【課題】本発明の目的は、リードフレーム固定材で固定したリードフレームを使用した半導体装置において、リードフレーム固定材に無機フィラーを高充填率で充填しなくても、半田リフロー過程で内部剥離を生じることなく、かつ固定材として高接着性を有するリードフレーム固定材等を提供することである。
【解決手段】本発明のリードフレーム固定材は、１分子中に３個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（Ａ）とナフタレン型エポキシ樹脂（Ｂ）とを含有し、硬化物とした際のガラス転移温度が１７８℃以上である。 （もっと読む）

【課題】ノンリード型の半導体装置の品質の向上を図る。
【解決手段】半導体チップ２を樹脂封止する封止体と、前記封止体の内部に配置されたタブ１ｂと、タブ１ｂを支持する吊りリード１ｅと、それぞれの被接続面が前記封止体の裏面の周縁部に露出した複数のリードと、半導体チップ２のパッドと前記リードとをそれぞれ接続する複数のワイヤとからなり、吊りリード１ｅにおける前記封止体の外周部に配置された端部は、前記封止体の裏面側において露出せずに前記封止体によって覆われており、したがって、樹脂成形による吊りリード１ｅのスタンドオフは形成されないため、吊りリード切断時に、前記封止体の裏面の角部を切断金型の受け部の吊りリード１ｅの切断しろより十分に広い面積の平坦部によって支持することができ、レジン欠けの発生を防止してＱＦＮ（半導体装置）の品質の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂バリの形成を防止しつつ、封止樹脂にクラックが発生することを防止する。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ１と、上面に接着部材３を介して半導体チップ１が固着されたダイパッド２Ａ、ダイパッド２Ａの周囲に配置されたリード２Ｂ、及びダイパッド２Ａに接続された吊りリード２Ｃを有するリードフレーム２と、半導体チップ１とリード２Ｂとを電気的に接続する金属細線４と、半導体チップ１、ダイパッド２Ａ、リード２Ｂ、吊りリード２Ｃ及び金属細線４を一体的に封止する封止樹脂５とを備えている。ダイパッド２Ａにおける周縁部２ｐには、段差部６が設けられている。ダイパッド２Ａにおける周縁部２ｐ以外の部分の下面は、封止樹脂５から露出されている。段差部６内には、封止樹脂５が入り込んでいる。段差部６の深さは、段差部６の段差面からダイパッド２Ａの側面に向かって大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】吊りリードに対する押し抜き加工時に生じるダメージを低減して、封止樹脂材の欠け及び封止樹脂材と吊りリードとの界面剥離の発生を防止できるようにする。
【解決手段】リードフレーム１は、ダイパッド２と、該ダイパッド２と接続された吊りリード３と、ダイパッド２と間隔をおいて配置された複数のリード５とを有している。吊りリード３には、封止樹脂材を成型する際の成型領域６Ａの境界部分及び吊りリード３の切断位置３ａを含む領域に薄肉部３Ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 多ピン化への対応が可能で信頼性が高い樹脂封止型半導体装置と、このような樹脂封止型半導体装置を安定して製造するための半導体装置用回路部材とを提供する。
【解決手段】 樹脂封止型半導体装置を、外部端子面が一平面をなすように配置された複数の端子部と、各端子部の内部端子面とワイヤにて電気的に接続された半導体素子と、少なくとも各端子部の外部端子面の一部を外部に露出させるように端子部と半導体素子を封止した樹脂部材とを備え、端子部はＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕのいずれか２種以上の金属からなる多層構造とし、この多層構造の構成層のうち、内部端子面をなす構成層の周囲に突起部を有し、この突起部が樹脂部材に係合するものとした。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内の部材間の剥離及び封止用樹脂に於けるクラックの発生を防止する。
【解決手段】半導体素子、当該半導体素子の平面寸法よりも小さな平面寸法を有するダイパッド、前記ダイパッドより延在された複数の吊りリード、前記半導体素子、前記ダイパッドならびに前記吊りリードを被覆する封止用樹脂を具備し、前記吊りリードは、前記ダイパッドに於ける半導体素子搭載面に連続する第１の主面の幅が、当該ダイパッドの他方の面に連続する第２の主面の幅よりも小とされてなることにより、半導体素子と吊りリードの接触時の接触面積を小さくして両者間の剥離を防止すると共に、加熱下で生じる応力の集中を回避して封止用樹脂に於けるクラックの発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをダイパッドの上面に接合した状態で封止樹脂により封止した半導体パッケージにおいて、ダイパッドと半導体チップや封止樹脂との剥離を防止する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】ダイパッド３の下面３ｂ側に、その周縁をダイパッドの厚さ方向から押圧することで下面から窪むと共にダイパッドの側面３ｄに開口する周縁段差部１８と、その形成時における押圧に伴って側面から側方に突出する下側突起部１９とが形成され、ダイパッドの上面３ａ側に、その周縁を前記厚さ方向から押圧することで上面から窪むと共に側面に開口しない有底の周縁穴部１３と、その形成時における押圧に伴って側面から側方に突出する上側突起部１７とが形成され、上側突起部が、上面の周縁に沿って互いに間隔をあけるように複数配列されると共に、下側突起部に対して厚さ方向に間隔をあけて配された半導体パッケージ。 （もっと読む）

【課題】半田を介して半導体チップをダイパッドの上面に接合した状態で封止樹脂により封止した半導体パッケージにおいて、ダイパッドと半導体チップとの剥離を防止する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】ダイパッド３に、その下面３ｂを複数の分割領域３１に区画するように、かつ、ダイパッド３の上面における半導体チップ２の配置領域２１が各分割領域３１とダイパッド３の厚さ方向に重なるように、下面３ｂから窪む平面視ライン状の係合溝１５が形成され、係合溝１５に封止樹脂７が充填されることで、複数の分割領域３１のうち少なくとも一つの分割領域３１Ａが、封止樹脂７によって囲まれている半導体パッケージ１。 （もっと読む）

【課題】 薄型のＱＦＮパッケージでは、アイランドの周囲がハーフエッチングされ、ここの部分に被着された絶縁樹脂が剥がれることがある。
【解決手段】 本発明の半導体装置５１は、アイランド５５の上に半導体チップ５８が固着されるが、平面的に見たとき、アイランド５５の側辺と半導体チップ５８の側辺が一致するように配置する。また平面的に見て、半導体チップ５８の角部、特に接点が吊りリード５６の上に配置されるように固定する。 （もっと読む）

【課題】樹脂バリの発生を抑制して良好な電気接続性及び接合強度を有する半導体装置とその製造方法を提供する。シリコーン樹脂と配線リードとの密着性を向上させ、良好な発光特性の発揮が可能なＬＥＤ装置とその製造方法を提供する。比較的短波長領域の発光を行う場合でも、十分な反射率を備え、優れた発光効率が発揮できるＬＥＤ装置とその製造方法を提供する。良好な製造効率を維持し、Ｓｎメッキ工程時の配線パターン層の損傷を回避して、優れたＳｎメッキ層の形成及び機械的強度、接合性を発揮できるフィルムキャリアテープとその製造方法を提供する。
【解決手段】ＱＦＰ１０のアウターリード３０１ａ境界領域の表面に、機能性有機分子１１の自己組織化により有機被膜１１０を形成する。機能性有機分子１１は金属結合性の第一官能基Ａ１、主鎖部Ｂ１、熱硬化性樹脂の硬化作用を呈する第二官能基Ｃ１で構成する。 （もっと読む）

【課題】ノンリード型の半導体装置の品質の向上を図る。
【解決手段】半導体チップ２を樹脂封止する封止体と、前記封止体の内部に配置されたタブ１ｂと、タブ１ｂを支持する吊りリード１ｅと、それぞれの被接続面が前記封止体の裏面の周縁部に露出した複数のリードと、半導体チップ２のパッドと前記リードとをそれぞれ接続する複数のワイヤとからなり、吊りリード１ｅにおける前記封止体の外周部に配置された端部は、前記封止体の裏面側において露出せずに前記封止体によって覆われており、したがって、樹脂成形による吊りリード１ｅのスタンドオフは形成されないため、吊りリード切断時に、前記封止体の裏面の角部を切断金型の受け部の吊りリード１ｅの切断しろより十分に広い面積の平坦部によって支持することができ、レジン欠けの発生を防止してＱＦＮ（半導体装置）の品質の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ノンリード型の半導体装置の品質の向上を図る。
【解決手段】半導体チップ２を樹脂封止する封止体と、前記封止体の内部に配置されたタブ１ｂと、タブ１ｂを支持する吊りリード１ｅと、それぞれの被接続面が前記封止体の裏面の周縁部に露出した複数のリードと、半導体チップ２のパッドと前記リードとをそれぞれ接続する複数のワイヤとからなり、吊りリード１ｅにおける前記封止体の外周部に配置された端部は、前記封止体の裏面側において露出せずに前記封止体によって覆われており、したがって、樹脂成形による吊りリード１ｅのスタンドオフは形成されないため、吊りリード切断時に、前記封止体の裏面の角部を切断金型の受け部の吊りリード１ｅの切断しろより十分に広い面積の平坦部によって支持することができ、レジン欠けの発生を防止してＱＦＮ（半導体装置）の品質の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】リードフレームの変形や位置ずれが生じることなく、樹脂成形部品の厚み増加を抑制することが可能な樹脂成形部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一次成形品１０は、第１リードフレーム１および第２リードフレーム２と一次成形樹脂部３とが一体化して形成されている。さらに、一次成形樹脂部３と第１リードフレーム１および第２リードフレーム２とが分離することを防止するために、第１リードフレーム１および第２リードフレーム２の外面には、一次成形樹脂部３からの第１リードフレーム１の離反、および、一次成形樹脂部３からの第２リードフレーム２の離反を防止するために掛け止め部５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ダイパッドとインナーリードとの間に封止樹脂クラックが発生するのを抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】インナーリード３の端部（インナーリード折り曲げ部３ａ）とダイパッド２の端部（ダイパッド折り曲げ部２ａ）を互いに逆方向に折り曲げ、インナーリード３とダイパッド２との間の距離を広げる。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ等の作製において封止樹脂等との密着性に優れ、しかも密着性に劣化がない、例えばリードフレーム、放熱板等のパッケージ部品を提供すること。
【解決手段】半導体素子等を搭載したパッケージの構成に用いられるものであって、絶縁性樹脂で封止されるかもしくは接着剤層が適用される被覆面を少なくとも表面の一部に備えるパッケージ部品において、そのパッケージ部品が、導体基材と、その表面を部分的もしくは全体的に被覆した導電性皮膜とからなり、かつ導電性皮膜が、上記の被覆面において、粗面化された表面プロファイルをもった粗面めっき層からなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の放熱性を向上させる。
【解決手段】樹脂封止型の半導体装置１において半導体チップ２を搭載するタブ３ａが枠状に形成されている。この枠状のタブ３ａは、半導体チップ２が平面的に重なる内周部と、半導体チップ２の周囲に位置する外周部とを一体的に有している。このタブ３ａの外周部の幅は、タブ３ａの内周部の幅よりも広くなっている。また、タブ３ａの外周部には、タブ３ａの主裏面間を貫通する開口部Ｓ１，Ｓ２が形成されている。これにより、半導体装置１の放熱性を向上させることができる。また、開口部Ｓ１，Ｓ２を設けたことにより、半導体装置１のリフロークラック耐性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】余白部上での樹脂との密着力を向上させ、樹脂クラックを防止すること。
【解決手段】半導体チップ１５と、半導体チップ１５を搭載するダイパッド２と、半導体チップ１５をダイパッド２に接着させる接着剤１９と、ダイパッド２の外周に設けられた複数のインナーリード３と、インナーリード３から延在するアウターリード５と、ダイパッド２に搭載された半導体チップ１５とインナーリード３とを接続するボンディングワイヤ１６と、インナーリード３、ダイパッド２、半導体チップ１５、接着剤１９、及びボンディングワイヤ１６よりなる組立体部分を封止する樹脂１７と、を備える。接着剤１９は、ダイパッド２上の半導体チップ１５搭載部以外の余白部上に配され、かつ、接着剤１９の表面に複数のディンプル１９ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止型パッケージを有する半導体装置において、半田リフロー時のパッケージクラックを抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】ダイパッド３に形成された矩形の穴１０の角部を所定の曲率半径、例えば０．３ｍｍ以上の曲率半径を有する曲線によって変化させる。これにより、モールド工程において発生したボイドを逃げやすくして、角部を直角とした場合よりも樹脂内に残るボイドを減少させる。また、ダイパッド３の角部領域でのダイボンディング材のはみ出しを無くして、半導体チップとダイパッド３との間に隙間を形成することにより、発生したボイドを上記隙間に入り込ませる。 （もっと読む）

【課題】 従来の半導体装置では、半導体素子が駆動することでの熱により、樹脂パッケージ内にガスが発生し、その膨張したガスにより樹脂パッケージにクラック等が発生し、樹脂パッケージが破壊されるという問題があった。
【解決手段】 本発明の半導体装置では、樹脂パッケージ２２内に発生するガスが通過することの出来ない、例えば、銅材料から成るアイランド２７に孔２８を設けている。そして、特に、樹脂パッケージ２２の中央領域に発生するガスはその排出経路は長いが、アイランド２７の孔２８を介してその排出経路の短縮を実現する。そのことで、本発明の半導体装置では、樹脂パッケージ２２内で発生したガスを確実にその外部へと排出できるので、ガスによる樹脂パッケージ２２のクラック等を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】剥離及びクラックの発生を防止することができる半導体装置を得る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、ダイパッド上に第１の接着剤を介して搭載された第１の半導体チップと、ダイパッド上に第２の接着剤を介して搭載され、スルーホールを挟んで第１の半導体チップと互いの一側面が対向するように配置した第２の半導体チップと、第１の半導体チップと第２の半導体チップとを接続するワイヤと、トランスファーモールド樹脂とを有する。そして、第１，２の半導体チップ間の距離は１ｍｍ以下であり、第１，２の半導体チップの互いに対向する側面のエッジ直下に、それぞれ第１，２の接着剤が存在する。 （もっと読む）