【課題】電気的不具合の発生が抑えられた、高品質、高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、基板１１の上方に配設された半導体素子１２と、半導体素子１２の上方に配設された熱伝導材１６と、熱伝導材１６の上方に配設された放熱体１７とを含む。放熱体１７は、半導体素子１２との対向領域の外側に配設されて基板１１側に突出する複数の突起１７ｂを有する。製造時に半導体素子１２上から熱伝導材１６が流出する場合でも、その流出する熱伝導材１６を突起１７ｂにより放熱体１７側に濡れ拡がらせ、基板１１側への熱伝導材１６の流出や飛散、それによる電気的不具合の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の最高温部の温度を測定可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、前記半導体素子の一方の面に第１の接合部を介して接合される放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第２の接合部を介して接合される金属板と、を有し、前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールをヒートシンクに組み付けるときの位置決めが容易にでき、放熱特性に優れた半導体装置を得る。
【解決手段】半導体モジュール１の一面側に形成された放熱面１ａをヒートシンク３の面に当接させ、放熱面１ａの反対側の面から押さえ板４で押さえて保持し、押さえ板４をヒートシンクに固定して、半導体モジュール１をヒートシンク４に固定する半導体装置であって、半導体モジュール１の放熱面１ａとは反対側の面に、位置決のための突起部１ｂを有し、押さえ板４には係合穴４ｃが形成され、突起部１ｂと係合穴４ｃとが係合されて半導体モジュール１がヒートシンク３に位置決めされている。 （もっと読む）

【課題】温度差が生じても従来よりは絶縁部材の剥離を抑止することができる半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】複数の半導体素子１６と、各半導体素子１６で生じる熱を放出する放熱部１５と、少なくとも半導体素子１６を覆う絶縁部材１４とを備える半導体モジュール１０において、絶縁部材１４は、半導体モジュール１０の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆うことを特徴とする構成である。この構成によれば、絶縁部材１４は半導体モジュール１０の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆う。放熱部１５と絶縁部材１４との間に生じる温度差に基づく線膨張係数差による応力が発生しても、従来よりは絶縁部材１４の剥離を抑止することができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導材にグリス等の流動性物質を使用した場合であっても、熱伝導材が漏出しにくく、したがって放熱効率の低下が防止された、制御装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板に対向する位置に配置された放熱部材と、基板と放熱部材との隙間を埋めるように配設された熱伝導材５と、を備えた制御装置である。熱伝導材５は、基板の電流パターン８に対応する位置に配置されている。熱伝導材５の周囲には、基板と放熱部材との隙間を埋めるようにコーティングパターン９Ａが配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、その金属フィルムが接着剤を介せずに黒鉛の表面に直接且つ緊密に形成されている放熱装置、及び該放熱装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、電子部品を搭載し、作動中の該電子部品から生じる熱を発散させるための放熱装置であって、積層構造を有する黒鉛により平板状に形成された本体と、電気メッキによって前記本体の表面に形成されている金属層とからなっている放熱装置、及び、本体を洗浄する本体の洗浄工程と、本体の洗浄工程において洗浄した本体の表面に、電気メッキによって金属層を形成する金属電気メッキ工程とを備える、放熱装置の製作方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】発熱する電子部品自体および樹脂成形品にも使用でき、放熱効果の高い放熱部材を得ること。
【解決手段】放熱部材１０は、斜方晶系のケイ酸塩鉱物からなるフィラー１１と光硬化性樹脂１３とを含有する樹脂組成物を硬化させて得られる硬化膜１４と；硬化膜１４により被膜された金属板１５とを備える。放熱部材１０は、金属板１５と硬化膜１４との組み合わせにより、効率のよい優れた放熱効果を有する。なお、「ケイ酸塩鉱物」とは、天然、人工のいずれであってもよく、アルミノケイ酸塩鉱物や、さらには鉱物以外のケイ酸塩化合物をも含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１は、基板２１と、基板２１の一方の面側に設けられた第１導体パターン２２１と、基板２１の他方の面側に設けられ、第１導体パターン２２１と電気的に接続された第２導体パターン２２４とを備える配線基板２と、基板２１の一方の面に接合され、第１導体パターン２２１に電気的に接続される半導体素子３と、配線基板２に接合され、配線基板２よりも熱膨張係数の小さい金属製の補強部材４、５と、補強部材４の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６１と、補強部材５の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高い積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層体１は、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体２と、熱伝導体２の表面に積層されている第１の絶縁層３と、第１の絶縁層３の表面に積層されている第２の絶縁層４とを備える。積層体１は、第２の絶縁層３に導電層が積層されて用いられる。第１の絶縁層３が、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーを８６重量％以上、９７重量％未満で含み、かつ第２の絶縁層４が、無機フィラーを６７重量％以上、９５重量％未満で含む。第１の絶縁層３の硬化率が５０％以上であり、第２の絶縁層４の硬化率が８０％未満であり、かつ第１の絶縁層３の硬化率が第２の絶縁層４の硬化率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】優れた熱伝導性及び絶縁性が安定して得られ、且つ生産性にも優れる樹脂封止型半導体装置用基板、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属ベース材２上に、少なくとも、エポキシ樹脂と、紫外線硬化型硬化剤及び熱硬化型硬化剤、又は熱紫外線硬化型硬化剤と、無機フィラーとを含有し、前記無機フィラーの含有量が５０〜８０体積％であるエポキシ樹脂組成物で、Ｂステージ状態の絶縁層２ｂを形成して、金属ベース基板１とする。 （もっと読む）

【課題】金属・ダイヤモンド複合体にその本来の熱伝導率に近い熱伝導率を発揮させることを可能にするヒートシンクを提供する。
【解決手段】このヒートシンク１１は、デバイスを搭載するための搭載面１１ａを有しており該ベース１３の主面１３ａに設けられた金属領域１５を備える。この主面１３ａには、ダイヤモンド粒子１７による突起２３ａ〜２３ｃと突起２３ａ〜２３ｃの間に位置する窪み２５ａ〜２５ｄとを含むけれども、半田材と異なり該半田材より高い融点の金属からなる金属領域１５は窪み２５ａ〜２５ｄを埋めて、搭載面１１ａは突起２３ａ〜２３ｃ及び窪み２５ａ〜２５ｄによって構成されるラフネスより小さいラフネスに再構成される。これ故に、デバイスの実装面とヒートシンク１１の表面１１ａとの実効的な接触面積を、デバイスの実装面の面積に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性能を損なうことなく、冷却性能が向上したパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 第１のヒートスプレッダ４と半導体チップ１，２と第２のヒートスプレッダ８とをこの順に重ね合わせ、第１のヒートスプレッダ４の一方の主面に第１の固定板１１と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第１の絶縁シート９を接着し、第２のヒートスプレッダ８の一方の主面に第２の固定板１２と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第２の絶縁シート１０を接着することにより構成される構造体を形成する工程と、上記構造体をモールドプレスの金型のキャビティに収納する工程と、上金型１４と下金型１５を型締めする工程と、金型の温度を上げると共にキャビティに熱硬化性樹脂からなる未硬化のモールド樹脂を注入することにより、第１の絶縁シート９、第２の絶縁シート１０及びモールド樹脂を硬化させる工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面に発生するしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の少なくとも一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）は、母材（20）の電子素子搭載面側に高強度層（21）が一体に積層された積層材で構成され、前記高強度層（21）の引張強さＸ（Ｎ／ｍｍ^２）と母材（20）の引張強さＹ（Ｎ／ｍｍ^２）とがＸ／Ｙ≧１．１の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を提供可能な構造の半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ１１はサブマウント７とヒートシンク９との間に設けられる。III族窒化物半導体レーザ１１はｐアップ形態でサブマウント７上に搭載されるので、レーザ導波路からの熱は、レーザ構造体１３を介してサブマウント７に伝わる。レーザ導波路からの熱は、高い温度のレーザ導波路からオーミック電極１５及びパッド電極４５を介して低い温度のヒートシンク９に伝わり、この熱は、オーミック電極１５から離れたヒートシンク端に向けてヒートシンク内を伝搬していき、ヒートシンク９の温度分布はレーザ導波路上の中央部からヒートシンク端に向けて低くなる。III族窒化物半導体レーザ１１の両端の近傍では、III族窒化物半導体レーザ１１の温度はヒートシンク９の温度より低いので、ヒートシンク９の熱はIII族窒化物半導体レーザ１１に伝搬する。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの面方向の熱膨張収縮が拘束されると、高さ方向の熱応力によって反りが発生し、グリースが塗布位置から流出する可能性がある。
【解決手段】半導体装置１００は、平板状の冷却器２と、冷却器２上にグリースを介して載置された、半導体チップを樹脂モールドした半導体モジュール１と、平板状の冷却器の面方向において、半導体モジュールの温度変化に応じた寸法変化を許容するとともに、半導体モジュールの位置を位置決めする位置決め部材３とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、型締め処理時における金属異物発生の抑制、かつ、モールド金型の長寿命化を図ることが可能な、ヒートシンク付き半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が集積された半導体チップが設置される上面を上向きにした状態で、ヒートシンク１０を下側金型１１０のステージ１１１に載置する。ヒートシンク１０の上面を上側金型１２０で押さえ付ける。その後、モールド樹脂止め用のスライド金型１３０をスライド移動させて、ステージ１１１上のヒートシンク１０の側面に押し当てる。これにより、ヒートシンク１０が樹脂モールドされる箇所と、ヒートシンク１０が樹脂モールドされずに外部に露出する箇所との境界部分を、モールド金型１００において確実に樹脂止めできる。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの放熱板と冷却器の間の熱伝達を維持しつつ、熱伝導性グリスの拡散を防止する構造体を提供する。
【解決手段】冷却器３に熱伝導性グリス５を介して載置された半導体モジュール１は、半導体素子７が取り付けられ、一方の面において前記熱伝導性グリス５を介して前記冷却器３の表面と対向する放熱板９と、前記冷却器３と対向する対向面１１ａを有し、前記放熱板９の周囲に形成された外周縁部１１と、を備える。前記外周縁部１１の前記対向面１１ａは、温度が高いほど前記冷却器３に対して近接するように温度に応じて移動し、且つ、少なくとも予め定められた所定温度（ＴＯ）以上の温度（Ｔ）で前記放熱板９の前記一方の面よりも前記冷却器３に対して近接する。 （もっと読む）

【課題】硬化反応速度が比較的速く、接着能力の長期持続性に優れた熱硬化性接着剤で絶縁樹脂層が形成された放熱用部材を提供し、放熱性に優れた半導体モジュールを容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】窒化ホウ素粒子（Ａ）とエポキシ樹脂（Ｂ）とフェノール樹脂（Ｃ）とを含有する熱硬化性接着剤からなる絶縁樹脂層１０を有し、絶縁樹脂層１０の一面側を被着体に接着硬化させて被着体の熱を絶縁樹脂層１０を通じて放熱する放熱用部材１で、窒化ホウ素粒子が４０体積％以上６５体積％以下の割合で含有し、エポキシ樹脂としては、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂が含有され、フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂の内の少なくとも１種が含有され、さらにテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートが含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 良好な熱伝導性や難燃性を実現するために無機フィラーを多く添加しても、部品固定に際して部品の脱落が生じにくい優れた接着性を有する粘着剤組成物を提供する。
【解決手段】 （メタ）アクリレートを主たるモノマー成分とするアクリル系共重合体と、無機フィラーとを含有する粘着剤組成物であって、前記アクリル系共重合体がモノマー成分として炭素数が２以上の飽和炭化水素基を介してカルボキシ基を分子鎖末端に有する（メタ）アクリレートモノマーを含有し、前記無機フィラーの含有量が、アクリル共重合体１００質量部に対して２００質量部以上である粘着剤組成物により、多量の無機フィラーを添加した場合にも優れた接着性を実現でき、良好な難燃性や熱伝導性と、好適な接着性とを両立できる。 （もっと読む）