【課題】 良好な熱伝導性や難燃性を実現するために無機フィラーを多く添加しても、部品固定に際して部品の脱落が生じにくい優れた接着性を有する粘着剤組成物を提供する。
【解決手段】 （メタ）アクリレートを主たるモノマー成分とするアクリル系共重合体と、無機フィラーとを含有する粘着剤組成物であって、前記アクリル系共重合体がモノマー成分として炭素数が２以上の飽和炭化水素基を介してカルボキシ基を分子鎖末端に有する（メタ）アクリレートモノマーを含有し、前記無機フィラーの含有量が、アクリル共重合体１００質量部に対して２００質量部以上である粘着剤組成物により、多量の無機フィラーを添加した場合にも優れた接着性を実現でき、良好な難燃性や熱伝導性と、好適な接着性とを両立できる。 （もっと読む）

【課題】固相拡散接合により、プロセス温度が低温化され、プロセス時間が短縮化され、かつフリップチップ構造の半導体装置提供する。
【解決手段】絶縁基板８と、絶縁基板８上に配置された信号配線電極１２と、絶縁基板８上に若しくは絶縁基板８を貫通して配置されたパワー配線電極１６と、絶縁基板８上にフリップチップに配置され、半導体基板２６と、半導体基板２６の表面上に配置されたソースパッド電極ＳＰおよびゲートパッド電極ＧＰと、半導体基板２６の裏面上に配置されたドレインパッド電極３６とを有する半導体デバイス１０と、ゲートパッド電極ＧＰ上に配置されたゲートコネクタ１８と、ソースパッド電極ＳＰ上に配置されたソースコネクタ２０とを備え、ゲートコネクタ１８とゲートパッド電極ＧＰおよび信号配線電極１２、ソースコネクタ２０とソースパッド電極ＳＰおよびパワー配線電極１６は、固相拡散接合される半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】回路基板が放熱部材の主面上に間隔をあけて配され、放熱部材の主面に固定された半導体素子と回路基板とがボンディングワイヤで電気接続される電気接続構造において、回路基板に接合されるボンディングワイヤの接合不良を防ぐ。
【解決手段】
放熱部材２と、その主面２ａに固定される半導体素子４と、前記主面２ａの上方に間隔をあけて配されると共に、ボンディングワイヤ７によって半導体素子４に電気接続される回路基板５と、を備え、回路基板５には、その厚さ方向に貫通して半導体素子４を回路基板５の上方に露出させる貫通孔５１が形成され、放熱部材２に、前記主面２ａから突出すると共に回路基板５の下面５ｂのうち貫通孔５１の周縁部分のみに固定される支持突起２１が設けられている電気接続構造を提供する。 （もっと読む）

【課題】小型で基板上の小さい面積部分でも実装が可能で、放熱効果および電気絶縁性も備えて、従来の金属製ヒートシンクの課題を解消したヒートシンクを提供する。
【解決手段】発熱性の電子部品１１０が載置される回路基板１００に実装されて放熱を促進するヒートシンク１であって、放熱性および電気絶縁性を備えた樹脂材により形成したブロック状の本体部１０と、板状の高熱伝導性材で形成した複数の脚部２０とを含み、前記脚部それぞれの一端は互いに間隔をもって前記本体部１０に埋設され、前記脚部２０それぞれの他端は前記回路基板１００に接触させるべく形成してある。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルにおける接合強度が高く、かつ冷却効率の高い放熱構造体、パワーモジュール、放熱構造体の製造方法およびパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】パワーモジュール１は、絶縁性を有するセラミックス基板１０と、該セラミックス基板１０の表面にろう材により接合された金属又は合金からなる金属部材５０と、該金属部材５０の表面に、金属又は合金からなる粉末をガスと共に加速し、表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させることによって形成された放熱部４０とを備え、放熱部４０内部にはヒートパイプ６０が埋設されている。 （もっと読む）

【課題】金属細線流れによる不良を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ＩＧＢＴ１を電力用リード４上に固着し、ＩＧＢＴ１を制御する制御用半導体素子３を制御用リード５上に固着し、制御用リード５と制御用半導体素子３を金属細線１１により接続する。ＩＧＢＴ１と制御用半導体素子３との間において制御用リード５上に保護部材１４を固着する。これらの構成をキャビティ１９内に配置する。ＩＧＢＴ１側からキャビティ１９内に樹脂１６を注入する。この際に、保護部材１４がキャビティ１９の天井に接するため、ＩＧＢＴ１側から制御用半導体素子３側に向かう樹脂１６の横方向の流れは保護部材１４により防止される。従って、樹脂１６は、ＩＧＢＴ１側から制御用リード５の下側に流れた後に、制御用リード５の間隙２１を通って制御用リード５の下側から上側に流れて制御用半導体素子３及び金属細線１１を封止する。 （もっと読む）

【課題】車両のステアリングの操舵力をモータでアシストする電動パワーステアリング装置において、モータ電流値はモータの出力の上昇に応じて大きくなり、モータ電流値が大きくなればモータを駆動させるパワー基板に備えられた半導体モジュールの温度が上昇し、過熱状態が続くと半導体モジュールが熱破壊を起こしてしまう。
【解決手段】ＧＮＤプレーン50はパワー基板接続部58a及び制御基板接続部58b、トルクセンサアンプ基板接続部58c、掛部56のカバー10との接続部、ヒートシンク接触面52cを除く表面にアルマイト加工を施し、アルマイト皮膜44を備え、パワー基板60の半導体モジュール対向面60aとパワー基板接触面52bのアルマイト皮膜44とが接触している。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールを固定するバネの構造を簡略化する
【解決手段】半導体制御装置１は、冷却部材２に半導体モジュール４押し付けるバネ部材６を有する。バネ部材６は、３つの半導体モジュール４の１つずつ当接するアーム部１１が１対ずつ形成されているので、アーム部１１が変形させられることで生じる押し付け力を半導体モジュール４ごとに均一に作用できる。ネジ止めされる貫通孔１２から離れている中央のアーム部１１Ａは、他の２つのアーム部１１より下側に折り曲げられているので、アーム部１１Ａの浮き上がりが防止される。 （もっと読む）

【課題】組み立て性の良い半導体ユニットを提供する。
【解決手段】半導体ユニット１０は、複数の平板型の素子モジュール１４と冷却器（複数の平板型のヒートシンク１６）が一体となった半導体ユニットである。内部にＩＧＢＴなどの半導体素子を収めた素子モジュール１４から電極１４ａが伸びている。半導体ユニット１０はさらに、細長金属板の先端を有しており素子モジュール１４の電極１４ａと外部回路を電気的に接続するバスバー２０を備える。複数のヒートシンク１６と複数の素子モジュール１４は交互に積層している。電極１４ａとバスバー２０の先端同士が重ねられてスペーサ２２を介して両側のヒートシンク１６によって挟持固定されている。 （もっと読む）

【課題】冷却能力を低下させずに、従来よりも騒音を抑制することができる圧電ファン、及び該圧電ファンを備える冷却装置を提供する。
【解決手段】振動板１１１は、圧電素子１１２が中間部に貼付され圧電素子１１２が伸縮することにより屈曲する。振動板１１１には、その屈曲により揺動される７枚の分割板１４１〜１４７が圧電素子１１２の貼付位置より前方に形成されている。振動板１１１は、圧電素子１１２が貼付された領域の両側に切欠部１１８が形成され、圧電素子１１２より複数の分割板１４１〜１４７側の領域内に長円状の孔部１５２〜１５６が形成され、７枚の分割板１４１〜１４７が折り曲げラインＣで支持部１１３側へ約９０°折り曲げられた形状を有する。孔部１５２〜１５６のそれぞれは、孔部１５２〜１５６のそれぞれの中心を折り曲げラインＣが通過する位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】低コストで容易に製造でき、しかも熱を散逸させる能力が高い電子制御装置を提供する。
【解決手段】プリント基板１１５は、ケース１１７とカバー１１９とによって挟まれた状態で、プリント基板１１５を貫くネジにより、筐体に固定されている。プリント基板１１５の搭載面には、モールド部品１１３が搭載され、このモールド部品１１３はプリント基板１１５とカバー１１９との間に配置されている。カバー１１９には突出部１２３が設けられ、この突出部１２３とモールド部品１１３との間には熱伝導材１２５が配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体部品により発せられた熱を効率良く放散させることができる電子回路装置を提供すること。
【解決手段】電子回路装置１００において、放熱パッド１０３が、放熱台１０１と接する第１の面と反対の半導体部品１０２の第２の面と接する。これにより、放熱台１０１のみならず放熱パッド１０３からも放熱されるので、半導体部品１０２によって発せられた熱を効率よく放散することができる。また、放熱パッド１０３は、弾性を有する部材から構成され、固定部材１０４によって圧接されて半導体部品１０２の上面に押しつけられる。これにより、半導体部品１０２の上面に凹凸が存在している場合、又は、半導体部品１０２の寸法に多少のばらつきがある場合でも、放熱パッド１０３を半導体部品１０２に良好に密着させることができる。その結果、半導体部品１０２によって発せられた熱の放散効率をさらに高めることができる。 （もっと読む）

【課題】装置の十分な小型化を図り得るモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】モータ１０の軸方向一端側にＥＣＵ２０が付設されたモータ駆動装置において、３組の第１〜第３パワーモジュール５１〜５３の放熱面６１ａ〜６３ａを、ＥＣＵハウジング２１内に制御基板２４と直交するように設けたヒートシンク３１〜３３の受熱面４１ａ〜４３ａに当接させる配置とすることで、前記各パワーモジュール５１〜５３の金属基板４０上における占有面積が低減され、ＥＣＵ２０の小型化に供された。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性および／または導電性に優れた物質と樹脂とからなる複合構造体であって、両者が良好に接合され、かつ樹脂からなる層の厚さを小さくすることが可能な複合構造体を提供する。
【解決手段】反磁性物質２２の粒子と樹脂２４とを金型３０内に配置し、金型３０内に配置された反磁性物質２２に磁場を印加して、反磁性物質２２を金型３０の内側表面の少なくとも一部から遠ざかる方向に移動させた後、金型３０内で樹脂２４を硬化させて樹脂−反磁性物質複合構造体を製造することを含む方法によって、反磁性物質層１２と樹脂層１４とからなる樹脂−反磁性物質の複合構造体１０を得る。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスを備えるパワーモジュールを十分に冷却する手段を提供する。
【解決手段】パワー半導体パッケージ３００は複数のパワーデバイスを有するパワーモジュール３２２を備える。複数のパワーデバイスのそれぞれはパワースイッチであってもよい。パワー半導体パッケージは、上部３２４が複数のパワーデバイス上面に接触し、下部３２６がパワーモジュールの下面に接触する両面ヒートシンク３２０をさらに備える。パワー半導体パッケージは、両面ヒートシンクの上部および下部をパワーモジュールに押し付ける少なくとも１つの固定用クランプ３３０を備えることができる。 （もっと読む）

【課題】高温動作が可能であるとともに、小型化、軽量化を実現することが可能な半導体装置モジュールを提供する。
【解決手段】Ｐ側回路とＮ側回路とがケース１８で囲まれ、ケース１８と放熱板４とで構成される筐体内には絶縁性の封止材１６が充填されてＰ側回路ユニット２１０およびＮ側回路ユニット２２０が樹脂封止されている。Ｐ側回路ユニット２１０の第２の主電極端子６ＡおよびＮ側回路ユニット２２０の第１の主電極端子７Ａの形状は、上端部が２段階に曲げられて断面がＺ字状となっている。第２の主電極端子６Ａと第１の主電極端子７Ａとの間の接続部材９Ａは、長辺に沿った方向の両端部が同じ方向に９０度よりもやや小さな角度となるように曲げられているとともに、中央部がカーブした断面形状を有している。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、接合時に発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３の製造方法であって、両金属層６，７をセラミックス基板２の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に、厚さ方向に加圧した状態で冷却して、金属層６，７に塑性変形を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、部品点数を削減しつつ、十分な接合強度で半導体モジュールを冷却体に固定でき、かつ半導体モジュールを十分に冷却できる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置１０は、金属で形成された熱伝導部１６と、該熱伝導部を表面に露出させるモールド樹脂１８を有する半導体モジュール１４と、接合材２０により該半導体モジュール１４に固定された冷却体１２と、該熱伝導部１６と該冷却体１２の間に形成され、該熱伝導部１６と該冷却体１２を熱接続する熱伝導材２２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路層上に搭載された電子部品等からの熱を効率よく放散できるとともに、冷熱サイクル負荷時における絶縁基板の割れの発生を抑制できるパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の一方の面に形成された回路層１２と、を備えたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、絶縁基板１１の一方の面に銅板が接合されて構成されており、前記銅板は、接合される前において、少なくとも、アルカリ土類元素、遷移金属元素、希土類元素のうちの１種以上を合計で１ｍｏｌｐｐｍ以上１００ｍｏｌｐｐｍ以下、又は、ボロンを１００ｍｏｌｐｐｍ以上１０００ｍｏｌｐｐｍ以下のいずれか一方を含有し、残部が銅及び不可避不純物とされた組成とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Sn系はんだを用いて半導体素子を接続した半導体装置において、高温環境下においても動作安定性を確保でき、かつ、高電流負荷に耐えうる構造体を提供する。
【解決手段】金属製導体に固定したセラミックス基板２３に半導体素子を装着して金属製導体に放熱用のヒートシンクを取付けた構成を有する半導体装置において、半導体素子はセラミックス基板２３に装着する側の面にNiメタライズ層が形成されており、半導体素子のNiメタライズ層が形成された面とセラミックス基板２３とを母相の平均結晶粒径が２０μｍ以上のSn系はんだで接合した構成とした。 （もっと読む）