【課題】本明細書は、半導体カードと冷却プレートを交互に積層し、その積層体を積層方向に付勢して密着する半導体モジュールに関し、半導体カードと冷却プレートの間に挟んだ絶縁板を破損から保護する技術を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１００は、複数の平板型の冷却プレート２と半導体素子を収めた複数の平板型の半導体カード３を交互に積層したものである。その半導体モジュール１００は、半導体カード３を冷却プレート２から絶縁する絶縁板４を、冷却プレートと半導体カードの間に挟んでいる。積層体は、板バネ１４によりその積層方向に付勢され、冷却プレート２、絶縁板４、半導体カード３の密着が維持される。半導体モジュール１００では、絶縁板４と対向する冷却プレート表面に窪み２ａが設けられており、その窪み２ａは、その縁の少なくとも一部が半導体カード３の端部よりも内側に位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体パッケージを冷却する冷却装置において、薄く形成した絶縁板の強度と絶縁性を確保することが可能な技術を提供する。
【解決手段】本明細書は、パワー半導体素子を収容したパワー半導体パッケージを冷却する冷却装置を開示する。そのパワー半導体パッケージは、平板状に形成されており、放熱部を備えている。その冷却装置は、内部に冷却水が流れる冷却器と、パワー半導体パッケージの放熱部と冷却器の間に挟み込まれる絶縁板を備えている。その冷却装置では、絶縁板の端部に、パワー半導体パッケージに向けて突出するリブが形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の最高温部の温度を測定可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、前記半導体素子の一方の面に第１の接合部を介して接合される放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第２の接合部を介して接合される金属板と、を有し、前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに備えられる回路や配線の設計に影響を与えることなく、半導体チップの表面側から、半導体チップからの発熱を効率良く放熱させることができる構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置２を、絶縁膜５と、配線６と、絶縁膜５の表面上に全面にわたって設けられた複数の第１電極７とを含む配線層８を備える半導体チップ２と、絶縁膜５の表面上の第１電極７が設けられていない領域に貼り付けられ、絶縁膜５よりも高い熱伝導率を有する高熱伝導部材１５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】温度差が生じても従来よりは絶縁部材の剥離を抑止することができる半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】複数の半導体素子１６と、各半導体素子１６で生じる熱を放出する放熱部１５と、少なくとも半導体素子１６を覆う絶縁部材１４とを備える半導体モジュール１０において、絶縁部材１４は線膨張係数差によって生じる応力を緩和する応力緩和部１７（例えば長溝状スリット１７ａ，１７ｂ等）を有する構成とした。この構成によれば、放熱部１５と絶縁部材１４との間に温度差が生じても、絶縁部材１４に備える応力緩和部１７が線膨張係数差によって生じる応力を緩和する。こうして応力が緩和されるので、従来よりは絶縁部材１４の剥離を抑止することができる。 （もっと読む）

【課題】温度差が生じても従来よりは絶縁部材の剥離を抑止することができる半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】複数の半導体素子１６と、各半導体素子１６で生じる熱を放出する放熱部１５と、少なくとも半導体素子１６を覆う絶縁部材１４とを備える半導体モジュール１０において、絶縁部材１４は、半導体モジュール１０の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆うことを特徴とする構成である。この構成によれば、絶縁部材１４は半導体モジュール１０の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆う。放熱部１５と絶縁部材１４との間に生じる温度差に基づく線膨張係数差による応力が発生しても、従来よりは絶縁部材１４の剥離を抑止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの両面冷却により効率的な放熱が可能な積層構造を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は第１半導体チップ１０ａと、前記第１半導体チップ１０ａの一方の面に設けられた放熱作用を有する第１エミッタ電極１４ａと、第２半導体チップ１０と、前記第２半導体チップ１０ｂの一方の面に設けられた放熱作用を有する第２エミッタ電極１４ｂとを有する。また、放熱作用を有する取り出しエミッタ電極１４を介して、前記第１エミッタ電極１４ａと前記第２エミッタ電極１４ｂが接するように設けられる。半導体装置１の製造方法は、第１半導体チップ１０ａの一方の面に放熱作用を有する第１エミッタ電極１４ａを接合する工程と、第２半導体チップ１０ｂの一方の面に放熱作用を有する第２エミッタ電極１４ｂを接合する工程と、前記第１エミッタ電極１４ａと前記第２エミッタ電極１４ｂを接合する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性能を損なうことなく、冷却性能が向上したパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 第１のヒートスプレッダ４と半導体チップ１，２と第２のヒートスプレッダ８とをこの順に重ね合わせ、第１のヒートスプレッダ４の一方の主面に第１の固定板１１と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第１の絶縁シート９を接着し、第２のヒートスプレッダ８の一方の主面に第２の固定板１２と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第２の絶縁シート１０を接着することにより構成される構造体を形成する工程と、上記構造体をモールドプレスの金型のキャビティに収納する工程と、上金型１４と下金型１５を型締めする工程と、金型の温度を上げると共にキャビティに熱硬化性樹脂からなる未硬化のモールド樹脂を注入することにより、第１の絶縁シート９、第２の絶縁シート１０及びモールド樹脂を硬化させる工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールからの熱伝導効率を向上させて冷却性能を向上させることができるパワーモジュールの冷却構造を提供する。
【解決手段】電流が流れることで熱が発生する電子部品を搭載したパワーモジュール１を伝熱部材２に実装し、この伝熱部材２を介してパワーモジュール１の発生熱をインバータケース１１に放熱する。伝熱部材２には、パワーモジュール１の実装面２１の反対側に突出する膨出部２２を設け、この膨出部２２をインバータケース１１の内面に面接触させて接着し、伝熱部材２とインバータケース１１との間の接触熱抵抗を低下する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワーモジュールの構造及び成形方法、並びにパワーモジュール成形用モールド金型に係り、半導体素子を挟んだ２つの冷却部材間にモールド樹脂が充填されるパワーモジュールの定寸管理を実現することにある。
【解決手段】半導体素子１２と、半導体素子１２を挟んで配置される冷却ブロック２６ａ，２６ｂと、２つの冷却ブロック２６ａ，２６ｂの間で半導体素子１２を支持するフレーム部材１６と、２つの冷却ブロック２６ａ，２６ｂの間に充填されるモールド樹脂３２と、を備えるパワーモジュール１０において、フレーム部材１６に、２つの冷却ブロック２６ａ，２６ｂの間で弾性変形し得るバネ部材２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上した半導体装置を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、半導体モジュールと、前記半導体モジュールの主面上に第１の充填材を介して配された絶縁板と、前記絶縁板上に第２の充填材を介して配された冷却器と、を有し、前記絶縁板の前記半導体モジュールの前記主面と対向する面に凸部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】カード状の半導体装置を一対の冷却部材の間に挿入する際のグリース切れ、及びこれによる熱伝導率の悪化／半導体装置の冷却効率の低下を抑制する。
【解決手段】半導体モジュール１は、両面にグリース３０が塗布されたカード状の半導体装置１０が、内部に冷媒流路を有する一対の冷却部材２０の間に挿入されたものであり、半導体装置１０のグリース塗布面に凹部１１が形成されたものである。冷却部材２０のグリース塗布面に凹部を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現し、信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１の裏面は、第１の導電板２−１の一方の面と接合している。第１の導電板２−１の他方の面は、第１の配線基板３の回路パターン３ａと接合している。第１の導電板２−１の他方の面には突起部１１が設けられている。第１の配線基板３の回路パターン３ａには、第１の導電板２−１の突起部１１に対応する位置に凹部３ａ−１が設けられている。半導体チップ１のおもて面は、第２の導電板２−２の一方の面と接合している。第２の導電板２−２の他方の面は、第２の配線基板４の回路パターン４ａと接合している。第２の導電板２−２の他方の面には、突起部１２が設けられている。第２の配線基板４の回路パターン４ａには、第２の導電板２−２の突起部１２に対応する位置に凹部４ａ−４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置内の部品のレイアウトを工夫して冷却の効率を向上させた電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置１０は、リアクトル６と、スイッチング素子ＳＷを収めたパワーモジュール２２と、パワーモジュール２２に接してスイッチング素子ＳＷを冷却する第１冷却器２５と、ブラケット５と、第２冷却器８を備える。ブラケット５は、パワーモジュール２２と第１冷却器２５が一体化したユニット２０とリアクトル６が空隙を有して並ぶようにユニット２０とリアクトル６をそれらの側方又は上方から支持する。第２冷却器８は、リアクトル６の下面に接してリアクトル６を冷却する。 （もっと読む）

【課題】圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、半導体モジュールを構成する構成部材間にかかる圧接力の変化を低減する。
【解決手段】半導体モジュール１は、半導体素子２ａ，２ｂ、ＡＣ電極端子３、ＤＣ電極端子４，５、放熱器６を備える。放熱器６は、蓋部材８と、この蓋部材８と対向して設けられるヒートシンク９と、ばね１０より構成される。蓋部材８とヒートシンク９とを対向して設けることにより、冷媒路１２を形成し、この冷媒路１２中であって、半導体素子２ａ（若しくは、半導体素子２ｂ）の電極面の垂直方向延長上にばね１０を設ける。ばね１０により、ＡＣ電極端子３（若しくは、ＤＣ電極端子４，５）が半導体素子２ａ（若しくは、半導体素子２ｂ）方向に押圧される。 （もっと読む）

【課題】摩擦攪拌接合において発生する摩擦熱とツールからの荷重による被接合部材の変形を低減する。
【解決手段】被接合部材１０を被接合部材２０に重ね合わせした突き合わせ部Ｗ１が摩擦攪拌接合されている。摩擦攪拌接合部ＦＳＷ１近傍に薄肉部１２が設けられている。薄肉部１２により、摩擦攪拌接合時の摩擦熱と接合ツールからの荷重が被接合部材１０全体に伝達することが抑制され、被接合部材１０における変形の発生量を低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が搭載された半導体装置の上下の主面から効率よく放熱を行う。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁基板１０Ａと、絶縁基板１０Ａに対向するように配設された絶縁基板１０Ｂと、絶縁基板１０Ａと絶縁基板１０Ｂの間隙に配置され、コレクタ電極とコレクタ電極とは反対側に配設されたエミッタ電極を有した半導体素子２０と、を備え、コレクタ電極が絶縁基板１０Ａに配設された金属箔１０ａｃに電気的に接続されると共に、エミッタ電極が絶縁基板１０Ｂに配設された金属箔１０ｂｃに電気的に接続されている。これにより、半導体素子２０から発生した熱が、半導体装置１の上下の主面から効率よく放熱されるようになる。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子との接合に融点の低い半田を用いる必要がなく、かつ高い動作温度域でもその形状を保持することができる、高温で動作するパワー半導体装置用の絶縁基板を提供する。
【解決手段】パワー半導体用絶縁基板１１は、Ａｌめっき鋼板のＡｌめっき表面に、軟化点が５００℃以下のＳｉＯ_２系ガラスフリット又はＰ_２Ｏ_５系ガラスフリットを軟化点以上７００℃未満の温度で焼成して得られる絶縁層が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子へのストレスも抑制しつつ、放熱性能を向上させることができる半導体装置およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、半導体素子１と、半導体素子１裏面上に設けられた第１金属体２と、第１金属体２裏面上に設けられた第１絶縁層４と、第１絶縁層４裏面上に設けられた第２金属体３と、半導体素子１表面上に設けられた第３金属体９と、第３金属体９表面上に設けられた第２絶縁層１０と、第２絶縁層１０表面上に設けられた第４金属体１１とを備え、第２金属体３は、第１金属体２よりも薄く、第４金属体１１は、第３金属体９よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】第１の半導体素子および第２の半導体素子について、各半導体素子の両側にヒートシンクを配置するとともに、各半導体素子におけるヒートシンク間を、導電部を介して電気的に接続してなる半導体装置において、導電部による接続を適切に確保できるようにする。
【解決手段】第２のヒートシンク２０から第３のヒートシンク３０側に延び第２のヒートシンク２０と第３のヒートシンク３０とを電気的に接続する導電部９０を備え、第３のヒートシンク３０における導電部９０との接続部位には、導電性接着材８０を溜める凹部１００が設けられており、この凹部１００に導電部９０の先端側が挿入されて導電性接着材８０によって接続されている。 （もっと読む）