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Fターム[5F136DA22]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 冷却対象 (4,540) | 大電力用装置 (1,788) | チップの両面からの放熱 (181)

Fターム[5F136DA22]に分類される特許

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【課題】パワー半導体パッケージを冷却する冷却装置において、薄く形成した絶縁板の強度と絶縁性を確保することが可能な技術を提供する。
【解決手段】本明細書は、パワー半導体素子を収容したパワー半導体パッケージを冷却する冷却装置を開示する。そのパワー半導体パッケージは、平板状に形成されており、放熱部を備えている。その冷却装置は、内部に冷却水が流れる冷却器と、パワー半導体パッケージの放熱部と冷却器の間に挟み込まれる絶縁板を備えている。その冷却装置では、絶縁板の端部に、パワー半導体パッケージに向けて突出するリブが形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の最高温部の温度を測定可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、前記半導体素子の一方の面に第1の接合部を介して接合される放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第2の接合部を介して接合される金属板と、を有し、前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けた。 (もっと読む)


【課題】本明細書は、半導体カードと冷却プレートを交互に積層し、その積層体を積層方向に付勢して密着する半導体モジュールに関し、半導体カードと冷却プレートの間に挟んだ絶縁板を破損から保護する技術を提供する。
【解決手段】半導体モジュール100は、複数の平板型の冷却プレート2と半導体素子を収めた複数の平板型の半導体カード3を交互に積層したものである。その半導体モジュール100は、半導体カード3を冷却プレート2から絶縁する絶縁板4を、冷却プレートと半導体カードの間に挟んでいる。積層体は、板バネ14によりその積層方向に付勢され、冷却プレート2、絶縁板4、半導体カード3の密着が維持される。半導体モジュール100では、絶縁板4と対向する冷却プレート表面に窪み2aが設けられており、その窪み2aは、その縁の少なくとも一部が半導体カード3の端部よりも内側に位置するように配置されている。 (もっと読む)


【課題】半導体チップに備えられる回路や配線の設計に影響を与えることなく、半導体チップの表面側から、半導体チップからの発熱を効率良く放熱させることができる構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置2を、絶縁膜5と、配線6と、絶縁膜5の表面上に全面にわたって設けられた複数の第1電極7とを含む配線層8を備える半導体チップ2と、絶縁膜5の表面上の第1電極7が設けられていない領域に貼り付けられ、絶縁膜5よりも高い熱伝導率を有する高熱伝導部材15とを備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】温度差が生じても従来よりは絶縁部材の剥離を抑止することができる半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】複数の半導体素子16と、各半導体素子16で生じる熱を放出する放熱部15と、少なくとも半導体素子16を覆う絶縁部材14とを備える半導体モジュール10において、絶縁部材14は、半導体モジュール10の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆うことを特徴とする構成である。この構成によれば、絶縁部材14は半導体モジュール10の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆う。放熱部15と絶縁部材14との間に生じる温度差に基づく線膨張係数差による応力が発生しても、従来よりは絶縁部材14の剥離を抑止することができる。 (もっと読む)


【課題】温度差が生じても従来よりは絶縁部材の剥離を抑止することができる半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】複数の半導体素子16と、各半導体素子16で生じる熱を放出する放熱部15と、少なくとも半導体素子16を覆う絶縁部材14とを備える半導体モジュール10において、絶縁部材14は線膨張係数差によって生じる応力を緩和する応力緩和部17(例えば長溝状スリット17a,17b等)を有する構成とした。この構成によれば、放熱部15と絶縁部材14との間に温度差が生じても、絶縁部材14に備える応力緩和部17が線膨張係数差によって生じる応力を緩和する。こうして応力が緩和されるので、従来よりは絶縁部材14の剥離を抑止することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの両面冷却により効率的な放熱が可能な積層構造を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は第1半導体チップ10aと、前記第1半導体チップ10aの一方の面に設けられた放熱作用を有する第1エミッタ電極14aと、第2半導体チップ10と、前記第2半導体チップ10bの一方の面に設けられた放熱作用を有する第2エミッタ電極14bとを有する。また、放熱作用を有する取り出しエミッタ電極14を介して、前記第1エミッタ電極14aと前記第2エミッタ電極14bが接するように設けられる。半導体装置1の製造方法は、第1半導体チップ10aの一方の面に放熱作用を有する第1エミッタ電極14aを接合する工程と、第2半導体チップ10bの一方の面に放熱作用を有する第2エミッタ電極14bを接合する工程と、前記第1エミッタ電極14aと前記第2エミッタ電極14bを接合する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 絶縁性能を損なうことなく、冷却性能が向上したパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 第1のヒートスプレッダ4と半導体チップ1,2と第2のヒートスプレッダ8とをこの順に重ね合わせ、第1のヒートスプレッダ4の一方の主面に第1の固定板11と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第1の絶縁シート9を接着し、第2のヒートスプレッダ8の一方の主面に第2の固定板12と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第2の絶縁シート10を接着することにより構成される構造体を形成する工程と、上記構造体をモールドプレスの金型のキャビティに収納する工程と、上金型14と下金型15を型締めする工程と、金型の温度を上げると共にキャビティに熱硬化性樹脂からなる未硬化のモールド樹脂を注入することにより、第1の絶縁シート9、第2の絶縁シート10及びモールド樹脂を硬化させる工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】パワーモジュールからの熱伝導効率を向上させて冷却性能を向上させることができるパワーモジュールの冷却構造を提供する。
【解決手段】電流が流れることで熱が発生する電子部品を搭載したパワーモジュール1を伝熱部材2に実装し、この伝熱部材2を介してパワーモジュール1の発生熱をインバータケース11に放熱する。伝熱部材2には、パワーモジュール1の実装面21の反対側に突出する膨出部22を設け、この膨出部22をインバータケース11の内面に面接触させて接着し、伝熱部材2とインバータケース11との間の接触熱抵抗を低下する。 (もっと読む)


【課題】カード状の半導体装置を一対の冷却部材の間に挿入する際のグリース切れ、及びこれによる熱伝導率の悪化/半導体装置の冷却効率の低下を抑制する。
【解決手段】半導体モジュール1は、両面にグリース30が塗布されたカード状の半導体装置10が、内部に冷媒流路を有する一対の冷却部材20の間に挿入されたものであり、半導体装置10のグリース塗布面に凹部11が形成されたものである。冷却部材20のグリース塗布面に凹部を設けてもよい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、パワーモジュールの構造及び成形方法、並びにパワーモジュール成形用モールド金型に係り、半導体素子を挟んだ2つの冷却部材間にモールド樹脂が充填されるパワーモジュールの定寸管理を実現することにある。
【解決手段】半導体素子12と、半導体素子12を挟んで配置される冷却ブロック26a,26bと、2つの冷却ブロック26a,26bの間で半導体素子12を支持するフレーム部材16と、2つの冷却ブロック26a,26bの間に充填されるモールド樹脂32と、を備えるパワーモジュール10において、フレーム部材16に、2つの冷却ブロック26a,26bの間で弾性変形し得るバネ部材20を設ける。 (もっと読む)


【課題】放熱性を向上した半導体装置を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、半導体モジュールと、前記半導体モジュールの主面上に第1の充填材を介して配された絶縁板と、前記絶縁板上に第2の充填材を介して配された冷却器と、を有し、前記絶縁板の前記半導体モジュールの前記主面と対向する面に凸部が設けられている。 (もっと読む)


【課題】小型化を実現し、信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ1の裏面は、第1の導電板2−1の一方の面と接合している。第1の導電板2−1の他方の面は、第1の配線基板3の回路パターン3aと接合している。第1の導電板2−1の他方の面には突起部11が設けられている。第1の配線基板3の回路パターン3aには、第1の導電板2−1の突起部11に対応する位置に凹部3a−1が設けられている。半導体チップ1のおもて面は、第2の導電板2−2の一方の面と接合している。第2の導電板2−2の他方の面は、第2の配線基板4の回路パターン4aと接合している。第2の導電板2−2の他方の面には、突起部12が設けられている。第2の配線基板4の回路パターン4aには、第2の導電板2−2の突起部12に対応する位置に凹部4a−4が設けられている。 (もっと読む)


【課題】電力変換装置内の部品のレイアウトを工夫して冷却の効率を向上させた電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置10は、リアクトル6と、スイッチング素子SWを収めたパワーモジュール22と、パワーモジュール22に接してスイッチング素子SWを冷却する第1冷却器25と、ブラケット5と、第2冷却器8を備える。ブラケット5は、パワーモジュール22と第1冷却器25が一体化したユニット20とリアクトル6が空隙を有して並ぶようにユニット20とリアクトル6をそれらの側方又は上方から支持する。第2冷却器8は、リアクトル6の下面に接してリアクトル6を冷却する。 (もっと読む)


【課題】圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、半導体モジュールを構成する構成部材間にかかる圧接力の変化を低減する。
【解決手段】半導体モジュール1は、半導体素子2a,2b、AC電極端子3、DC電極端子4,5、放熱器6を備える。放熱器6は、蓋部材8と、この蓋部材8と対向して設けられるヒートシンク9と、ばね10より構成される。蓋部材8とヒートシンク9とを対向して設けることにより、冷媒路12を形成し、この冷媒路12中であって、半導体素子2a(若しくは、半導体素子2b)の電極面の垂直方向延長上にばね10を設ける。ばね10により、AC電極端子3(若しくは、DC電極端子4,5)が半導体素子2a(若しくは、半導体素子2b)方向に押圧される。 (もっと読む)


【課題】摩擦攪拌接合において発生する摩擦熱とツールからの荷重による被接合部材の変形を低減する。
【解決手段】被接合部材10を被接合部材20に重ね合わせした突き合わせ部W1が摩擦攪拌接合されている。摩擦攪拌接合部FSW1近傍に薄肉部12が設けられている。薄肉部12により、摩擦攪拌接合時の摩擦熱と接合ツールからの荷重が被接合部材10全体に伝達することが抑制され、被接合部材10における変形の発生量を低減する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子が搭載された半導体装置の上下の主面から効率よく放熱を行う。
【解決手段】半導体装置1は、絶縁基板10Aと、絶縁基板10Aに対向するように配設された絶縁基板10Bと、絶縁基板10Aと絶縁基板10Bの間隙に配置され、コレクタ電極とコレクタ電極とは反対側に配設されたエミッタ電極を有した半導体素子20と、を備え、コレクタ電極が絶縁基板10Aに配設された金属箔10acに電気的に接続されると共に、エミッタ電極が絶縁基板10Bに配設された金属箔10bcに電気的に接続されている。これにより、半導体素子20から発生した熱が、半導体装置1の上下の主面から効率よく放熱されるようになる。 (もっと読む)


【課題】パワー半導体素子との接合に融点の低い半田を用いる必要がなく、かつ高い動作温度域でもその形状を保持することができる、高温で動作するパワー半導体装置用の絶縁基板を提供する。
【解決手段】パワー半導体用絶縁基板11は、Alめっき鋼板のAlめっき表面に、軟化点が500℃以下のSiO系ガラスフリット又はP系ガラスフリットを軟化点以上700℃未満の温度で焼成して得られる絶縁層が形成されていることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体素子へのストレスも抑制しつつ、放熱性能を向上させることができる半導体装置およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、半導体素子1と、半導体素子1裏面上に設けられた第1金属体2と、第1金属体2裏面上に設けられた第1絶縁層4と、第1絶縁層4裏面上に設けられた第2金属体3と、半導体素子1表面上に設けられた第3金属体9と、第3金属体9表面上に設けられた第2絶縁層10と、第2絶縁層10表面上に設けられた第4金属体11とを備え、第2金属体3は、第1金属体2よりも薄く、第4金属体11は、第3金属体9よりも厚い。 (もっと読む)


【課題】第1の半導体素子および第2の半導体素子について、各半導体素子の両側にヒートシンクを配置するとともに、各半導体素子におけるヒートシンク間を、導電部を介して電気的に接続してなる半導体装置において、導電部による接続を適切に確保できるようにする。
【解決手段】第2のヒートシンク20から第3のヒートシンク30側に延び第2のヒートシンク20と第3のヒートシンク30とを電気的に接続する導電部90を備え、第3のヒートシンク30における導電部90との接続部位には、導電性接着材80を溜める凹部100が設けられており、この凹部100に導電部90の先端側が挿入されて導電性接着材80によって接続されている。 (もっと読む)


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