【課題】
金属マトリックス中に金属被覆ダイヤモンド粒子を含有してなる複合ヒートシンク材において、熱伝導性の改良されたヒートシンク材を提供すること。
【解決手段】
本発明のヒートシンク材は次の各工程を経て製造される：
1. 整粒されたダイヤモンド粒子の全表面に、パイロゾル法によって金属炭化物層を形成することによって被覆ダイヤモンド粒子を得る工程、
2. 前記被覆ダイヤモンド粒子とマトリックス金属材の粉末とを密に混合して混合粉とし、焼結反応容器内に充填する工程、
3. 前記混合粉を還元性雰囲気中で加熱することによって酸素を除去する工程
4. 前記反応容器をマトリックス金属材の融点以上の加熱温度及び100ＭＰa以上の焼結圧力に供し、該金属材を溶融して被覆ダイヤモンド粒子間の空隙に流入・充填し、金属炭化物層を介してダイヤモンド粒子及び金属材を一体化させる工程。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板と金属基板とを接合する接合部材および絶縁基板と放熱部材とを接合する接合部材の接合性を同時に良好に評価することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁基３体に埋設された、絶縁基体の温度を検出する複数の温度検出素子を備え、複数の温度検出素子が、金属基体５の上面に配設された半導体素子７の中心と上下に重なり合う部分に位置する第１の温度検出素子と、金属基体の外周縁と上下に重なり合う部分に位置する少なくとも１つの第２の温度検出素子とを有している。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現し、信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１の裏面は、第１の導電板２−１の一方の面と接合している。第１の導電板２−１の他方の面は、第１の配線基板３の回路パターン３ａと接合している。第１の導電板２−１の他方の面には突起部１１が設けられている。第１の配線基板３の回路パターン３ａには、第１の導電板２−１の突起部１１に対応する位置に凹部３ａ−１が設けられている。半導体チップ１のおもて面は、第２の導電板２−２の一方の面と接合している。第２の導電板２−２の他方の面は、第２の配線基板４の回路パターン４ａと接合している。第２の導電板２−２の他方の面には、突起部１２が設けられている。第２の配線基板４の回路パターン４ａには、第２の導電板２−２の突起部１２に対応する位置に凹部４ａ−４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】伝導ノイズ及び伝導ノイズをより低減しつつ、破損を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１６では、正極端子５０及び出力端子５４の少なくとも一方と第１スイッチング素子３４との間には導電性の第１熱緩衝材６４ａが配置されると共に、負極端子５２及び出力端子５４の少なくとも一方と第２スイッチング素子４０との間には導電性の第２熱緩衝材６４ｂが配置される。第１熱緩衝材６４ａの線膨張係数は、第１スイッチング素子３４の線膨張係数よりも大きく且つ正極端子５０又は出力端子５４の線膨張係数よりも小さく、第２熱緩衝材６４ｂの線膨張係数は、第２スイッチング素子４０の線膨張係数よりも大きく且つ負極端子５２又は出力端子５４の線膨張係数よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】優れた放熱性能を有し、製造コストの低いヒートシンク一体型の電力変換用パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】組立ての完了した半導体装置の金属ベース板と、ヒートシンクとの間に、はんだ板と熱源となる反応性金属箔を挿入して加圧し、反応性金属箔に電流を通電して発火させてはんだ板を溶融させ、室温下で瞬時に金属ベース板とヒートシンクを接合する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体モジュールを構成する部材に、熱膨張係数の異なる部材を用いて半田で接合した場合、温度上昇により半田にせん断応力が働いて半田に亀裂が生じ、熱抵抗が増大して端子の剥離や亀裂が生じる場合がある。
【解決手段】半導体チップを電極材や絶縁材を挟み込んで内部部品とし、その内部部品の上下面から突起部が設けられて板バネ特性を有する薄板を設ける。
この薄板と内部部品の側面をケースで被覆すると共に、冷却ブロックの内面側に冷却媒体の入出口と連通する流通用の溝を設け、この溝側を薄板の突起部側に向けて内部部品と一体的に形成してパワー半導体モジュールを構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを搭載するヒートシンクの一面のうち導電性部材接触領域と粗化領域との間に非粗化領域が形成されることを抑制する。
【解決手段】一面３０ａを有する第１ヒートシンク３０を用意すると共に、当該第１ヒートシンク３０に搭載される半導体チップ１０、２０を用意する。そして、第１ヒートシンク３０に第１導電性部材７０を介して半導体チップ１０、２０を搭載する。その後、半導体チップ１０、２０をマスクとして、半導体チップ１０、２０および第１ヒートシンク３０の一面３０ａを粗化する第１粗化処理工程を行う。 （もっと読む）

【課題】素子において発生する熱による熱膨張及び熱収縮を抑えることのできるメタルベース及びその製造方法、並びにこれを用いた素子パッケージを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの素子１０が実装されるメタルベース１１０であって、素子１０が実装される実装部が一方の面に形成される第１のベース部材１１１と、第１のベース部材１１１よりも小さい熱膨張係数を有し、第１のベース部材１１１の他方の面に貼着されて第１のベース部材１１１の熱収縮及び熱膨張を拘束する第２のベース部材１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】回路基板において搭載部材に搭載される電子部品の実装信頼性を向上させること。
【解決手段】回路基板10は、絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に設けられたろう材層２と、ろう材層２によって絶縁基板１の上面に接合されており電子部品20が搭載される搭載部材３とを備えている。搭載部材３は、金属から成る第１の部材31と、第１の部材31よりも小さい熱膨張係数を有しているとともに平面視において第１の部材31の中心部を囲むように第１の部材内31に設けられた第２の部材32とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 気密性を向上させることが可能な実装構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】 実装構造体１であって、放熱基板２と、放熱基板２上に低融点合金３を介して実装された電子部品４と、放熱基板２上に電子部品４を取り囲むように設けられ、低融点合金３よりも高融点の熱硬化性樹脂５を介して接合されたセラミック枠体６と、セラミック枠体６上に設けられ、セラミック枠体６の内外を電気的に接続する接続端子７と、セラミック枠体６上に設けられ、電子部品４を被覆するようにセラミック枠体６と重なる領域に設けられた蓋体８と、を備えている。セラミック枠体６内の気密性を向上させることが可能な実装構造体１となる。 （もっと読む）

【課題】放熱が良好で実装時の反りが小さい高周波半導体用パッケージおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】コンパウンド材からなる中間層と、中間層上に配置され、Ｃｕからなる熱伝導層とを有する導体ベースプレートを備える高周波半導体用パッケージおよびその作製方法。 （もっと読む）

【課題】組立、分解、又は整備時に冷却剤がエレクトロニクス上に漏れるのを防ぎ、冷却向上のため熱拡散効果の利用を可能にする改良型ヒートシンクを提供する。
【解決手段】ヒートシンク５０は、熱伝導性材料から形成された下方蓋１２、上方蓋１４、及び本体１６を含む。本体は、下方及び上方蓋の間に配設されて封着され、冷却剤を導入するように構成された入口マニホルド３０と、冷却剤を排出するように構成された出口マニホルド３２とを画成する。入口及び出口マニホルドは交互配置されると共に、円形又は螺旋状配列で配設され、ミリチャンネル３４が本体又は蓋に形成され、半径方向配列で配設され、冷却剤を入口マニホルドから導入すると共に、冷却剤を出口マニホルドに送給するように構成される。ミリチャンネル３４と入口及び出口マニホルドは、電子素子パッケージの上側及び下側接触面の一方を冷却するように構成される。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性基板の反りを抑制した高出力用半導体パッケージおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】ヒートシンク１１１上に配置され、高周波半導体装置２４を搭載する熱伝導性基板２００と、熱伝導性基板上に配置され、高周波半導体装置を囲む枠体１６と、枠体の上部開口を封止するキャップ１０と、枠体の外側の熱伝導性基板に対して垂直方向にヒートシンクまで貫通する複数のネジ穴５ａ〜５ｄと、ネジ穴開口部６ａ〜６ｄにおいて、枠体と反対方向の外側に形成されたテーパー状のネジ穴開口面７ａ〜７ｄと、複数のネジ穴に挿入されるネジ３０とを備え、ネジ穴にネジを挿入し、熱伝導性基板とヒートシンクの間を締め付けることによって、ネジ穴開口面にネジの頭部が接触し、テネジ穴開口面に垂直方向に圧力を加え、熱伝導性基板に外側方向に引っ張り応力を加えた高出力用半導体パッケージおよびその作製方法。 （もっと読む）

【課題】放熱性及び耐久性に優れた放熱シート及び該放熱シートの製造方法を提供すること。
【解決手段】熱伝導性材料及びバインダーを含有する熱伝導層と放熱性材料及びバインダーを含有する放熱層を有する放熱シートであって、該熱伝導層と該放熱層の間に、前記熱伝導層が含有する熱伝導性材料及びバインダーと前記放熱層が含有する放熱性材料及びバインダーとが混在した領域を有していることを特徴とする放熱シート。さらに、（１）少なくとも熱伝導性材料及びバインダーを溶剤と混合した熱伝導層形成用溶液と放熱性材料及びバインダーを溶剤と混合した放熱層形成用溶液とを積層する工程、（２）前記工程（１）で積層した溶液を基材上に転移させる工程、及び（３）基材上に転移された積層した溶液を乾燥する工程を有する、熱伝導層と放熱層を有する放熱シートの製造方法であって、前記工程（１）において、前記熱伝導層が含有する熱伝導性材料及びバインダーと前記放熱層が含有する放熱性材料及びバインダーを溶剤と混合した溶液であって、かつ該溶液の固形分濃度が、前記熱伝導層形成用溶液及び放熱層形成用溶液それぞれの固形分濃度よりも高い溶液を、前記熱伝導層形成用溶液と前記放熱層形成用溶液との間に挿入して積層する、放熱シートの製造方法。 （もっと読む）

【課題】モリブデンを高濃度で含有する銅合金からなるめっき膜を形成できるめっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき体上にモリブデンを含有する銅合金からなるめっき膜を形成するために用いられるものであり、銅イオン供給源とモリブデンイオン供給源とを含み、めっき浴中の銅原子とモリブデン原子とのモル比が１２．６：８７．４〜０．５：９９．５の範囲であることを特徴とするめっき浴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の各部位の温度を均一化させることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０は、半導体素子１１と冷却器２０とを備えている。半導体素子１１と冷却水流路３０の間に位置している上側壁部材２１の厚みｄ１は、半導体素子１１中央領域に対応する範囲で薄く、周辺領域に対応する範囲で厚い。昇温しやすい中央領域では効率的に冷却され、半導体素子１１の各部位の温度が均一化される。 （もっと読む）

【課題】作動時に大量の熱を発する電子部品を収容しても熱伝導性に優れ、かつ電子部品の熱膨張係数と適合させることができる電子部品収納用パッケージおよび電子装置を提供する。
【解決手段】電子部品収納用パッケージおよび電子装置には、熱伝導率のよい第１金属層１１と、第１金属層１１より低熱膨張係数を有し厚さの薄い第２金属層１０とが交互に５層以上積層され、最下層および最上層には第１金属層１１ｃ，１１ｂが配されているとともに、内層に配される第１金属層１１ａの少なくとも１層の厚さが最下層および最上層に配される第１金属層１１ｃ，１１ｂの厚さよりも厚い放熱部材１が用いられている。また、放熱部材の外周部は、下方または上方に向かってだれるように変形している。 （もっと読む）

【課題】容器の変形を防ぐことで高い信頼性を維持することができ、かつ、作業性よく低コストで製造することができる熱輸送デバイス及びこれを搭載した電子機器を提供すること。
【解決手段】
熱輸送デバイス１００では、容器１内に、容器１を補強する流路部材２が設けられる。この流路部材２には、作動流体が膨張したときに、膨張した作動流体が退避する退避路としての切欠き１０が形成される。これにより、容器１の内部及び外部の圧力差による容器１の変形を防止することができ、また、膨張した作動流体の圧力により容器１が変形することを防止することができる。この結果、熱輸送デバイス１００の高い信頼性を維持することができる。切欠き１０は、例えば流路部材２をダイシング加工やプレス加工等により加工することで簡単に形成されるので、熱輸送デバイス１００を作業性よく低コストで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 大出力の電子部品を搭載しても、電子部品から発生する熱を効果的に放散できる、小型の電子部品搭載用パッケージを提供する。
【解決手段】 上面に電子部品６の搭載部１ａを、および上面から下面にかけて第１の貫通孔１ｂを有する第１の基体１と、外周部が第１の基体１の下面に接合された、第１の貫通孔１ｂに対応して上面から下面にかけて第２の貫通孔２ｂを有する第２の基体２と、第２の貫通孔２ｂに充填された封止材３を貫通して固定され、一端が第１の貫通孔１ｂを通って第１の基体１の上面から突出している信号端子５とを具備しており、第２の基体２の熱伝導率よりも第１の基体１の熱伝導率の方が大きい電子部品搭載用パッケージである。電子部品６の搭載部１ａの面積を大きくすることができ、発生した熱を熱伝導率の大きい第１の基体を介して外部に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】メタライズ膜とセラミック枠体の接合強度が高いと共に、セラミック枠体の反りの発生を防止でき、メタライズ膜とＮｉめっき被膜の界面強度が高く、接合体の接合信頼性の高い高放熱型電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】ヒートシンク板１１と、セラミック枠体１２と、外部接続端子１３を有する高放熱型電子部品収納用パッケージ１０において、ヒートシンク板１１と外部接続端子１３に接合するセラミック枠体１２の当接部分に設けられるメタライズ膜１４が第１と第２のメタライズ膜１４ａ、１４ｂの２層構造からなり、セラミック枠体１２に設けられる第１のメタライズ膜１４ａがＷ、Ｍｏ、又はこれらの両方を含む高融点金属にセラミック枠体１２を構成するセラミック粉末を含有してなり、この上面に設けられる第２のメタライズ膜１４ｂがセラミック粉末を含有しない高融点金属からなる。 （もっと読む）