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Fターム[5F136FA01]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 放熱部材の材料 (10,071) | 金属 (3,956)

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【課題】
金属マトリックス中に金属被覆ダイヤモンド粒子を含有してなる複合ヒートシンク材において、熱伝導性の改良されたヒートシンク材を提供すること。
【解決手段】
本発明のヒートシンク材は次の各工程を経て製造される:
1. 整粒されたダイヤモンド粒子の全表面に、パイロゾル法によって金属炭化物層を形成することによって被覆ダイヤモンド粒子を得る工程、
2. 前記被覆ダイヤモンド粒子とマトリックス金属材の粉末とを密に混合して混合粉とし、焼結反応容器内に充填する工程、
3. 前記混合粉を還元性雰囲気中で加熱することによって酸素を除去する工程
4. 前記反応容器をマトリックス金属材の融点以上の加熱温度及び100MPa以上の焼結圧力に供し、該金属材を溶融して被覆ダイヤモンド粒子間の空隙に流入・充填し、金属炭化物層を介してダイヤモンド粒子及び金属材を一体化させる工程。 (もっと読む)


【課題】半導体チップに備えられる回路や配線の設計に影響を与えることなく、半導体チップの表面側から、半導体チップからの発熱を効率良く放熱させることができる構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置2を、絶縁膜5と、配線6と、絶縁膜5の表面上に全面にわたって設けられた複数の第1電極7とを含む配線層8を備える半導体チップ2と、絶縁膜5の表面上の第1電極7が設けられていない領域に貼り付けられ、絶縁膜5よりも高い熱伝導率を有する高熱伝導部材15とを備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】ダイアタッチパッドや配線部等を構成する金属層が劣化し難い電子デバイスを提供することである。
【解決手段】本発明に係る電子デバイスは、セラミック製の基体2と電子素子1とを具え、基体2の表面21には金属層8が形成され、該金属層8の表面上に電子素子1が設置されることにより、該電子素子1と金属層8とが熱的又は電気的に接続されている。ここで、金属層8は、基体2の表面21の内、電子素子1によって覆われた領域R1の外周縁よりも内側の領域R2に形成されている。 (もっと読む)


【課題】固相拡散接合により、プロセス温度が低温化され、プロセス時間が短縮化され、かつフリップチップ構造の半導体装置提供する。
【解決手段】絶縁基板8と、絶縁基板8上に配置された信号配線電極12と、絶縁基板8上に若しくは絶縁基板8を貫通して配置されたパワー配線電極16と、絶縁基板8上にフリップチップに配置され、半導体基板26と、半導体基板26の表面上に配置されたソースパッド電極SPおよびゲートパッド電極GPと、半導体基板26の裏面上に配置されたドレインパッド電極36とを有する半導体デバイス10と、ゲートパッド電極GP上に配置されたゲートコネクタ18と、ソースパッド電極SP上に配置されたソースコネクタ20とを備え、ゲートコネクタ18とゲートパッド電極GPおよび信号配線電極12、ソースコネクタ20とソースパッド電極SPおよびパワー配線電極16は、固相拡散接合される半導体装置1。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能であると共に内蔵される電子部品のレイアウトの自由度を高めつつ、内蔵された電子部品の放熱特性の向上を図る。
【解決手段】部品内蔵基板実装体100は、部品内蔵基板1と、これが実装された実装基板2とからなる。部品内蔵基板1は、第1〜第4プリント配線基材10〜40を熱圧着により一括積層した構造を備える。第2プリント配線基材20の第2樹脂基材21に形成された開口部29内には電子部品90が内蔵されている。第4プリント配線基材40の実装面2a側にはバンプ49が形成されている。電子部品90の裏面91aに接続されたサーマルビア14及びサーマル配線13を介して、各層のサーマルビア及びサーマル配線を通り、バンプ49から実装基板2に電子部品90の熱が伝わって、実装基板2にて放熱される。 (もっと読む)


【課題】発熱体からの熱を効果的に放熱する電子機器を提供する。
【解決手段】発熱体24と、発熱体24に接する熱拡散板23と、熱拡散板23に接する放熱構造29を有する電子機器であって、放熱構造29は凸型グラファイト複合フィルム28であり、熱拡散板23の熱輸送能力が0.014W/K以上であり、凸型グラファイト複合フィルム28の断面における高さ28Bの方向の長さが断面の全長の20%以上であり、凸型グラファイト複合フィルム28の該凸型断面に垂直な方向が電子機器の高さ方向に設置されている。 (もっと読む)


【課題】より簡単な構成で、熱雑音の増大や信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素が配置されてなる画素アレイが形成される画素形成領域と、画素アレイから出力される電気信号に対する信号処理を行うロジック回路が形成されるロジック回路形成領域と、少なくとも一部がSi表面を同位体濃縮して形成されている基板とを備え、基板は、ロジック回路形成領域において発生した熱を、外装としてのパッケージに伝達するように設けられる。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 (もっと読む)


【課題】 被覆ベースプレートを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は基板(122)に結合された半導体チップと基板(122)に結合されたベースプレートとを含む。ベースプレートは、第2の金属層(106)に接合する第1の金属層(108)クラッドを含む。第2の金属層(106)はピン−フィンまたはフィンの冷却構造(112)を設けるように変形される。第2の金属層(106)はピンもピン−フィンも有しない副層(113)を有する。第1の金属層(108)は第1の厚さ(d108)を有し、副層(113)は第2の厚さ(d113)を有する。第1の厚さ(d108)と第2の厚さ(d113)の比は少なくとも4:1である。 (もっと読む)


【課題】簡単に放熱性に優れる発熱デバイスを製造することのできる発熱デバイスの製造方法、および、簡単な構成で放熱性に優れる発熱デバイスを提供すること。
放熱性に優れる発熱デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の発熱デバイスの製造方法は、ベース基板2の下面に凹部を形成することにより、ベース基板2にヒートシンク22を一体的に形成する第1の工程と、ベース基板2の上面に絶縁層3を介して導体パターン7を形成する第2の工程と、通電により発熱する発光体4を導体パターン7と電気的に接続するように絶縁層3上に配置する第3の工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】拡散をベースとする結合により結合された多部品出力構造体及びその形成方法を提供する。
【解決手段】電気自動車に用いるための多部品出力構造体を形成する方法であって、半導体ダイ110、第一の金属層124と第二の金属層126を有する絶縁性基板120、及び液体冷却用のサーマルデバイス150を準備すること、導電性及び熱伝導性である第一の一時的液相ボンドにより半導体ダイ110と第一の金属層124を結合させること、第二の金属層126とサーマルデバイス150の間に母材系を固定すること、ここでこの母材系は比較的融点の低い低温材料と比較的融点の高い高温材料を含み、この比較的低い融点は比較的高い融点よりも低い、母材系を比較的低い融点よりも高く、比較的高い融点よりも低い融点に加熱して低温材料を高温材料中に拡散させること、母材系を固化させて導電性及び熱伝導性である第二の一時的液相ボンドを形成することを含む。 (もっと読む)


【課題】放熱性に優れる発熱デバイスを提供すること。
【解決手段】発熱デバイス1は、ベース基板2と、ベース基板2の上面側に設けられ、通電により発熱する発熱体4と、ベース基板2の下面側に設けられ、発熱体4から発生する熱を放熱する第1の放熱体8とを有している。第1の放熱体8は、互いに離間して設けられた複数のフィン812を有する本体81と、樹脂材料を主材料として構成され、複数のフォン812により形成される凹凸83を埋めるように設けられた樹脂部82とを有している。 (もっと読む)


【課題】ヒートシンククーラによって冷却される発熱体とは別の発熱体を効率的に冷却する。
【解決手段】冷却ファン2と、冷却ファン2の下流側に設けられているとともに第一の伝熱管4と熱的に接続され、第一の伝熱管内を流れる熱媒体と送風空気とを熱交換するヒートシンク本体部3と、冷却ファン2からヒートシンク本体部3へ至る流路の外側に設けられているとともに第一の伝熱管4に連通する第二の伝熱管5と熱的に接続され、第一の発熱体21からの熱を第二の伝熱管5内の熱媒体に熱伝導させる第一の熱伝導体6と、第一の熱伝導体6および第二の伝熱管5の少なくとも一方の方向へ冷却ファン2から送風空気を導く整流板9と、を有するヒートシンククーラ1。 (もっと読む)


【課題】QFNパッケージを、基板上にはんだ接続してなる電子装置において、はんだの厚さを厚く確保するのに適した新規な構成を提供する。
【解決手段】ヒートシンク接続ランド210における周辺部に、ソルダーレジスト230がオーバーラップしており、ヒートシンク接続ランド210におけるソルダーレジスト230よりも内側の部位に、はんだ300が存在しており、オーバーラップしたソルダーレジスト230を介して、モールドパッケージ100とヒートシンク接続ランド210とが接触することで、モールドパッケージ100と基板200との間におけるはんだ300の厚さが規定されている。 (もっと読む)


【課題】電気抵抗の低い貫通電極構造、または、放熱特性に優れた熱伝導路を有する電子機器用基板及びそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】基板1は、複数の貫通電極2及び柱状ヒートシンク3の少なくとも一方を有する。貫通電極2は、カーボンナノチューブを含有し、基板1に設けられたビア20を鋳型とする鋳込み成形体でなる。柱状ヒートシンク3は、基板に設けられたビア30を鋳型とする鋳込み成形体でなり、炭素原子構造体を含有する。 (もっと読む)


【課題】面内方向と厚さ方向の両方で高い熱伝導率をもつ放熱基板を得る。
【解決手段】第1の黒鉛層11と第2の黒鉛層12とが積層された構造が用いられる。第1の黒鉛層11において六角形環が広がる方向を水平方向とし、第2の黒鉛層12において六角形環が広がる方向を鉛直方向とする。この積層構造における第1の黒鉛層11側から、熱伝導率の高い金属をイオン注入する。これにより、第1の黒鉛層11は、第1の金属拡散層21となる。積層構造の全面に、DLC(Diamond Like Carbon)膜25を形成する。 (もっと読む)


【課題】熱伝導率と絶縁性とを両立させつつ、劣化に強く低コストの中間体を有し、発熱体の熱を効率的に放熱できる放熱ユニットを提供する。
【解決手段】本発明の放熱ユニット1は、発熱体2から伝導される熱を放出する放熱部5と、前記発熱体2からの熱を前記放熱部5に伝導する中間体4と、を備え、前記中間体4は、無機物粒子の相と、該無機物粒子の相の周囲に配せられる無機結合相を有し、前記無機結合相は、金属アルコキシドが加水分解および脱水重合されて形成される無機材質を含み、前記金属アルコキシドをなす金属元素は、Al、Mg,Si、Ti、Zr、Beの群から選択される1以上であり、前記中間体4は、前記放熱部5の表面に接合している。 (もっと読む)


【課題】包絡体積が小さく放熱量の大きいヒートシンクを提供する。
【解決手段】電子部品上に装着して電子部品の発熱を放熱するヒートシンク1において、平板状の底面部11a、12aと底面部11a、12aの両端を折曲して立設したフィン部11b、11c、12b、12cとを有した金属板から成る複数の放熱部材11、12を備え、対向するフィン部11b、11c、12b、12cの間隔が各放熱部材11、12で異なるともに、フィン部11b、11c間の間隔の大きい放熱部材11の底面部11a上にフィン部12b、12c間の間隔の小さい放熱部材12の底面部12aを順に重ねて一体に形成し、最も外側に配される放熱部材11の厚みを内側に配される放熱部材12よりも厚くした。 (もっと読む)


【課題】熱源の熱を効率よく伝導し、且つ、グラフェンシートが積層された構造体と異種部材との接合部分の強度を高め、しかも、容易に製造することが可能な異方性熱伝導素子を提供する。
【解決手段】グラファイト複合体11は、プレート状のグラファイト構造体20と、構造体20の両平面に接合された銅板24,25とにより構成されている。構造体20は、積層方向と交差する方向の厚みが薄く形成されている。銅板24,25は、チタンを含むインサート材35を構造体20との間に介在させた状態で、銅板24,25の外側から加圧され、真空環境及び所定の温度環境のもとで加圧加熱接合される。 (もっと読む)


【課題】プレス刃と拡幅溝の当たりを均一にでき、フィンと金属ベース間のフィンと金属ベース間の嵌合性が高く、金属ベースとフィンの接触熱抵抗の低い放熱器を製造することができる放熱器製造装置と半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属ベース4と放熱フィン5とを含み、金属ベースに設けられた凸部4aの上の溝4gを押し拡げることによって前記放熱フィンがその一端部で金属ベースに固定される放熱器を製造する放熱器製造装置であって、放熱フィンの側面に沿って移動して溝を押し拡げるプレス刃を備え、プレス刃を放熱フィンの側面に交差する方向に移動可能に設けた。 (もっと読む)


【課題】熱を効率良く放散することのできるパッケージキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁カバーを提供する。絶縁カバーは、互いに向かい合う内表面および外表面と、複数の開口と、収容空間とを有する。絶縁カバーの外表面にパターン化金属層を形成する。パターン化金属層の上に表面処理層を形成する。絶縁層の収容空間内に放熱素子を形成し、絶縁層に構造的に接続する。放熱素子の表面に導熱層を形成し、絶縁カバーの開口によって導熱層の一部を露出する。 (もっと読む)


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