【課題】
金属マトリックス中に金属被覆ダイヤモンド粒子を含有してなる複合ヒートシンク材において、熱伝導性の改良されたヒートシンク材を提供すること。
【解決手段】
本発明のヒートシンク材は次の各工程を経て製造される：
1. 整粒されたダイヤモンド粒子の全表面に、パイロゾル法によって金属炭化物層を形成することによって被覆ダイヤモンド粒子を得る工程、
2. 前記被覆ダイヤモンド粒子とマトリックス金属材の粉末とを密に混合して混合粉とし、焼結反応容器内に充填する工程、
3. 前記混合粉を還元性雰囲気中で加熱することによって酸素を除去する工程
4. 前記反応容器をマトリックス金属材の融点以上の加熱温度及び100ＭＰa以上の焼結圧力に供し、該金属材を溶融して被覆ダイヤモンド粒子間の空隙に流入・充填し、金属炭化物層を介してダイヤモンド粒子及び金属材を一体化させる工程。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクが正しい位置に配されていない状態を検知することで、自己発熱によって集積回路がダメージを受けるのを回避する。
【解決手段】ヒートシンクユニット１００は、電力消費により集積回路１１０に生じる熱を放熱するヒートシンク１１６と、ヒートシンクが、集積回路に対して放熱可能な位置に配されているか否かを判定する位置判定部１２２と、ヒートシンクが集積回路に対して放熱可能な位置に配されていないと判定された場合、判定が為される前よりも集積回路の電力消費を低減させる電源制御部１２８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】放熱が必要な部品のヒートシンクの厚さにかかわらず効率よく組み立てができる回路部品実装基板及び回路部品実装基板の位置決め方法を提供する。
【解決手段】回路部品実装基板は、ビス穴を有し、回路部品を実装する回路基板と、ビス穴を有する溝部を備えるベースプレートと、ビス穴を有し、溝部に嵌合する基底部、ビス穴を有し、回路基板を支持する支持部、並びに基底部と支持部を連結する連結部を具備する取付部材と、取付部材の基底部に載置され、基底部とともにベースプレートにヒートシンクがとも締めされる発熱部品と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールとヒートシンクとの間の隙間を埋めるために設ける充填層が熱サイクルや振動等に起因して流出する可能性がある。
【解決手段】半導体装置１００は、高さの異なる半導体モジュールを含む複数の半導体モジュール１０と、複数の半導体モジュール１０の両面に配置され、複数の半導体モジュール１０を冷却するための冷却器１１と、複数の半導体モジュール１０と冷却器１２との間に設けられ、絶縁性を有し、硬化性の材料を含む充填層１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】光半導体照明装置が開始される超音波診断装置用プローブ及びその製造方法に対する発明を開示する。
【解決手段】この照明装置は、ハウジングと、前記ハウジングの一側開放領域に設置された発光モジュールと、前記ハウジング内に位置して前記発光モジュールの熱を吸収して放出する放熱ユニットとを含む。この発光モジュールは、光半導体素子が配置される放熱ベースを含む。この放熱ユニットは、一側部分が前記放熱ベースと接触する少なくとも一つの主ヒートパイプと、前記主ヒートパイプと協力するように、前記主ヒートパイプの他側部分と接触する放熱ブロックとを含む。 （もっと読む）

【課題】回路層上に搭載された電子部品等からの熱を効率よく放散できるとともに、冷熱サイクル負荷時における絶縁基板の割れの発生を抑制できるパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の一方の面に形成された回路層１２と、絶縁基板１１の他方の面に形成された金属層１３と、を備えたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、絶縁基板１１の一方の面に銅板が接合されて構成され、金属層１３は、絶縁基板１１の他方の面にアルミニウム板が接合されて構成されており、回路層１２を構成する銅板は、接合される前において、少なくとも、アルカリ土類元素、遷移金属元素、希土類元素のうちの１種以上を合計で１ｍｏｌｐｐｍ以上１００ｍｏｌｐｐｍ以下、又は、ボロンを１００ｍｏｌｐｐｍ以上１０００ｍｏｌｐｐｍ以下のいずれか一方を含有し、残部が銅及び不可避不純物とされた組成とされている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、これらの問題を解決するためになされたものであり、小型化、放熱性の向上、およびシールド効果を有し、取付け作業の効率を向上させることが可能なモジュールの取付け構造を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によるモジュールの取付け構造は、開口部６を有し電子回路が形成される制御基板５と、制御基板５の一方主面側において開口部６の位置に配置され、電子回路の一部を構成するモジュール１と、モジュール１の表面全体を覆うようにあるいは前記表面のうちの複数面上に形成された放熱基板３と、制御基板５の他方主面側において、開口部６を介してモジュール１表面の放熱基板３と接するように配置された放熱ブロック２とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が搭載された半導体装置の上下の主面から効率よく放熱を行う。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁基板１０Ａと、絶縁基板１０Ａに対向するように配設された絶縁基板１０Ｂと、絶縁基板１０Ａと絶縁基板１０Ｂの間隙に配置され、コレクタ電極とコレクタ電極とは反対側に配設されたエミッタ電極を有した半導体素子２０と、を備え、コレクタ電極が絶縁基板１０Ａに配設された金属箔１０ａｃに電気的に接続されると共に、エミッタ電極が絶縁基板１０Ｂに配設された金属箔１０ｂｃに電気的に接続されている。これにより、半導体素子２０から発生した熱が、半導体装置１の上下の主面から効率よく放熱されるようになる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板と金属基板とを接合する接合部材および絶縁基板と放熱部材とを接合する接合部材の接合性を別々の温度検出素子を用いて評価していたことから、モジュールの大型化という課題が生じていた。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、絶縁基体に埋設された、絶縁基体の温度を検出する複数の温度検出素子を備え、複数の温度検出素子が、絶縁基体の上面に第１の接合部材で接合された半導体素子の中心と上下に重なり合う部分に位置する第１の温度検出素子と、半導体素子の外周縁と上下に重なり合う部分に位置する少なくとも１つの第２の温度検出素子とを有している。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子をより均等な温度に冷却する半導体素子の冷却構造、を提供する。
【解決手段】半導体素子の冷却構造は、電流が流れる半導体素子２３と、半導体素子２３よりも大きい電流が流れる半導体素子２１と、半導体素子２３を搭載する絶縁基板３８および伝熱板４３と、半導体素子２１を搭載する絶縁基板３６および伝熱板４１と、絶縁基板３８および伝熱板４３に対して、半導体素子２３の反対側に設けられ、絶縁基板３８および伝熱板４３を通じて伝えられた半導体素子２３の熱を放熱し、絶縁基板３６および伝熱板４１に対して、半導体素子２１の反対側に設けられ、絶縁基板３６および伝熱板４１を通じて伝えられた半導体素子２１の熱を放熱するヒートシンク５１とを備える。絶縁基板３６および伝熱板４１は、それぞれ、絶縁基板３８および伝熱板４３よりも大きい体積を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で複数の光源が発する熱を適切に放散させる。
【解決手段】ヒートシンク３０は、互いに対向する板状部分である第１部分３０ａおよび第２部分３０ｂと、第１部分３０ａの端部と第２部分３０ｂの端部との間に介在する第３部分３０ｃと、によってコ字状に形成される。第１部分３０ａは、第１発光素子４０Ａの熱を回収するよう第１発光素子４０Ａが取り付けられる。第２部分３０ｂは、第１部分３０ａと対向して配置され、第２発光素子４０Ｂの熱を回収するよう第２発光素子４０Ｂが取り付けられる。第３部分３０ｃは、第１部分３０ａおよび第２部分３０ｂから回収した熱を放散する放熱フィン３０ｄを有する。ヒートシンク３０は、ダクト２４によって形成されるエアフロー領域内において、第３部分３０ｃが第１部分３０ａおよび第２部分３０ｂよりも上流側に位置するよう配置される。 （もっと読む）

【課題】発生する熱を効率よく放熱可能な半導体装置、および、それを用いた駆動装置を提供する。
【解決手段】半導体装置では、ねじ６８、６９が、パワーモジュール６０をヒートシンクに押圧する。ＭＯＳ８１〜８８は、１つのねじ６８、６９に対し３つ以上配置される。また、ＭＯＳ８１〜８８は、ねじ６８、６９による押圧によりパワーモジュール６０とヒートシンクとの間に生じる圧力がＭＯＳ８１〜８８からの熱を放熱可能な所定の圧力以上である領域に配置される。これにより、少なくともＭＯＳ８１〜８８が配置されている領域では、パワーモジュール６０とヒートシンクとが密着した状態で保持され、ＭＯＳ８１〜８８から発生する熱を効率よくヒートシンクへ放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを搭載するヒートシンクの一面のうち導電性部材接触領域と粗化領域との間に非粗化領域が形成されることを抑制する。
【解決手段】一面３０ａを有する第１ヒートシンク３０を用意すると共に、当該第１ヒートシンク３０に搭載される半導体チップ１０、２０を用意する。そして、第１ヒートシンク３０に第１導電性部材７０を介して半導体チップ１０、２０を搭載する。その後、半導体チップ１０、２０をマスクとして、半導体チップ１０、２０および第１ヒートシンク３０の一面３０ａを粗化する第１粗化処理工程を行う。 （もっと読む）

【課題】放熱構造を設けることによる製造作業の負担の低減、製造コストの削減を可能とする電子機器の放熱構造を得ること。
【解決手段】発熱体である半導体素子２を収納するケース３の外部に固定されたヒートシンク４と、ケース３にヒートシンク４を固定する固定手段であるリベット５と、を有し、固定手段は、ケース３内にて発熱体に接することで、発熱体で発生する熱をヒートシンク４へ伝播可能とされ、固定手段は、アルミニウムおよび銅の少なくともいずれかを使用して構成されている。 （もっと読む）

【課題】 樹脂シートを用いることなくヒートシンクに導電材料層が接合される半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明による半導体装置１，２は、ヒートシンク４０と、ヒートシンク４０上に直接、樹脂を含まない絶縁材料を溶射して形成した絶縁層３０と、絶縁層３０上に直接、導電材料を溶射して形成した導電材料層２０と、導電材料層２０上に設けられる半導体素子を含むチップ１０と、を備えることを特徴とする。絶縁材料は、好ましくは、ＡｌＮ、ＳｉＮ又はＡｌ_２Ｏ_３である。 （もっと読む）

【課題】電磁干渉を回避でき、かつ高い放熱能力を備えた、セラミック放熱モジュール及びセラミック放熱モジュールの製造方法の提供。
【解決手段】本発明のセラミック放熱モジュールは発熱素子の温度を下げるために用いられ、セラミック放熱モジュールが、セラミック放熱モジュール本体を含み、そのうちセラミック放熱モジュール本体の組成が実質上重量百分率７０％以上の酸化アルミニウムを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デバイス動作時のリスクを低減し高信頼性を実現した温度センサーを具えたデュアルコンパートメント半導体パッケージを提供する。
【解決手段】デュアルコンパートメント半導体パッケージ２００は、第１及び第２コンパートメント２２２、２２８を有する導電性クリップ２１６を具える。第１コンパートメント２２２は、ＩＧＢＴである第１ダイ２０２と、また第２コンパートメント２２８は、ダイオードである第２ダイ２０４と電気的、機械的に接続される。デュアルコンパートメント半導体パッケージ２００は、第１ダイ２０２及び第２ダイ２０４とを電気的に接続するとともに、第１及び第２コンパートメント２２２、２２８の間に溝２４０を具え、第１ダイ２０２と第２ダイ２０４との間の電気的な接触を防止している。デュアルコンパートメント半導体パッケージ２００の温度を測定するため、溝２４０の上、又は内側に温度センサーを設置することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 装置の小型化が容易にできるとともに、パワー半導体モジュールと基板の位置合わせ作業をなくし、組立性を向上させることができるモータ制御装置を提供する。
【解決手段】 ヒートシンクに密着するパワー半導体モジュールを基板に接続してなるモータ制御装置において、ヒートシンクと基板との間に前記間を絶縁するスペーサを介在させるとともに、スペーサ内に、パワー半導体モジュールを配置させるための係合部を形成し、パワー半導体モジュールの端子を基板の端子通し穴に挿入し、かつパワー半導体モジュールを前記係合部に配置して基板とスペーサで挟み、挟んだままパワー半導体モジュールをヒートシンクに取り付ける。 （もっと読む）

【課題】カーボン材を使用した放熱板の機械的強度の向上と製造コストの低減を両立させる。
【解決手段】この発明の放熱板１１は、板状のカーボンベース体１、およびカーボンベース体１の周囲を覆った状態で密閉される高熱伝導性シール材２，３を有する。カーボンベース体１は、例えば、カーボン粒子を板状に圧縮固形化したものを好適に使用できる。高熱伝導性シール材２，３は、熱伝導率が高く、展性に優れた金属製の板金を好適に使用できる。このような金属としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銅または銅合金などが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】装置全体が大型化することなくセラミック基板の破壊を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この発明の半導体装置１は、剛性を有する板状のベース体２、ベース体２上に配置されるセラミック基板３１とセラミック基板３１の表裏面に張り合わされた銅板３２，３３を有し、ベース体２、セラミック基板および銅板がトランスファーモールド法によりモールド樹脂５で封止されるものである。ベース体２の上面２２の少なくともセラミック基板３１のコーナー部と対応する位置に屋根部２２１を設ける。ベース体２２の側面に、屋根部２２１とベース体２の底面２３とを連結することによって形成される庇状の凸部２５が設けられている。 （もっと読む）