半導体装置
【課題】半導体素子の最高温部の温度を測定可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、前記半導体素子の一方の面に第１の接合部を介して接合される放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第２の接合部を介して接合される金属板と、を有し、前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けた。
【解決手段】本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、前記半導体素子の一方の面に第１の接合部を介して接合される放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第２の接合部を介して接合される金属板と、を有し、前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けた。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の温度を検出する温度検出素子を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の温度を検出する温度検出素子を備えた半導体装置が知られている。例えば、パワー半導体素子であるＩＧＢＴの表面中央部及び表面周辺部の２箇所にダイオードを取り付けてそれらの温度を検出し、温度勾配監視手段が表面中央部の温度と表面周辺部の温度との温度勾配（温度差）を監視する半導体装置が知られている。
【０００３】
この半導体装置では、動作状態検出手段がＩＧＢＴの動作状態、すなわち、オン状態かオフ状態かを検出し、素子電流検出手段がＩＧＢＴの大電流動作を検出する。そして、寿命推定手段は、動作状態検出手段がＩＧＢＴのオン状態を検出し、素子電流検出手段がＩＧＢＴの大電流動作を検出しているときだけ、温度勾配監視手段の監視結果に基づいた寿命の推定を行う。これにより、寿命推定時に、他のパワー半導体素子からの熱の影響による誤認識を防止している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０２３５６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記半導体装置では、２つのダイオードを用いて温度検出しているが、半導体素子の温度は場所により異なるため、半導体素子の最高温部の温度を正しく測定できるとは限らない。半導体素子の最高温部の温度を正しく測定できないと、寿命推定の精度が低下する虞がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、半導体素子の最高温部の温度を測定可能な半導体装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、前記半導体素子の一方の面に第１の接合部を介して接合される放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第２の接合部を介して接合される金属板と、を有し、前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けたことを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、半導体素子の最高温部の温度を測定可能な半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。
【図２】比較例に係る半導体装置を例示する断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体装置において、半導体素子の動作時の温度の一例を示す図である。
【図４】第２の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。
【図５】第３の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。
【図６】第４の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１１】
〈第１の実施の形態〉
図１は、第１の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図１を参照するに、半導体装置１０は、大略すると、半導体素子１１と、接合部１２と、放熱板１３と、接合部１４と、ブロック電極１５と、低熱伝導部１６と、接合部１７と、放熱板１８と、封止樹脂１９とを有する。
【００１２】
半導体装置１０において、半導体素子１１は、例えば、車両に搭載されるインバータ回路や昇降圧コンバータ回路の一部を構成する部品である。より詳しくは、半導体素子１１は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated gate bipolar transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal oxide semiconductor field‐effect transistor）のようなスイッチング素子である。又、半導体素子１１は、例えば、ＩＧＢＴと、ＩＧＢＴのエミッタとコレクタとの間に接続される還流用のダイオードを含んだ素子等であってもよい。
【００１３】
以降、半導体素子１１がＩＧＢＴである場合を例に説明を行う。又、搭載状態に応じて上下方向が異なるが、便宜上、放熱板１３側を下方として説明を行う。従って、半導体装置１０を図１のように視た場合の各構成部品の上側の面を上面、下側の面を下面という（他の実施の形態についても同様）。
【００１４】
半導体素子１１は、例えば、平面形状が矩形の薄板状とすることができる。半導体素子１１の下面（放熱板１３側の面）には、例えばコレクタ電極（図示せず）が露出している。半導体素子１１の下面に露出するコレクタ電極（図示せず）は、接合部１２を介して、放熱板１３の上面に接合されている。なお、接合部１２は、本発明に係る第１の接合部の代表的な一例である。
【００１５】
半導体素子１１の上面（放熱板１８側の面）には、例えばエミッタ電極（図示せず）が露出している。半導体素子１１の上面に露出するエミッタ電極（図示せず）は、接合部１４を介して、ブロック電極１５の下面に接合されている。なお、接合部１４は、本発明に係る第２の接合部の代表的な一例である。
【００１６】
又、半導体素子１１の上面に露出するゲート電極（図示せず）は、金や銅等からなる導電性の細線であるボンディングワイヤ（図示せず）を介して、配線部材（図示せず）に接合されている。配線部材（図示せず）は、例えば、放熱板１３と共に１つのリードフレームから形成されており、一端が封止樹脂１９から露出している。封止樹脂１９から露出している配線部材の一端（図示せず）は、外部接続端子として機能する。
【００１７】
平面視において、半導体素子１１の上面側の中央部には、半導体素子１１と接するように温度検出素子１１ａが設けられている。温度検出素子１１ａは、例えば、ダイオードであり、半導体素子１１の温度を検出する機能を有する。但し、温度検出素子１１ａは、半導体素子１１に内蔵されてもよいし、半導体素子１１の上面又は下面に設けられてもよい。
【００１８】
放熱板１３及び１８は、半導体素子１１等を介して、互いに対向するように配置されている。放熱板１３及び１８は、半導体素子１１が動作時に発する熱を、半導体装置１０の外部に放出する機能を有する。放熱板１３及び１８の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金、アルミニウム（Ａｌ）等の熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属を用いることができる。放熱板１３及び１８のそれぞれの厚さは、例えば、２ｍｍ程度とすることができる。
【００１９】
放熱板１８の下面側には、凹部１８ｘが形成されている。凹部１８ｘは、ブロック電極１５と放熱板１８とを接合部１７を介して接合する際に、溶融した接合部１７が放熱板１８の下面に必要以上に濡れ広がらないように形成されている。つまり、溶融した接合部１７のうち余剰な部分は、凹部１８ｘに収容される。
【００２０】
接合部１２、１４、及び１７としては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ等のはんだ材料を用いることができる。接合部１２、１４、及び１７として、例えば、銀（Ａｇ）ペースト等を用いても構わない。
【００２１】
なお、接合部１２、１４、及び１７は、必ずしも同一材料を用いなくてもよい。例えば、半導体装置１０の製造工程上、最初に溶融する接合部よりも後に溶融する接合部に、より低融点のはんだ材料を用いてもよい。例えば、半導体装置１０の製造工程上、最初に溶融する接合部にはＳｎ−Ａｇ（融点２２０℃程度）を用い、後に溶融する接合部にはＳｎ−Ａｇよりも低融点であるＳｎ−Ｂｉ（融点１３９℃程度）を用いることができる。
【００２２】
なお、接合部１２、１４、及び１７のそれぞれの厚さは、例えば、０．２ｍｍ程度であるため、これらのみによりボンディングワイヤ（図示せず）等を配置する高さを確保することは困難である。そのため、ボンディングワイヤ（図示せず）等を配置する高さを確保するためのスペーサとしての機能を有するブロック電極１５が配置されている。
【００２３】
ブロック電極１５の上面は、接合部１７を介して、放熱板１８の下面に接合されている。ブロック電極１５の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金、アルミニウム（Ａｌ）等の熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属を用いることができる。ブロック電極１５の厚さは、例えば、１ｍｍ程度とすることができる。なお、ブロック電極１５は、本発明に係る金属板の代表的な一例である。
【００２４】
ブロック電極１５の下面側には、低熱伝導部１６が設けられている。低熱伝導部１６は、ブロック電極１５の下面に設けられた凹部に接合部１４を構成する材料が充填された構造である。低熱伝導部１６に充填される材料（接合部１４を構成する材料）は、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い。
【００２５】
凹部の平面形状は、例えば円形であり、その場合の直径は、例えば１ｍｍ程度とすることができる。凹部の深さは、例えば、０．５ｍｍ程度とすることができる。但し、凹部の平面形状は、円形には限定されず、楕円形や多角形等の任意の形状として構わない。低熱伝導部１６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に形成されている。低熱伝導部１６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に、複数個形成してもよい。低熱伝導部１６の有する特有の効果については、後述する。
【００２６】
半導体素子１１、接合部１２、放熱板１３、接合部１４、ブロック電極１５、低熱伝導部１６、接合部１７、及び放熱板１８は、封止樹脂１９により封止されている。封止樹脂１９としては、例えば、エポキシ系絶縁樹脂等を用いることができる。封止樹脂１９は、フィラーを含有しても構わない。
【００２７】
但し、放熱板１３の下面（放熱面）及び放熱板１８の上面（放熱面）は、半導体素子１１が動作時に発する熱を、半導体装置１０の外部に放出するため、封止樹脂１９から露出している。又、放熱板１３の側面の一部及び放熱板１８の側面の一部は突出しており、封止樹脂１９から露出している（図示せず）。封止樹脂１９から露出している放熱板１３及び１８の側面の突出部（図示せず）は、外部接続端子として機能する。
【００２８】
ここで、比較例を示しながら、低熱伝導部１６の有する特有の効果について説明する。図２は、比較例に係る半導体装置を例示する断面図である。図２（ａ）は断面図であり、図２（ｂ）は半導体素子の動作時の温度の一例を示す図である。
【００２９】
図２を参照するに、比較例に係る半導体装置１０ｘは、低熱伝導部１６が形成されていない点を除いて、第１の実施の形態に係る半導体装置１０と同様の構造である。半導体装置１０ｘにおいて、ブロック電極１５の平面形状は半導体素子１１のサイズよりも小さいので、半導体素子１１の外縁部（ブロック電極１５と接していない部分）では放熱性能が低い。
【００３０】
このため、図２（ｂ）に示すように、温度検出素子１１ａが配置されている半導体素子１１の中央部の温度よりも半導体素子１１の外縁部の温度が高くなる場合がある。この場合、温度検出素子１１ａの検出した半導体素子１１の中央部の温度を補正して、半導体素子１１の外縁部の温度を推定する必要があり、温度検出の精度が低下する虞がある。
【００３１】
なお、ブロック電極１５の平面形状が半導体素子１１のサイズよりも小さい理由は、ブロック電極１５は半導体素子１１の上面に露出するエミッタ電極に接合されるが、エミッタ電極は半導体素子１１の上面外縁部には形成されていないためである。
【００３２】
このように、ブロック電極１５の平面形状が半導体素子１１のサイズよりも小さいため、半導体素子１１の外縁部の放熱性能が低下するが、これ以外にも、以下の要因により、半導体素子１１の放熱性能が部分的に低下する虞がある。
【００３３】
すなわち、第１に、接合部１２や１４にボイドが存在すると、ボイドが存在する領域の放熱性能が低下するため、ボイドが存在する領域に対応する部分の半導体素子１１の温度が上昇する虞がある。
【００３４】
第２に、ブロック電極１５が半導体素子１１の上面のエミッタ電極（図示せず）に対してずれて実装されると、接合部１４を介してブロック電極１５と接していない部分のエミッタ電極（図示せず）での放熱性能が低下し、半導体素子１１の外縁部の温度が上昇する虞がある。
【００３５】
第３に、半導体装置１０ｘが半導体素子１１に加えて他の半導体素子を有する場合、半導体装置１０ｘのサイズを小さくするために、半導体素子１１と他の半導体素子との間隔が狭く設定される場合が多い。このような場合に、半導体素子１１及び他の半導体素子がそれぞれ発熱し、両者の熱干渉により、半導体素子１１及び他の半導体素子のそれぞれの外縁部の温度が上昇する虞がある。
【００３６】
一方、第１の実施の形態に係る半導体装置１０では、ブロック電極１５の下面側に低熱伝導部１６が設けられている。低熱伝導部１６を構成する材料（接合部１４の材料）には、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い材料が選定される。このため、低熱伝導部１６の部分の放熱性能は、その周辺のブロック電極１５の放熱性能よりも低下する。
【００３７】
その結果、図３に示すように、低熱伝導部１６の部分の温度を、意図的に周辺部の温度よりも高くすることができる。つまり、前述のような要因により、半導体素子１１の温度が部分的に高くなる領域が存在しても、低熱伝導部１６の部分の温度を更に高くすることが可能となり、低熱伝導部１６の部分を半導体素子１１の最高温部とすることができる。
【００３８】
ところで、前述のように、低熱伝導部１６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に形成されているため、温度検出素子１１ａは半導体素子１１の最高温部の温度を直接測定可能となる。
【００３９】
つまり、比較例に係る半導体素子１０ｘのように、温度検出素子１１ａの検出した温度を補正して半導体素子１１の最高温部の温度（例えば、半導体素子１１の外縁部の温度）を推定する必要がないため、半導体素子１１の温度検出の精度を向上できる。又、半導体素子１１の温度検出の精度を向上できる結果、温度検出素子１１ａの検出結果に基づいて、半導体素子１１の電流制御の精度も向上できる。
【００４０】
なお、低熱伝導部１６の部分は、常に半導体素子１１の最高温部となるため、低熱伝導部１６を構成するはんだ材料にストレスがかかるが、低熱伝導部１６の部分のはんだ材料は厚いため、さほど大きな歪は発生せず、はんだ材料の寿命が低下する虞は少ない。
【００４１】
なお、半導体装置１０では、ブロック電極１５の下面側に低熱伝導部１６が設けられているが、ブロック電極１５の上面側に低熱伝導部１６を設けた場合にも、同様の効果を奏する。又、ブロック電極１５の上面側及び下面側に、それぞれ低熱伝導部１６を設けた場合にも、同様の効果を奏する。
【００４２】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、下側の放熱板に低熱伝導部を設ける例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００４３】
図４は、第２の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図４を参照するに、半導体装置２０は、低熱伝導部１６が低熱伝導部２６に置換された点が半導体装置１０（図１参照）と相違する。つまり、半導体装置１０では、ブロック電極１５の下面に低熱伝導部１６が設けられていたが、半導体装置２０では、放熱板１３の上面に低熱伝導部２６が設けられている。
【００４４】
低熱伝導部２６は、放熱板１３の上面に設けられた凹部に接合部１２を構成する材料が充填された構造である。低熱伝導部２６に充填される材料（接合部１２を構成する材料）は、放熱板１３を構成する材料よりも熱伝導率が低い。
【００４５】
凹部の平面形状は、例えば円形であり、その場合の直径は、例えば１ｍｍ程度とすることができる。凹部の深さは、例えば、０．５ｍｍ程度とすることができる。但し、凹部の平面形状は、円形には限定されず、楕円形や多角形等の任意の形状として構わない。低熱伝導部２６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に形成されている。低熱伝導部２６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に、複数個形成してもよい。
【００４６】
低熱伝導部２６を構成する材料（接合部１２の材料）には、放熱板１３を構成する材料よりも熱伝導率が低い材料が選定される。このため、低熱伝導部２６の部分の放熱性能は、その周辺の放熱板１３の放熱性能よりも低下する。その結果、図３と同様に、低熱伝導部２６の部分の温度を、意図的に周辺部の温度よりも高くすることができる。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、ブロック電極を貫通する低熱伝導部を設ける例を示す。なお、第３の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００４７】
図５は、第３の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図５を参照するに、半導体装置３０は、低熱伝導部１６が低熱伝導部３６に置換された点が半導体装置１０（図１参照）と相違する。つまり、半導体装置１０では、ブロック電極１５の下面に低熱伝導部１６が設けられていたが、半導体装置３０では、ブロック電極１５を貫通する低熱伝導部３６が設けられている。
【００４８】
低熱伝導部３６は、ブロック電極１５を厚さ方向に貫通する貫通孔に接合部１４を構成する材料が充填された構造である。但し、接合部１４を構成する材料に代えて、接合部１７を構成する材料を充填してもよい。低熱伝導部３６に充填される材料（接合部１４又は１７を構成する材料）は、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い。
【００４９】
貫通孔の平面形状は、例えば円形であり、その場合の直径は、例えば１ｍｍ程度とすることができる。貫通孔の深さ（ブロック電極の厚さ）は、例えば、１ｍｍ程度とすることができる。但し、貫通孔の平面形状は、円形には限定されず、楕円形や多角形等の任意の形状として構わない。低熱伝導部３６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に形成されている。低熱伝導部３６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に、複数個形成してもよい。
【００５０】
低熱伝導部３６を構成する材料（接合部１４又は１７の材料）には、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い材料が選定される。このため、低熱伝導部３６の部分の放熱性能は、その周辺のブロック電極１５の放熱性能よりも低下する。その結果、図３と同様に、低熱伝導部３６の部分の温度を、意図的に周辺部の温度よりも高くすることができる。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００５１】
〈第４の実施の形態〉
第４の実施の形態では、半導体素子とブロック電極との間に低熱伝導部を挟み込む例を示す。なお、第４の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００５２】
図６は、第４の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図６を参照するに、半導体装置４０は、低熱伝導部１６が低熱伝導部４６に置換された点が半導体装置１０（図１参照）と相違する。つまり、半導体装置１０では、ブロック電極１５の下面に低熱伝導部１６が設けられていたが、半導体装置４０では、半導体素子１１とブロック電極１５との間に低熱伝導部４６が挟み込まれている。
【００５３】
低熱伝導部４６は、半導体素子１１やブロック電極１５とは別の部材であり、低熱伝導部４６の側面は接合部１４と接している。低熱伝導部４６は、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い。なお、半導体素子１１と低熱伝導部４６との間、ブロック電極１５と低熱伝導部４６との間の何れか一方又は双方に接合部１４が入り込んでもよい。
【００５４】
低熱伝導部４６の平面形状は、例えば円形であり、その場合の直径は、例えば１ｍｍ程度とすることができる。低熱伝導部４６の厚さは、例えば、０．２ｍｍ程度とすることができる。但し、低熱伝導部４６の平面形状は、円形には限定されず、楕円形や多角形等の任意の形状として構わない。低熱伝導部４６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に形成されている。低熱伝導部４６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に、複数個形成してもよい。
【００５５】
低熱伝導部４６を構成する材料には、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い材料が選定される。低熱伝導部４６を構成する材料としては、例えば、エポキシ系樹脂等を用いることができる。但し、低熱伝導部４６を構成する材料としては、接合部１４を溶融させる温度（例えば、２６０~２８０℃程度）に耐え得る材料を選定する必要がある。
【００５６】
低熱伝導部４６を構成する材料には、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い材料が選定されているため、低熱伝導部４６の部分の放熱性能は、その周辺のブロック電極１５の放熱性能よりも低下する。その結果、図３と同様に、低熱伝導部４６の部分の温度を、意図的に周辺部の温度よりも高くすることができる。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００５７】
なお、半導体装置４０では、低熱伝導部４６が半導体素子１１とブロック電極１５との間に挟み込まれ、低熱伝導部４６の側面が接合部１４と接する構造であるが、低熱伝導部４６が半導体素子１１と放熱板１３との間に挟み込まれ、低熱伝導部４６の側面が接合部１２と接する構造としても同様の効果を奏する。又、半導体素子１１とブロック電極１５との間及び半導体素子１１と放熱板１３との間に、それぞれ低熱伝導部４６を設けた場合にも、同様の効果を奏する。
【００５８】
以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００５９】
例えば、各実施の形態では、半導体素子を１個備えた半導体装置を例示したが、半導体装置に含まれる半導体素子は２個以上でもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１０、２０、３０、４０ 半導体装置
１１ 半導体素子
１１ａ 温度検出素子
１２、１４、１７ 接合部
１３、１８ 放熱板
１５ ブロック電極
１６、２６、３６、４６ 低熱伝導部
１８ｘ 凹部
１９ 封止樹脂
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の温度を検出する温度検出素子を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の温度を検出する温度検出素子を備えた半導体装置が知られている。例えば、パワー半導体素子であるＩＧＢＴの表面中央部及び表面周辺部の２箇所にダイオードを取り付けてそれらの温度を検出し、温度勾配監視手段が表面中央部の温度と表面周辺部の温度との温度勾配（温度差）を監視する半導体装置が知られている。
【０００３】
この半導体装置では、動作状態検出手段がＩＧＢＴの動作状態、すなわち、オン状態かオフ状態かを検出し、素子電流検出手段がＩＧＢＴの大電流動作を検出する。そして、寿命推定手段は、動作状態検出手段がＩＧＢＴのオン状態を検出し、素子電流検出手段がＩＧＢＴの大電流動作を検出しているときだけ、温度勾配監視手段の監視結果に基づいた寿命の推定を行う。これにより、寿命推定時に、他のパワー半導体素子からの熱の影響による誤認識を防止している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０２３５６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記半導体装置では、２つのダイオードを用いて温度検出しているが、半導体素子の温度は場所により異なるため、半導体素子の最高温部の温度を正しく測定できるとは限らない。半導体素子の最高温部の温度を正しく測定できないと、寿命推定の精度が低下する虞がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、半導体素子の最高温部の温度を測定可能な半導体装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、前記半導体素子の一方の面に第１の接合部を介して接合される放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第２の接合部を介して接合される金属板と、を有し、前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けたことを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、半導体素子の最高温部の温度を測定可能な半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。
【図２】比較例に係る半導体装置を例示する断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体装置において、半導体素子の動作時の温度の一例を示す図である。
【図４】第２の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。
【図５】第３の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。
【図６】第４の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１１】
〈第１の実施の形態〉
図１は、第１の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図１を参照するに、半導体装置１０は、大略すると、半導体素子１１と、接合部１２と、放熱板１３と、接合部１４と、ブロック電極１５と、低熱伝導部１６と、接合部１７と、放熱板１８と、封止樹脂１９とを有する。
【００１２】
半導体装置１０において、半導体素子１１は、例えば、車両に搭載されるインバータ回路や昇降圧コンバータ回路の一部を構成する部品である。より詳しくは、半導体素子１１は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated gate bipolar transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal oxide semiconductor field‐effect transistor）のようなスイッチング素子である。又、半導体素子１１は、例えば、ＩＧＢＴと、ＩＧＢＴのエミッタとコレクタとの間に接続される還流用のダイオードを含んだ素子等であってもよい。
【００１３】
以降、半導体素子１１がＩＧＢＴである場合を例に説明を行う。又、搭載状態に応じて上下方向が異なるが、便宜上、放熱板１３側を下方として説明を行う。従って、半導体装置１０を図１のように視た場合の各構成部品の上側の面を上面、下側の面を下面という（他の実施の形態についても同様）。
【００１４】
半導体素子１１は、例えば、平面形状が矩形の薄板状とすることができる。半導体素子１１の下面（放熱板１３側の面）には、例えばコレクタ電極（図示せず）が露出している。半導体素子１１の下面に露出するコレクタ電極（図示せず）は、接合部１２を介して、放熱板１３の上面に接合されている。なお、接合部１２は、本発明に係る第１の接合部の代表的な一例である。
【００１５】
半導体素子１１の上面（放熱板１８側の面）には、例えばエミッタ電極（図示せず）が露出している。半導体素子１１の上面に露出するエミッタ電極（図示せず）は、接合部１４を介して、ブロック電極１５の下面に接合されている。なお、接合部１４は、本発明に係る第２の接合部の代表的な一例である。
【００１６】
又、半導体素子１１の上面に露出するゲート電極（図示せず）は、金や銅等からなる導電性の細線であるボンディングワイヤ（図示せず）を介して、配線部材（図示せず）に接合されている。配線部材（図示せず）は、例えば、放熱板１３と共に１つのリードフレームから形成されており、一端が封止樹脂１９から露出している。封止樹脂１９から露出している配線部材の一端（図示せず）は、外部接続端子として機能する。
【００１７】
平面視において、半導体素子１１の上面側の中央部には、半導体素子１１と接するように温度検出素子１１ａが設けられている。温度検出素子１１ａは、例えば、ダイオードであり、半導体素子１１の温度を検出する機能を有する。但し、温度検出素子１１ａは、半導体素子１１に内蔵されてもよいし、半導体素子１１の上面又は下面に設けられてもよい。
【００１８】
放熱板１３及び１８は、半導体素子１１等を介して、互いに対向するように配置されている。放熱板１３及び１８は、半導体素子１１が動作時に発する熱を、半導体装置１０の外部に放出する機能を有する。放熱板１３及び１８の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金、アルミニウム（Ａｌ）等の熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属を用いることができる。放熱板１３及び１８のそれぞれの厚さは、例えば、２ｍｍ程度とすることができる。
【００１９】
放熱板１８の下面側には、凹部１８ｘが形成されている。凹部１８ｘは、ブロック電極１５と放熱板１８とを接合部１７を介して接合する際に、溶融した接合部１７が放熱板１８の下面に必要以上に濡れ広がらないように形成されている。つまり、溶融した接合部１７のうち余剰な部分は、凹部１８ｘに収容される。
【００２０】
接合部１２、１４、及び１７としては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ等のはんだ材料を用いることができる。接合部１２、１４、及び１７として、例えば、銀（Ａｇ）ペースト等を用いても構わない。
【００２１】
なお、接合部１２、１４、及び１７は、必ずしも同一材料を用いなくてもよい。例えば、半導体装置１０の製造工程上、最初に溶融する接合部よりも後に溶融する接合部に、より低融点のはんだ材料を用いてもよい。例えば、半導体装置１０の製造工程上、最初に溶融する接合部にはＳｎ−Ａｇ（融点２２０℃程度）を用い、後に溶融する接合部にはＳｎ−Ａｇよりも低融点であるＳｎ−Ｂｉ（融点１３９℃程度）を用いることができる。
【００２２】
なお、接合部１２、１４、及び１７のそれぞれの厚さは、例えば、０．２ｍｍ程度であるため、これらのみによりボンディングワイヤ（図示せず）等を配置する高さを確保することは困難である。そのため、ボンディングワイヤ（図示せず）等を配置する高さを確保するためのスペーサとしての機能を有するブロック電極１５が配置されている。
【００２３】
ブロック電極１５の上面は、接合部１７を介して、放熱板１８の下面に接合されている。ブロック電極１５の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金、アルミニウム（Ａｌ）等の熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属を用いることができる。ブロック電極１５の厚さは、例えば、１ｍｍ程度とすることができる。なお、ブロック電極１５は、本発明に係る金属板の代表的な一例である。
【００２４】
ブロック電極１５の下面側には、低熱伝導部１６が設けられている。低熱伝導部１６は、ブロック電極１５の下面に設けられた凹部に接合部１４を構成する材料が充填された構造である。低熱伝導部１６に充填される材料（接合部１４を構成する材料）は、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い。
【００２５】
凹部の平面形状は、例えば円形であり、その場合の直径は、例えば１ｍｍ程度とすることができる。凹部の深さは、例えば、０．５ｍｍ程度とすることができる。但し、凹部の平面形状は、円形には限定されず、楕円形や多角形等の任意の形状として構わない。低熱伝導部１６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に形成されている。低熱伝導部１６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に、複数個形成してもよい。低熱伝導部１６の有する特有の効果については、後述する。
【００２６】
半導体素子１１、接合部１２、放熱板１３、接合部１４、ブロック電極１５、低熱伝導部１６、接合部１７、及び放熱板１８は、封止樹脂１９により封止されている。封止樹脂１９としては、例えば、エポキシ系絶縁樹脂等を用いることができる。封止樹脂１９は、フィラーを含有しても構わない。
【００２７】
但し、放熱板１３の下面（放熱面）及び放熱板１８の上面（放熱面）は、半導体素子１１が動作時に発する熱を、半導体装置１０の外部に放出するため、封止樹脂１９から露出している。又、放熱板１３の側面の一部及び放熱板１８の側面の一部は突出しており、封止樹脂１９から露出している（図示せず）。封止樹脂１９から露出している放熱板１３及び１８の側面の突出部（図示せず）は、外部接続端子として機能する。
【００２８】
ここで、比較例を示しながら、低熱伝導部１６の有する特有の効果について説明する。図２は、比較例に係る半導体装置を例示する断面図である。図２（ａ）は断面図であり、図２（ｂ）は半導体素子の動作時の温度の一例を示す図である。
【００２９】
図２を参照するに、比較例に係る半導体装置１０ｘは、低熱伝導部１６が形成されていない点を除いて、第１の実施の形態に係る半導体装置１０と同様の構造である。半導体装置１０ｘにおいて、ブロック電極１５の平面形状は半導体素子１１のサイズよりも小さいので、半導体素子１１の外縁部（ブロック電極１５と接していない部分）では放熱性能が低い。
【００３０】
このため、図２（ｂ）に示すように、温度検出素子１１ａが配置されている半導体素子１１の中央部の温度よりも半導体素子１１の外縁部の温度が高くなる場合がある。この場合、温度検出素子１１ａの検出した半導体素子１１の中央部の温度を補正して、半導体素子１１の外縁部の温度を推定する必要があり、温度検出の精度が低下する虞がある。
【００３１】
なお、ブロック電極１５の平面形状が半導体素子１１のサイズよりも小さい理由は、ブロック電極１５は半導体素子１１の上面に露出するエミッタ電極に接合されるが、エミッタ電極は半導体素子１１の上面外縁部には形成されていないためである。
【００３２】
このように、ブロック電極１５の平面形状が半導体素子１１のサイズよりも小さいため、半導体素子１１の外縁部の放熱性能が低下するが、これ以外にも、以下の要因により、半導体素子１１の放熱性能が部分的に低下する虞がある。
【００３３】
すなわち、第１に、接合部１２や１４にボイドが存在すると、ボイドが存在する領域の放熱性能が低下するため、ボイドが存在する領域に対応する部分の半導体素子１１の温度が上昇する虞がある。
【００３４】
第２に、ブロック電極１５が半導体素子１１の上面のエミッタ電極（図示せず）に対してずれて実装されると、接合部１４を介してブロック電極１５と接していない部分のエミッタ電極（図示せず）での放熱性能が低下し、半導体素子１１の外縁部の温度が上昇する虞がある。
【００３５】
第３に、半導体装置１０ｘが半導体素子１１に加えて他の半導体素子を有する場合、半導体装置１０ｘのサイズを小さくするために、半導体素子１１と他の半導体素子との間隔が狭く設定される場合が多い。このような場合に、半導体素子１１及び他の半導体素子がそれぞれ発熱し、両者の熱干渉により、半導体素子１１及び他の半導体素子のそれぞれの外縁部の温度が上昇する虞がある。
【００３６】
一方、第１の実施の形態に係る半導体装置１０では、ブロック電極１５の下面側に低熱伝導部１６が設けられている。低熱伝導部１６を構成する材料（接合部１４の材料）には、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い材料が選定される。このため、低熱伝導部１６の部分の放熱性能は、その周辺のブロック電極１５の放熱性能よりも低下する。
【００３７】
その結果、図３に示すように、低熱伝導部１６の部分の温度を、意図的に周辺部の温度よりも高くすることができる。つまり、前述のような要因により、半導体素子１１の温度が部分的に高くなる領域が存在しても、低熱伝導部１６の部分の温度を更に高くすることが可能となり、低熱伝導部１６の部分を半導体素子１１の最高温部とすることができる。
【００３８】
ところで、前述のように、低熱伝導部１６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に形成されているため、温度検出素子１１ａは半導体素子１１の最高温部の温度を直接測定可能となる。
【００３９】
つまり、比較例に係る半導体素子１０ｘのように、温度検出素子１１ａの検出した温度を補正して半導体素子１１の最高温部の温度（例えば、半導体素子１１の外縁部の温度）を推定する必要がないため、半導体素子１１の温度検出の精度を向上できる。又、半導体素子１１の温度検出の精度を向上できる結果、温度検出素子１１ａの検出結果に基づいて、半導体素子１１の電流制御の精度も向上できる。
【００４０】
なお、低熱伝導部１６の部分は、常に半導体素子１１の最高温部となるため、低熱伝導部１６を構成するはんだ材料にストレスがかかるが、低熱伝導部１６の部分のはんだ材料は厚いため、さほど大きな歪は発生せず、はんだ材料の寿命が低下する虞は少ない。
【００４１】
なお、半導体装置１０では、ブロック電極１５の下面側に低熱伝導部１６が設けられているが、ブロック電極１５の上面側に低熱伝導部１６を設けた場合にも、同様の効果を奏する。又、ブロック電極１５の上面側及び下面側に、それぞれ低熱伝導部１６を設けた場合にも、同様の効果を奏する。
【００４２】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、下側の放熱板に低熱伝導部を設ける例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００４３】
図４は、第２の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図４を参照するに、半導体装置２０は、低熱伝導部１６が低熱伝導部２６に置換された点が半導体装置１０（図１参照）と相違する。つまり、半導体装置１０では、ブロック電極１５の下面に低熱伝導部１６が設けられていたが、半導体装置２０では、放熱板１３の上面に低熱伝導部２６が設けられている。
【００４４】
低熱伝導部２６は、放熱板１３の上面に設けられた凹部に接合部１２を構成する材料が充填された構造である。低熱伝導部２６に充填される材料（接合部１２を構成する材料）は、放熱板１３を構成する材料よりも熱伝導率が低い。
【００４５】
凹部の平面形状は、例えば円形であり、その場合の直径は、例えば１ｍｍ程度とすることができる。凹部の深さは、例えば、０．５ｍｍ程度とすることができる。但し、凹部の平面形状は、円形には限定されず、楕円形や多角形等の任意の形状として構わない。低熱伝導部２６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に形成されている。低熱伝導部２６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に、複数個形成してもよい。
【００４６】
低熱伝導部２６を構成する材料（接合部１２の材料）には、放熱板１３を構成する材料よりも熱伝導率が低い材料が選定される。このため、低熱伝導部２６の部分の放熱性能は、その周辺の放熱板１３の放熱性能よりも低下する。その結果、図３と同様に、低熱伝導部２６の部分の温度を、意図的に周辺部の温度よりも高くすることができる。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、ブロック電極を貫通する低熱伝導部を設ける例を示す。なお、第３の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００４７】
図５は、第３の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図５を参照するに、半導体装置３０は、低熱伝導部１６が低熱伝導部３６に置換された点が半導体装置１０（図１参照）と相違する。つまり、半導体装置１０では、ブロック電極１５の下面に低熱伝導部１６が設けられていたが、半導体装置３０では、ブロック電極１５を貫通する低熱伝導部３６が設けられている。
【００４８】
低熱伝導部３６は、ブロック電極１５を厚さ方向に貫通する貫通孔に接合部１４を構成する材料が充填された構造である。但し、接合部１４を構成する材料に代えて、接合部１７を構成する材料を充填してもよい。低熱伝導部３６に充填される材料（接合部１４又は１７を構成する材料）は、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い。
【００４９】
貫通孔の平面形状は、例えば円形であり、その場合の直径は、例えば１ｍｍ程度とすることができる。貫通孔の深さ（ブロック電極の厚さ）は、例えば、１ｍｍ程度とすることができる。但し、貫通孔の平面形状は、円形には限定されず、楕円形や多角形等の任意の形状として構わない。低熱伝導部３６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に形成されている。低熱伝導部３６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に、複数個形成してもよい。
【００５０】
低熱伝導部３６を構成する材料（接合部１４又は１７の材料）には、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い材料が選定される。このため、低熱伝導部３６の部分の放熱性能は、その周辺のブロック電極１５の放熱性能よりも低下する。その結果、図３と同様に、低熱伝導部３６の部分の温度を、意図的に周辺部の温度よりも高くすることができる。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００５１】
〈第４の実施の形態〉
第４の実施の形態では、半導体素子とブロック電極との間に低熱伝導部を挟み込む例を示す。なお、第４の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００５２】
図６は、第４の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図６を参照するに、半導体装置４０は、低熱伝導部１６が低熱伝導部４６に置換された点が半導体装置１０（図１参照）と相違する。つまり、半導体装置１０では、ブロック電極１５の下面に低熱伝導部１６が設けられていたが、半導体装置４０では、半導体素子１１とブロック電極１５との間に低熱伝導部４６が挟み込まれている。
【００５３】
低熱伝導部４６は、半導体素子１１やブロック電極１５とは別の部材であり、低熱伝導部４６の側面は接合部１４と接している。低熱伝導部４６は、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い。なお、半導体素子１１と低熱伝導部４６との間、ブロック電極１５と低熱伝導部４６との間の何れか一方又は双方に接合部１４が入り込んでもよい。
【００５４】
低熱伝導部４６の平面形状は、例えば円形であり、その場合の直径は、例えば１ｍｍ程度とすることができる。低熱伝導部４６の厚さは、例えば、０．２ｍｍ程度とすることができる。但し、低熱伝導部４６の平面形状は、円形には限定されず、楕円形や多角形等の任意の形状として構わない。低熱伝導部４６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に形成されている。低熱伝導部４６は、平面視において、温度検出素子１１ａと重複する位置に、複数個形成してもよい。
【００５５】
低熱伝導部４６を構成する材料には、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い材料が選定される。低熱伝導部４６を構成する材料としては、例えば、エポキシ系樹脂等を用いることができる。但し、低熱伝導部４６を構成する材料としては、接合部１４を溶融させる温度（例えば、２６０~２８０℃程度）に耐え得る材料を選定する必要がある。
【００５６】
低熱伝導部４６を構成する材料には、ブロック電極１５を構成する材料よりも熱伝導率が低い材料が選定されているため、低熱伝導部４６の部分の放熱性能は、その周辺のブロック電極１５の放熱性能よりも低下する。その結果、図３と同様に、低熱伝導部４６の部分の温度を、意図的に周辺部の温度よりも高くすることができる。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００５７】
なお、半導体装置４０では、低熱伝導部４６が半導体素子１１とブロック電極１５との間に挟み込まれ、低熱伝導部４６の側面が接合部１４と接する構造であるが、低熱伝導部４６が半導体素子１１と放熱板１３との間に挟み込まれ、低熱伝導部４６の側面が接合部１２と接する構造としても同様の効果を奏する。又、半導体素子１１とブロック電極１５との間及び半導体素子１１と放熱板１３との間に、それぞれ低熱伝導部４６を設けた場合にも、同様の効果を奏する。
【００５８】
以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００５９】
例えば、各実施の形態では、半導体素子を１個備えた半導体装置を例示したが、半導体装置に含まれる半導体素子は２個以上でもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１０、２０、３０、４０ 半導体装置
１１ 半導体素子
１１ａ 温度検出素子
１２、１４、１７ 接合部
１３、１８ 放熱板
１５ ブロック電極
１６、２６、３６、４６ 低熱伝導部
１８ｘ 凹部
１９ 封止樹脂
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、
前記半導体素子の一方の面に第１の接合部を介して接合される放熱板と、
前記半導体素子の他方の面に第２の接合部を介して接合される金属板と、を有し、
前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けた半導体装置。
【請求項２】
前記低熱伝導部は、前記金属板の前記第２の接合部側の面に設けられた凹部に前記第２の接合部を構成する材料が充填された構造である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記低熱伝導部は、前記放熱板の前記第１の接合部側の面に設けられた凹部に前記第１の接合部を構成する材料が充填された構造である請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記低熱伝導部は、前記金属板を厚さ方向に貫通する貫通孔に前記第２の接合部を構成する材料が充填された構造である請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記低熱伝導部は、前記半導体素子と前記金属板との間に挟み込まれ、側面が前記第２の接合部と接する構造である請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記低熱伝導部は、前記半導体素子と前記放熱板との間に挟み込まれ、側面が前記第１の接合部と接する構造である請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記温度検出素子は、平面視において、前記半導体素子の中央部に設けられている請求項１乃至６の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、
前記半導体素子の一方の面に第１の接合部を介して接合される放熱板と、
前記半導体素子の他方の面に第２の接合部を介して接合される金属板と、を有し、
前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けた半導体装置。
【請求項２】
前記低熱伝導部は、前記金属板の前記第２の接合部側の面に設けられた凹部に前記第２の接合部を構成する材料が充填された構造である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記低熱伝導部は、前記放熱板の前記第１の接合部側の面に設けられた凹部に前記第１の接合部を構成する材料が充填された構造である請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記低熱伝導部は、前記金属板を厚さ方向に貫通する貫通孔に前記第２の接合部を構成する材料が充填された構造である請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記低熱伝導部は、前記半導体素子と前記金属板との間に挟み込まれ、側面が前記第２の接合部と接する構造である請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記低熱伝導部は、前記半導体素子と前記放熱板との間に挟み込まれ、側面が前記第１の接合部と接する構造である請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記温度検出素子は、平面視において、前記半導体素子の中央部に設けられている請求項１乃至６の何れか一項記載の半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−１１３６３８（Ｐ２０１３−１１３６３８Ａ）
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５８１７２（Ｐ２０１１−２５８１７２）
【出願日】平成２３年１１月２５日（２０１１．１１．２５）
【出願人】（０００００３２０７）トヨタ自動車株式会社 (59,920)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２５日（２０１１．１１．２５）
【出願人】（０００００３２０７）トヨタ自動車株式会社 (59,920)
【Ｆターム（参考）】
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