【課題】絶縁基板と金属基板とを接合する接合部材および絶縁基板と放熱部材とを接合する接合部材の接合性を同時に良好に評価することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁基３体に埋設された、絶縁基体の温度を検出する複数の温度検出素子を備え、複数の温度検出素子が、金属基体５の上面に配設された半導体素子７の中心と上下に重なり合う部分に位置する第１の温度検出素子と、金属基体の外周縁と上下に重なり合う部分に位置する少なくとも１つの第２の温度検出素子とを有している。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現し、信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１の裏面は、第１の導電板２−１の一方の面と接合している。第１の導電板２−１の他方の面は、第１の配線基板３の回路パターン３ａと接合している。第１の導電板２−１の他方の面には突起部１１が設けられている。第１の配線基板３の回路パターン３ａには、第１の導電板２−１の突起部１１に対応する位置に凹部３ａ−１が設けられている。半導体チップ１のおもて面は、第２の導電板２−２の一方の面と接合している。第２の導電板２−２の他方の面は、第２の配線基板４の回路パターン４ａと接合している。第２の導電板２−２の他方の面には、突起部１２が設けられている。第２の配線基板４の回路パターン４ａには、第２の導電板２−２の突起部１２に対応する位置に凹部４ａ−４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】伝導ノイズ及び伝導ノイズをより低減しつつ、破損を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１６では、正極端子５０及び出力端子５４の少なくとも一方と第１スイッチング素子３４との間には導電性の第１熱緩衝材６４ａが配置されると共に、負極端子５２及び出力端子５４の少なくとも一方と第２スイッチング素子４０との間には導電性の第２熱緩衝材６４ｂが配置される。第１熱緩衝材６４ａの線膨張係数は、第１スイッチング素子３４の線膨張係数よりも大きく且つ正極端子５０又は出力端子５４の線膨張係数よりも小さく、第２熱緩衝材６４ｂの線膨張係数は、第２スイッチング素子４０の線膨張係数よりも大きく且つ負極端子５２又は出力端子５４の線膨張係数よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体モジュールを構成する部材に、熱膨張係数の異なる部材を用いて半田で接合した場合、温度上昇により半田にせん断応力が働いて半田に亀裂が生じ、熱抵抗が増大して端子の剥離や亀裂が生じる場合がある。
【解決手段】半導体チップを電極材や絶縁材を挟み込んで内部部品とし、その内部部品の上下面から突起部が設けられて板バネ特性を有する薄板を設ける。
この薄板と内部部品の側面をケースで被覆すると共に、冷却ブロックの内面側に冷却媒体の入出口と連通する流通用の溝を設け、この溝側を薄板の突起部側に向けて内部部品と一体的に形成してパワー半導体モジュールを構成する。 （もっと読む）

【課題】モールド樹脂の剥離を抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ２０と、一面１０ａを有すると共に一面１０ａに導電性部材搭載領域を有し、導電性部材搭載領域に半導体チップ２０が導電性部材３０を介して搭載される搭載部材１０と、搭載部材１０の少なくとも一部および半導体チップ２０を封止するモールド樹脂４０と、を有し、搭載部材１０の一面１０ａのうちモールド樹脂４０と接する部位が凹凸形状とされている半導体装置において、搭載部材１０のうちモールド樹脂４０と接する部位の表面に水酸化物１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属焼結体中に微細炭素繊維が粉砕されずに繊維の形状を維持したまま均一に分散した、発熱体の熱を効果的に放散することができる熱拡散材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属焼結体のマトリックス中に微細炭素繊維が均一に分散されてなる熱拡散材料、ならびに、（Ａ）微細炭素繊維の分散液を作製する工程、（Ｂ）前記金属焼結体を構成する金属材料からなる金属粒子の表面に有機系の官能基を導入する工程、（Ｃ）前記分散液に前記官能基が導入された金属粒子を添加し、前記金属粒子の表面に前記官能基を介して前記微細炭素繊維が吸着した複合粒子を作製する工程、および（Ｄ）前記複合粒子を焼結する工程を有する上記熱拡散材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】素子において発生する熱による熱膨張及び熱収縮を抑えることのできるメタルベース及びその製造方法、並びにこれを用いた素子パッケージを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの素子１０が実装されるメタルベース１１０であって、素子１０が実装される実装部が一方の面に形成される第１のベース部材１１１と、第１のベース部材１１１よりも小さい熱膨張係数を有し、第１のベース部材１１１の他方の面に貼着されて第１のベース部材１１１の熱収縮及び熱膨張を拘束する第２のベース部材１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を有し、かつ小型化・薄型化可能な電子デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０の上面にフリップチップ実装されたパワーアンプ２０と、絶縁性基板１０上に設けられ、パワーアンプ２０を封止し、パワーアンプ２０より高い熱伝導率を有する封止部材２２と、絶縁性基板１０を貫通し、封止部材２２と接触し、絶縁性基板１０より高い熱伝導率を有するビア配線１６ｃと、を具備する電子デバイスである。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを含む半導体装置であって、放熱性向上が図られた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、支持部材上方に、複数の半導体チップを並べて配置する工程と、支持部材上に配置された複数の半導体チップの少なくとも側面を覆って、第１熱伝導層を形成する工程と、複数の半導体チップの上方に、第１絶縁層を形成する工程とを有し、第１熱伝導層は、第１絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が発する熱を拡散させるため、絶縁基板の回路パターンを厚くすると、エッチングに時間を要するうえ、加工精度が良くなかった。少ない工数で製造が可能で安価かつ放熱性に優れた絶縁基板を提供する。
【解決手段】絶縁層上に形成された回路パターン上に、はんだシートを介して金属ブロックを載置し、あるいは、予め金属ブロックをはんだ接合し、この金属ブロックの上面および側面を覆い、金属材料を直接積層した上積み回路パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】発熱体を端子板に電気接続してなる半導体装置において、発熱体にかかる応力を緩和できるようにする。
【解決手段】導電性の端子板３と、該端子板３よりも薄い板状に形成されると共に、端子板３の厚さ方向に面する上面に接合される導電性の搭載板５と、該搭載板５に接合されることで搭載板５を介して端子板３に電気接続される発熱体６とを備え、搭載板５は、端子板３の上面に重ねて接合される積層板部５１と、端子板３の上面の周縁から外側に延びる延出板部５２とを有し、発熱体６は、延出板部５２の厚さ方向に面する両端面のいずれか一方に接合されている半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板にクラックや割れが発生することを防止して、電子部品から発生する熱の放散が良好な長期信頼性に優れた回路基板および電子装置を提供することにある。
【解決手段】回路基板10は、貫通孔を有する絶縁基板１と、該絶縁基板１の両面に貫通孔を塞ぐように取着されており電子部品20が搭載される金属板３と、貫通孔内に配置され絶縁基板１の両面に取着された金属板３に両端がそれぞれ接合された金属体５と、外面が貫通孔の内壁面にろう材層２を介して接合され内面が金属体５の側面に接合されており金属体５よりも小さい熱膨張係数を有する枠体６とを備えている。電子部品20から発生する熱を効率よく外部に放散し、絶縁基板１にクラックや割れが発生することを防止する。 （もっと読む）

【課題】回路基板において搭載部材に搭載される電子部品の実装信頼性を向上させること。
【解決手段】回路基板10は、絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に設けられたろう材層２と、ろう材層２によって絶縁基板１の上面に接合されており電子部品20が搭載される搭載部材３とを備えている。搭載部材３は、金属から成る第１の部材31と、第１の部材31よりも小さい熱膨張係数を有しているとともに平面視において第１の部材31の中心部を囲むように第１の部材内31に設けられた第２の部材32とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】安価であると共に、Ａｇのマイグレーションを防止する信頼性の高い高放熱型電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】平板状からなるヒートシンク板１２の上面に窓枠形状からなるセラミック枠体１３の一方の主面の全面と、セラミック枠体１３の他方の主面の所定面に１、又は複数の平板状からなる外部接続リード端子１５の先端部下面とが、それぞれの間に接合材層１４、１４ａを設けて接合される高放熱型電子部品収納用パッケージ１０であって、接合材層１４、１４ａが、ヒートシンク板１２、及び／又はセラミック枠体１３に、Ｃｕ金属粉末に無鉛ガラス粉末と溶剤を混合させたＣｕペーストで印刷して形成するＣｕメタライズ膜を設けた後、ヒートシンク板１２、セラミック枠体１３、及び外部接続リード端子１５を重ね合わせてＣｕメタライズ膜を焼成して設けられている。 （もっと読む）

【課題】絶縁性板材と、絶縁性板材の上面に積層固定される導電性板材と、導電性接着剤を介して導電性板材の上面に電気接続状態で積層固定され、通電により発熱する発熱体とを備える半導体装置において、絶縁性板材と導電性板材との熱膨張係数の差に基づく発熱体や導電性接着剤への応力集中を緩和し、半導体装置の品質低下を抑える。
【解決手段】絶縁性板材３の上面３ａ及びこれに対向する導電性板材４の下面４１ｂに、互いに噛み合う凹凸面３１，４４をそれぞれ形成し、これら凹凸面３１，４４同士を噛み合わせることで、絶縁性板材３の上面３ａ及び導電性板材４の下面４１ｂに沿う面方向への絶縁性板材３及び前記導電性板材４の相対移動を規制する。 （もっと読む）

【課題】 気密性を向上させることが可能な実装構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】 実装構造体１であって、放熱基板２と、放熱基板２上に低融点合金３を介して実装された電子部品４と、放熱基板２上に電子部品４を取り囲むように設けられ、低融点合金３よりも高融点の熱硬化性樹脂５を介して接合されたセラミック枠体６と、セラミック枠体６上に設けられ、セラミック枠体６の内外を電気的に接続する接続端子７と、セラミック枠体６上に設けられ、電子部品４を被覆するようにセラミック枠体６と重なる領域に設けられた蓋体８と、を備えている。セラミック枠体６内の気密性を向上させることが可能な実装構造体１となる。 （もっと読む）

【課題】放熱が良好で実装時の反りが小さい高周波半導体用パッケージおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】コンパウンド材からなる中間層と、中間層上に配置され、Ｃｕからなる熱伝導層とを有する導体ベースプレートを備える高周波半導体用パッケージおよびその作製方法。 （もっと読む）

【課題】良好な熱伝導性を有するとともに、熱膨張係数を電子部品等の熱膨張係数に近付けた放熱部材を用いた電子部品収納用パッケージを提供。
【解決手段】電子部品収納用パッケージおよび電子装置には、熱伝導率のよい第１金属層１１と、第１金属層１１より低熱膨張係数を有し厚さの薄い第２金属層１０とが交互に５層以上積層され、最下層および最上層には第１金属層１１ｃ，１１ｂが配されているとともに、内層に配される第１金属層１１ａの少なくとも１層の厚さが最下層および最上層に配される第１金属層１１ｃ，１１ｂの厚さよりも厚い放熱部材１が用いられている。また、第１金属層１１ａを挟んで上下に配された第２金属層１０の圧延方向が互いに直交するように配されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性および絶縁破壊強度の両方に優れた絶縁材、これを用いた金属ベース基板および半導体モジュール、並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁材は、エポキシ樹脂と、このエポキシ樹脂に分散された、１〜９９ｎｍの平均粒径を有する第１の無機フィラーと、０．１〜１００μｍの平均粒径を有する第２の無機フィラーとを含む。第１及び第２の無機フィラーは、互いに独立して、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＢＮ、ＡｌＮ及びＳｉ₃Ｎ₄からなる群から選択される少なくとも１つであり、絶縁材における第１及び第２の無機フィラーの配合割合は、それぞれ、０．１〜７重量％及び８０〜９５重量％である。この絶縁層１１の両面に、金属箔１２と金属ベース１３を形成し、金属ベース基板１０とすることができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導部材が半導体素子から剥離することを抑制可能な放熱用部品及びそれを備えた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】本放熱用部品は、基板上に実装された半導体素子上に、熱伝導部材を介して配置される放熱用部品であって、前記半導体素子に近い側に配置される第１層と、前記第１層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第２層と、を有し、前記第２層の熱膨張係数が、前記第１層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）