【課題】新たな製造工程を追加することなく、個片化後の各半導体装置が有する単位リードフレームが、リードフレーム内のどの位置にあったものかを認識できるようにする。
【解決手段】ダイパッド１１、ダイパッド１１に繋がった吊りリード１２、および、ダイパッド１１の周辺に形成されたリードを有する単位リードフレーム１０が複数形成されたリードフレーム１であって、ダイパッド１１、吊りリード１２、および、リードの中の少なくとも一つには、貫通溝、凹部および凸部の中の少なくとも一つを含む識別マークが形成されており、第１の単位リードフレーム１０Ａが有する識別マークと、第２の単位リードフレーム１０Ｂが有する識別マークとは、単位リードフレーム１０内の位置および外観形状の少なくとも一方が異なるリードフレーム。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の品質管理を向上させる。
【解決手段】ＱＦＮ１においてダイパッド５ｄの上面５ｅにディンプル５ｈの間引きパターン５ｉからなる刻印が形成されたことにより、個片化後でもＸ線検査等で前記刻印を確認することができ、樹脂成形金型のキャビティを特定することができる。さらに、リードフレームにおけるデバイス領域の位置も特定することができる。したがって、不具合が発生した際には、外観検査において不具合のあるＱＦＮ１を選別することが可能になり、ＱＦＮ１の組み立てにおける品質管理を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】めっき製造工程におけるめっき品質を傾向管理することによって、安定した検査を行うめっき検査装置を提供する。
【解決手段】板状金属製品に照明光を照射する照明手段と、板状金属製品を撮像して画像情報を得る撮像手段と、板状金属製品を一定速度で一方向へ移動する搬送手段と、搬送手段上に板状金属製品を１枚ずつ供給、排出する供給排出部と、めっき基準品の画像情報を処理して検査情報を得、検査情報と板状金属製品の画像情報を比較することによってめっき状態を判定して検査結果を得て、装置全体の動作制御を行う処理制御部と、板状金属製品の画像情報および検査結果と、めっき基準品の画像情報および検査情報とを記憶する記憶手段と、めっき基準品の画像情報を参照して、板状金属製品の検査結果および画像情報の傾向を比較するめっき状態管理手段と、を備えたことを特徴とするめっき検査装置。 （もっと読む）

【課題】ＩＣパッケージの接続ピンの相互間で識別を容易にする。
【解決手段】ＩＣパッケージの接続ピンが、相互に形状が異なる第１及び第２の接続ピンを含み、第１の接続ピンの数と第２の接続ピンの数のリードピンの比率が約１：ｎ（ｎは２以上の整数）である。 （もっと読む）

【課題】めっき層表面に生じるめっき未着等の欠陥を安定的に検出することが可能な外観検査装置を提供する。
【解決手段】外観検査装置２０は、パッド部と、パッド部と異なる色彩をもつめっき層とを有する被検査基材１０の外観を検査するものである。外観検査装置２０は、被検査基材１０に対して光を照射する照明装置と、被検査基材１０を撮像してカラー画像を取得するカラーセンサカメラ２２と、カラーセンサカメラ２２に接続された画像処理装置３０とを備えている。画像処理装置３０は、カラー画像のうちパッド部からの反射率が低く、めっき層からの反射率が高くなる特定波長成分のみを含む画像成分を抽出する成分抽出部３２と、特定波長成分を含む画像成分の画像を処理する画像処理部３３と、めっき層の欠けを判定する判定部３４とを有している。 （もっと読む）

【課題】全面がＰｄメッキ層などで覆われているリードフレームにおいても、外観検査で熱負荷の有無を判断することができるリードフレームを提供する。
【解決手段】基材金属と、基材金属表面の一部に設けられたメッキ層１８と、その基材金属表面の他の一部に設けられた、その受ける熱負荷により変色する部位１５と、を有するリードフレームを提供する。また、半導体装置の製造方法は、第１の実施形態から第４の実施形態のリードフレームを用いて、そのリードフレームに半導体チップをマウントし、その半導体チップとそのリードフレームをワイヤでボンディングし、そのワイヤでボンディングされた半導体チップとリードフレームを樹脂封止する組み立て工程と、その組み立て工程の熱負荷によって熱履歴モニターが変色したかその組み立て工程後に外観チェックを行い、熱履歴の異常の有無を判定する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】被めっき体に形成されためっきの厚さをその場で瞬時に判定することができる。
【解決手段】この被めっき構造体は、めっきが形成される被めっき体１１と、被めっき体１１にスリット部１２を介して対向し、被めっき体１１から電気的に分離された島状の導電性を有するめっき膜厚判定用部材１６を備えている。めっき２１が、被めっき体１１の表面からスリット部１２を介してめっき膜厚判定用部材１６まで成長したか否かを判定することによって、被めっき体１１に形成されためっき２１が、スリット部１２の幅Ｗより厚く形成されたか否かをその場で瞬時に判定することができる。 （もっと読む）

【課題】検査時間を短縮することができる半導体検査装置を提供する。
【解決手段】本半導体検査装置は、半導体装置１０９に互いに異なる角度で互いに異なる色の照射光を照射する複数の光源１０５〜１０７と、それぞれが互いに異なる色の光を検出して検出信号を生成し、かつ半導体装置１０９が反射した反射光を検出する複数のラインセンサ１０２ａ〜１０２ｃと、ラインセンサ１０２ａ〜１０２ｃそれぞれの検出信号を処理することにより、ラインセンサ１０２ａ〜１０２ｃ別に画像データを生成する画像処理部１０４とを備える。光源１０５〜１０７が発光する光の色の組み合わせと、ラインセンサ１０２ａ〜１０２ｃが検出する色の組み合わせが同じである。 （もっと読む）

【課題】製造リードタイムを短くして製品の製造コストを削減でき、尚且つ、精度の高い電気検査を行うことができる端子切断一体型電気検査装置を提供する。
【解決手段】パンチ２によって押圧されてダイ１のパンチ挿入部８内に移動したリード端子５形成後のワーク３を保持するための保持部２０を有する。保持部２０に保持したワーク３の複数のリード端子５に接触する検査用電極２１を有する。検査用電極２１を用いて保持部２０に保持したワーク３の電気検査を行う電気検査手段２２を有する。 （もっと読む）

【課題】光反射型検出器を用いて被検出物体の位置の検出及び位置決めを行う検出位置決め工程において、前記光反射型検出器の検出ミスが生じるのを防止できる電子部品用銅合金板。
【解決手段】ダルロールを用いて圧延された粗化表面を片面又は両面に有する銅合金板。前記粗化表面の算術平均粗さＲａが、圧延方向に平行方向、圧延方向に対し４５°方向及び圧延方向に対し垂直方向の全てで０．４〜０．７μｍ、最大高さ粗さＲｚが、前記３方向の全てで２〜５μｍ、さらに凹凸の平均間隔Ｒｓｍが、前記３方向の平均値で１００〜２００μｍ、かつ前記３方向の全てで前記平均値の±３０％未満である。 （もっと読む）

【課題】エッチング帯状体に生じた不良個所を的確に検知し、不具合を生産工程に的確にフィードバックすることができるエッチング帯状体の検査方法を提供する。
【解決手段】エッチング帯状体１０の幅方向に複数に分割した検査対象領域を設定し、前記エッチング帯状体１０の幅方向の一つの検査対象領域について、複数の露光単位にわたり、エッチング帯状体の画像を取得し、次いで、エッチング帯状体の幅方向の他の検査対象領域に移行し、当該検査対象領域について、複数の露光単位にわたり前記エッチング帯状体の画像を取得する操作を繰り返して、エッチング帯状体の幅方向については全幅について、エッチング帯状体の長手方向には間欠範囲にわたりエッチング帯状体の画像を取得する工程と、前記画像の取得工程により取得された画像から、露光単位ごとに同一個所に表れる不良個所と、露光単位に関わりなく表れる不良個所とを分別して解析する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】めっきの製造条件の微少な変動によらず、配線パターン及びめっきの検査を同時に行なうことが可能な金属基板表面の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】基板を所定速度で移動する搬送段階と、基板の法線方向から０°〜１０°傾いた方向から、搬送と同期を取るかまたは所定時間間隔で、基板表面を撮影する撮像段階と、基板の非めっき部の金属材料とめっき材料との反射強度の差が最大となる波長域の光を間接光で照射する照明段階と、照射光のうち、基板の非めっき部の金属材料とめっき部のめっき材料の反射強度の差が小さい、特定照射角度の光の一部を選択的に照射させないようにする半照明阻止段階と、撮像段階にて得られた画像データを用いて、基板表面に存在する欠陥部を抽出、自動判定する画像処理段階と、を備えた金属基板表面の検査方法および検査装置。 （もっと読む）

【課題】電気テスト用のプローブを接続することによって簡単にかつ確実に電気テストを行うことができる配線基板を提供することである。
【解決手段】最外層の絶縁層４上に帯状配線導体５ａが複数並設されているとともに、各帯状配線導体５ａ上の一部にフリップチップ用導電突起１２が帯状配線導体５ａの幅と一致する幅で形成されており、かつ最外層の絶縁層４上および帯状配線導体５ａ上にフリップチップ用導電突起１２の少なくとも上面を露出させるソルダーレジスト層６が被着された配線基板１０であって、各帯状配線導体５ａ上の一部に、さらに電気テスト用のプローブが接続されるテスト用導電突起１３が帯状配線導体５ａと一致する幅でかつ隣接するテスト用導電突起１３と位置をずらして形成されているとともに、各テスト用導電突起１３の上面がソルダーレジスト層６から露出するように構成した。 （もっと読む）

【課題】読み取り精度が高くしかも製造も容易なドット群を各リードフレーム又はリードフレーム群に形成し、特に、リールトゥリールで生産されるリードフレームの不良を早期に発見するリードフレーム連続体及びリードフレームの製造方法を提供する。
【解決手段】リール１０に巻かれた条材１１を徐々に解いてリードフレーム２６を連続的に製造するリードフレームの製造方法及びこの方法によって製造されたリードフレーム連続体２９であって、各リードフレーム２６又はリードフレーム群３１の一部に、ハーフエッチング加工によって凹部からなるドット群２７、３２を形成した。 （もっと読む）

【課題】 パッケージに搭載される電子部品の動作不良を抑制することができ、また基板との接続を確認するための検査を簡略化することができるパッケージ部品およびそれを備える電子機器ならびにパッケージ部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 パッケージ本体３の底面１５上に複数の金属バンプ４を設け、またパッケージ本体３の底面１５に連なる側面１６から複数のリード５が外側方に突出して設けられる。パッケージ本体３には、複数の金属バンプ４を介して、集積回路素子１が動作するための同一の電気的情報が集積回路素子１に与えられるように、複数の金属バンプ４と、集積回路素子１の接続端子とを電気的に接続し、また集積回路素子１の複数の接続端子のうち、金属バンプ４と電気的に接続される接続端子を除く残余の接続端子と複数のリード５とを電気的に接続している配線手段６が設けられる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとリードフレームが樹脂で覆われた半導体装置であって、その半導体チップの製造過程に関する情報が読み取り易く印字された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、リードフレーム１１のアイランド部１２の表面に半導体チップ１４が貼着されている。アイランド部１２の裏面に、少なくとも、製造過程における半導体ウエーハ面内での該半導体チップの位置を示す製造情報２０がＸ線で読み取り可能に印字されている。製造情報２０がアイランド部１２の裏側に印字されていることによって、半導体チップ１４の表面或いは裏面に印字するよりも製造情報２０をＸ線で読み取り易くなる。 （もっと読む）

【課題】積層型半導体装置に反りを有していたとしても、実装体において不良となることを低減することを目的とする。
【解決手段】積層型半導体装置において、実装基板５への実装に用いる格子状に配置された半田ボール２ａの内、反りの影響を最も受けることになる四隅の半田ボール２ｃを積層型半導体装置単体における検査専用端子とすることで、実装時に、積層型半導体装置の反りのためにこれらの端子に接続不良が生じたとしても、これらの端子は実装体での動作には用いられないため、積層型半導体装置に反りを有していたとしても、実装体において不良となることを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】リードピンのショートや半田未接続を容易に目視により確認できる、高集積化されたＩＣパッケージを提供する。
【解決手段】ＩＣパッケージのリードピンを、半田めっきリードピン１２と、金めっきリードピン１３とから構成し、半田めっきリードピン１２と金めっきリードピン１３とを交互に配列する。双方のリードピンの目視による識別を容易にし、リードピン間のショートや、リードピンの半田接続の有無の判別を容易にする。 （もっと読む）

【課題】保護テープが貼られているリードフレームの検査方法および検査装置を提供すること。
【解決手段】リードフレームの保護テープが貼られているほうの面を撮像し、前記撮像位置に対して前記リードフレームを挟んで反対側の面から前記リードフレームに照射光を照射する透過光学系により、かつ、前記保護テープの透過率が高い波長域または低い波長域のいずれかを選択して検査する波長域選択手段を有する透過光学系により、前記リードフレームに前記照射光を照射し前記リードフレームを撮像する撮像段階と、前記撮像段階で得られた画像データに対して不良箇所の抽出処理を行なう画像データ処理段階とを備えるリードフレームの検査方法。 （もっと読む）

【課題】プローブピンの清掃回数を減らすと共に、歩留まりの高い電子デバイスの製造方法、および電子デバイスを提供すること。
【解決手段】電子部品をパッケージ３０内に収容する封止工程と、パッケージ３０の外部に露出した外部端子部２２ｂに半田づけをする半田付着工程と、半田づけした外部端子部２２ｂにプローブピンを接触させて、電子部品との間で信号の入力及び／又は出力を行なうプロービング工程とを備えた電子部品の製造方法であって、半田付着工程の後であって、プロービング工程の前に、外部端子部２２ｂのプローブピンが接触する箇所及びその周辺であるプロービング領域に荷重Ｋをかけるプレス工程を行なう。 （もっと読む）