【課題】半導体素子の最高温部の温度を測定可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、前記半導体素子の一方の面に第１の接合部を介して接合される放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第２の接合部を介して接合される金属板と、を有し、前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けた。 （もっと読む）

【課題】比較手段の数を抑制することができる異常検出装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子と、複数の半導体素子にそれぞれ対応して設けられ、複数の半導体素子の温度をそれぞれ検出する複数の温度検出手段と、複数の半導体素子の異常を検出する異常検出手段とを備え、異常検出手段は、複数の半導体素子のうち一の半導体素子の温度を検出する温度検出手段の検出温度と、半導体素子の上限温度を示す第１の閾値温度とを比較する第１の比較手段と、複数の半導体素子のうち他の半導体素子の温度を検出する温度検出手段の検出温度から、他の半導体素子の平均温度を算出する温度算出手段と、平均温度と所定の第２の閾値温度とを比較する第２の比較手段とを有し、第１の比較手段の比較結果及び第２の比較手段の比較結果に基づいて、複数の半導体素子の異常を検出する。 （もっと読む）

【目的】製造上のバラツキに拘わらず高い精度で温度検出を行うことが可能な温度検出回路及びその調整方法を提供することを目的とする。
【構成】互いに独立したＰＮ接合面を有する第１及び第２ダイオードと、第１ダイオードに直列に接続されており、第１オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が可変な第１可変分圧抵抗を含む第１電流路と、第２ダイオードに直列に接続されており、第２オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が可変な第２可変分圧抵抗を含む第２電流路と、第１可変分圧抵抗によって分圧された第１分圧電圧と第２電流路上の電位との差分を示す差分電圧を第１及び第２電流路各々に帰還供給しつつ差分電圧を基準電圧として出力する基準電圧生成部と、第２可変分圧抵抗によって分圧された第２分圧電圧に基づいて温度検出信号を生成する温度検出信号生成部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で動作可能な、温度センサ装置を提供すること。
【解決手段】定電流回路と、定電流回路から定電流を供給される、ソースフォロワ接続された１つ以上のＭＯＳトランジスタのゲート・ソース電圧間電圧の和に基づいた電圧によって、または、ソースフォロワ接続された１つ以上のＭＯＳトランジスタのゲート・ソース電圧間電圧と、１つ以上のＰＮ接合の順電圧との和の電圧に基づいた電圧によって、温度を検知する構成とした。 （もっと読む）

【課題】システム／デバイス内の高電力コンポーネントの動作温度範囲を効率的に拡大するための方法およびシステムを提供すること。
【解決手段】埋め込みモニタが、コンポーネントの接合温度などの局部的温度を測定する。測定温度がコンポーネントの最低動作温度閾値よりも低い場合、温度制御ロジックは、加熱源を利用して、コンポーネントの温度を動作レベルまで上昇させるために予熱を開始する。コンポーネント（またはデバイス）は、温度が動作レベル以上である場合にのみ、動作状態にされる。温度制御ロジックは、動作中システム／デバイス内のコンポーネントによって散逸される高電力を自己加熱源として使用して、コンポーネントの動作温度を維持する。自己加熱が動作温度を維持することができない場合、加熱源が、コンポーネントの動作温度の維持を支援するために利用され、それによって、コンポーネントが利用されるシステムの有効動作温度範囲を拡大する。 （もっと読む）

【課題】設計上の特性と実測した特性との傾きが異なる場合に、容易に且つ正確に温度検出ができるパワー半導体装置の温度測定装置を提供する。
【解決手段】チップ温度検出回路は、温度検出用ダイオードの両端の順方向電圧をデジタル変換して測定値として出力するＡ／Ｄ変換器と、該Ａ／Ｄ変換器の測定値に基づいて前記チップ温度を演算する演算処理部とを備えている。演算処理部は、校正時に、前記温度検出用ダイオードに代えて既知の異なる複数の基準電圧値をそれぞれ印加したときの前記Ａ／Ｄ変換器の測定値を結ぶ線分の傾きを演算し、演算した線分の傾きをＡ／Ｄ変換器から出力される測定値のうちの１つであるオフセット補正値とともに記憶する。演算処理部は、温度測定時に、前記Ａ／Ｄ変換器の測定値と、前記線分の傾き及びオフセット補正値とに基づいて温度検出用ダイオードの順方向電圧を演算し、チップ温度を演算するチップ温度演算部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】インクの温度をより正確かつ追従性良く検出する。
【解決手段】液体を吐出するためのノズルと、温度を検出するためのダイオードと、を有するノズルプレートを備えた液体吐出装置において、前記ノズルプレートは半導体で形成され、前記ダイオードは前記ノズルプレートに所定物質を添加することにより生成されたＰ型半導体およびＮ型半導体で形成される構成とした。また、上記ダイオードにおける電圧降下に応じて温度を検出する温度検出部と、温度検出部により検出された温度に基づいて上記液体の吐出を制御する吐出制御部とを備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】任意の範囲の温度検出出力を得る。
【解決手段】バンドギャップ回路１０は、異なる電流密度の電流を流すトランジスタのベースエミッタ間電圧（ＶＢＥ）の差ΔＶＢＥと、トランジスタのＶＢＥの温度特性が反対であることを利用し、αを所定の定数として、温度特性の補償されたバンドギャップ電圧ＶＢＧＲ＝ＶＢＥ＋ΔＶＢＥ・αを出力する。電圧シフト回路（Ｒ３，Ｒ４）は前記バンドギャップ電圧ＶＢＧＲから、予め定めた温度ＴｒｅｆにおけるΔＶＢＥ・αであるΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆを減算した電圧ＶＢＧＲ−ΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆを出力する。差分手段は、電圧シフト回路の出力ＶＢＧＲ−ΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆから、前記バンドギャップ回路から取り出した、ＶＢＥを減算し、ΔＶＢＥ・α−ΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆを取り出す。これによって、ΔＶＢＥ・α＠Ｔｒｅｆに対応する温度を基準点として、温度により変化する検出温度出力を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイオードを用いて精度良く温度を検出することができる温度測定回路を提供する。
【解決手段】温度測定用の半導体ダイオード５、電源電圧ＨＶｃｃ、定電流回路７、ＡＤ変換器１３とデジタル変換値に基づいて温度Ｔを算出する温度測定回路１において、基準電圧Ｖｒｅｆを前記ＡＤ変換器１３に出力する基準電源９を備え、前記ＡＤ変換器１３から出力された前記基準電圧Ｖｒｅｆのデジタル変換値Ｘ（Ｖｒｅｆ）ｒｅａｌと、前記電源電圧ＨＶｃｃに変動成分ΔＨＶｃｃが含まれない場合に前記ＡＤ変換器１３から出力される前記基準電圧Ｖｒｅｆのデジタル変換値Ｘ（Ｖｒｅｆ）ｉｄｅａｌとに基づいて、前記変動成分ΔＨＶｃｃを含む前記電源電圧ＨＶｃｃの電圧値「ＨＶｃｃ＋ΔＨＶｃｃ」を算出し、当該電圧値「ＨＶｃｃ＋ΔＨＶｃｃ」により前記両端電圧ＶＦのデジタル変換値、及び前記定電流の定電流値Ｉを補正して前記温度Ｔを算出する構成。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのベース−エミッタ間電圧に基づいて温度などの物理量を検出する検出回路において、ノイズによる影響を抑え、検出の精度を改善し得る検出回路を提供することを目的とする。
【解決手段】第１ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＴ１は、定電流源Ｉ０に導通するベースと、電源部Ｖｃに導通するコレクタと、エミッタとを備えている。また、第２ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＴ２は、第１ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＴ１のベースに導通すると共に定電流源Ｉ０に導通するコレクタと、グランドＧｎｄに導通するエミッタと、第１ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＴ１のエミッタに導通すると共に第１ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＴ１のエミッタ電流に応じたベース電流が流れるベースとを備えている。そして、第２ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＴ２のベース−エミッタ間の電圧を出力可能とされている。 （もっと読む）