Ｒｚ)が０.０８μｍ以下である銅又は銅合金部材にある。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用リードフレームとその製造方法において、複数のめっき層を積層する場合におけるめっき層同士の密着性を向上させ、半導体装置の製造工程におけるワイヤーボンド性の低下や実装の際の半田付け性の悪化を抑制するとともに、製造コストの効果的な削減を図る。
【解決手段】 導体基材２０上に下地めっき層２１を形成し、当該下地めっき層２１の上に金属結合性を有する有機被膜２２を介して最表めっき層２３を積層することで、リードフレーム２ａ、２ｂを構成する。有機被膜２２は、主鎖部Ｂ１の両末端に金属結合性の官能基Ａ１、Ａ１を持つ機能性有機分子１１を自己組織化させた単分子膜として構成する。 （もっと読む）