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Fターム[5F136BA30]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | ヒートシンク (3,233) | フィンを有しないヒートシンク (795)

Fターム[5F136BA30]に分類される特許

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【課題】 半導体モジュールは、その信頼性の向上が求められている。
【解決手段】 実施形態は、半導体素子11と、半導体素子11にはんだ19を介して接合されるヒートスプレッダ13と、ヒートスプレッダ13にはんだ19を介して接合されるバスバー15と、半導体素子11及びヒートスプレッダ13間、及び、ヒートスプレッダ13及びバスバー15間にそれぞれ設けられた複数の突起を有する突起部17と、を備え、半導体素子11とヒートスプレッダ13、及び、ヒートスプレッダ13とバスバー15は、互いに近接する方向に加圧された状態ではんだ19により接合される構成とした。 (もっと読む)


【課題】母基板に実装される補助基板上に実装された発熱対象部品を、省スペースでかつ安価に絶縁距離を確保しながら放熱できる補助基板上の発熱部品の放熱構造を提供する。
【解決手段】補助基板上の発熱部品の放熱構造は、補助基板13と、補助基板13上に実装される放熱対象部品11と、少なくとも放熱対象部品11を覆い、絶縁および熱伝導を兼ねる樹脂製品21と、樹脂部品21を介して少なくとも放熱対象部品11上の対向する面に置かれる放熱板15とを有する補助基板回路部10を備え、補助基板回路部10を母基板7に実装する。 (もっと読む)


【課題】基板への取り付けが容易で、かつ、放熱効果の高い半導体モジュールを提供する。
【解決手段】樹脂体20は、半導体チップ10を覆うよう板状に成形されている。端子31、32および33は、半導体チップ10に電気的に接続するとともに樹脂体20から突出している。端子31および33は、電子制御ユニット110の基板130上の配線パターン180に半田付けされる。第1金属板40は、板状に形成され、一方の面43が樹脂体20の面21から露出するとともに他方の面44が半導体チップ10に電気的に接続している。第1金属板40は、樹脂体20から板面方向に延出するよう形成される延出部42を有している。第1金属板40の一方の面43のうち延出部42の面積をSm、樹脂体20の面21の面積をSrとすると、第1金属板40および樹脂体20は、0.5≦Sm/Sr≦1.0の関係を満たすよう形成されている。 (もっと読む)


【課題】構造が簡単で安価に量産できるヒートシンク保持具を用い、最少の部品点数で、ヒートシンクを電子部品に取り付けることができ、しかもヒートシンクの着脱が容易に行える手段を提供する。
【解決手段】プリント基板10と、該プリント基板に実装した発熱性の電子部品12の周辺で相対向するように前記プリント基板に立設される複数のヒートシンク保持具16と、前記電子部品上に載置されるヒートシンク14とからなり、前記ヒートシンク保持具は、可撓性のある短冊状金属板の先端寄りの位置で横方向に突出する凸部16bを有する構造であり、前記ヒートシンクを、両側に位置する前記ヒートシンク保持具の凸部で上から押さえて固定する。 (もっと読む)


【課題】第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板21と、セラミックス基板21の一方の面に接合された第一の金属板22と、セラミックス基板21の他方の面に接合された第二の金属板23と、第二の金属板23の他方の面側に接合されたヒートシンク11と、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板10であって、第一の金属板22は、銅又は銅合金で構成され、この第一の金属板22の一方の面が電子部品3が搭載される搭載面22Aとされており、第二の金属板23は、耐力が30N/mm以下のアルミニウムで構成され、ヒートシンク11は、耐力が100N/mm以上の金属材料で構成され、その厚さが2mm以上とされている。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、床面積を小さくすることができ、かつ組立性が良く冷却性能のバラツキを小さくすることが可能な半導体パワーモジュールを搭載する電力変換装置を提供することにある。
【解決手段】複数の電力用半導体素子が搭載された絶縁基板が、ヒートシンクの冷媒が接触する面と反対側の面に金属接合された半導体パワーモジュールが搭載された電力変換装置であって、水路形成体の複数ある開口部を塞ぐように、前記半導体パワーモジュールが複数個並列に搭載されると共に、モジュール長手方向に冷却用流路が形成され、モジュール内の電力用半導体素子の並列接続の方向はモジュール長手方向とし、モジュールそのものの並列方向はモジュール短手方向とし、モジュール短手方向の辺に直流端子と交流端子を設けることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発熱素子を放熱プレートに搭載してなる電子モジュールを、放熱体に取り付けてなる電子モジュールにおいて、昇温時の放熱性を向上させる取付構造を提供する。
【解決手段】放熱体2の一面は、放熱体側凸部2aと放熱体側凹部2bよりなる凹凸形状とされており、放熱体2の一面と放熱プレート20の他面との間には、当該両面に接触し放熱プレート20を支持する受け部5が介在され、受け部5を介して放熱プレート20と放熱体2とが締結されており、放熱プレート20の他面は、放熱プレート側凸部21と放熱プレート側凹部22よりなる凹凸形状をなすと共に、放熱体側凸部2aが放熱プレート側凹部22に入り込むことで、当該両凸部2a、21が噛み合った状態とされており、線膨張係数は、受け部5<放熱プレート20<放熱体2の大小関係となっている。 (もっと読む)


【課題】安価であると共に、Agのマイグレーションを防止する信頼性の高い高放熱型電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】平板状からなるヒートシンク板12の上面に窓枠形状からなるセラミック枠体13の一方の主面の全面と、セラミック枠体13の他方の主面の所定面に1、又は複数の平板状からなる外部接続リード端子15の先端部下面とが、それぞれの間に接合材層14、14aを設けて接合される高放熱型電子部品収納用パッケージ10であって、接合材層14、14aが、ヒートシンク板12、及び/又はセラミック枠体13に、Cu金属粉末に無鉛ガラス粉末と溶剤を混合させたCuペーストで印刷して形成するCuメタライズ膜を設けた後、ヒートシンク板12、セラミック枠体13、及び外部接続リード端子15を重ね合わせてCuメタライズ膜を焼成して設けられている。 (もっと読む)


【課題】 電子機器において、複雑な実装表面形状を構成するような電子部品群をも効率的に冷却することが可能な冷却方式を提供する。
【解決手段】 電子機器10は、配線ボード11上に実装された1つ以上の電子部品21、22と、電子部品21、22の上方に配置された放熱ユニット12とを含む。電子機器10は更に、配線ボード11及び電子部品21、22と放熱ユニット12との間の空隙を充たす絶縁性の粉末30を含む。粉末30により、電子部品21、22から放熱ユニット12に熱が効率的に輸送され得る。絶縁性の粉末30は、例えば窒化ホウ素又は窒化アルミニウムなどを有するセラミック粉末とし得る。 (もっと読む)


【課題】ヒートシンクとその上面側に配された端子板及び発熱体とを、モールド樹脂で封止した構成の半導体装置において、ヒートシンクと発熱体や端子板との相対的な位置精度を確保できると同時に、ヒートシンクと発熱体や端子板との電気的な短絡を防止できるようにする。
【解決手段】端子板3,4と、この端子板3,4と共に板状のヒートシンクをその厚さ方向から挟み込む狭持用リード7と、これら端子板3,4及び狭持用リード7を一体に連結する板状の枠体部5とを備え、狭持用リード7が、枠体部5に対して弾性変形可能に形成されると共に、ヒートシンク及び端子板3,4を封止するモールド樹脂の形成予定領域の外側に配されていることを特徴とする半導体装置製造用のリードフレーム1を提供する。 (もっと読む)


【課題】ハーフモールド構造を有する電子装置において、ヒートシンクと放熱部材との接触を適切に確保する。
【解決手段】回路基板10をその第1の板面11にてヒートシンクの第1の板面31に接着したものを、モールド樹脂40により封止するとともに、ヒートシンク30の第2の板面32をモールド樹脂40より露出させ、このヒートシンク30の第2の板面32に放熱部材70の一面71を接触させてなる電子装置において、モールド樹脂40のうち回路基板10の他方の板面12側に位置する部位の厚さT1を、モールド樹脂厚さT1としたとき、モールド樹脂厚さT1とヒートシンク30の板厚T2との比T1/T2が、1.8以上である。 (もっと読む)


【課題】LEDチップパッケージ基板として、金属製のリードフレーム構造を採用しつつ、高価なLEDチップの封止樹脂を、より限定的に注入可能にする。
【解決手段】リードフレームは、LEDチップが搭載される本体部と、この本体部の両側に位置して本体部とは直交する方向に、LEDチップの発光方向と同じ側に伸びる一対の壁部を備える。一対の壁部は、リードフレームを分割する開口により互いに分離されて、一対の接続電極として機能する。リードフレームの本体部のおもて面にLEDチップを固定して、このLEDチップの接続電極を分割したリードフレームのそれぞれと接続する。リードフレームの両側の壁部の間のスペースに透明樹脂を用いて樹脂封止する。リードフレームの裏面側に絶縁層を接着剤により貼り付ける。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスに所望の冷却を与えることのできる電子機器の放熱構造を提供する。
【解決手段】基板15上には電子デバイス(IC)16が搭載され、電子デバイス16の上には放熱シート17が設けられ、さらに、放熱シート17の上には放熱シート17に密着させて伝熱冷却板18が設けられている。基板15および伝熱冷却板18は、止めネジ20でケース19(筐体)に固定されている。伝熱冷却板18は、一端側にZ状に折り曲げられたZ折り部25(高さ調整部)を有し、さらに水平に延伸させて、端部が止めネジ21でケース19に固定されている。Z折り部25は、伝熱冷却板18の高さに応じて、折り角度を変更できるようになっている。 (もっと読む)


【課題】絶縁性板材と、絶縁性板材の上面に積層固定される導電性板材と、導電性接着剤を介して導電性板材の上面に電気接続状態で積層固定され、通電により発熱する発熱体とを備える半導体装置において、絶縁性板材と導電性板材との熱膨張係数の差に基づく発熱体や導電性接着剤への応力集中を緩和し、半導体装置の品質低下を抑える。
【解決手段】絶縁性板材3の上面3a及びこれに対向する導電性板材4の下面41bに、互いに噛み合う凹凸面31,44をそれぞれ形成し、これら凹凸面31,44同士を噛み合わせることで、絶縁性板材3の上面3a及び導電性板材4の下面41bに沿う面方向への絶縁性板材3及び前記導電性板材4の相対移動を規制する。 (もっと読む)


【課題】放熱性に優れる放熱構造体を提供すること。
【解決手段】放熱構造体1は、基板2と、基板2に実装される電子部品3と、電子部品3から生じる熱を放熱させるためのフレーム4と、基板2に、電子部品3を被覆するように設けられる熱伝導性接着シート5とを備え、熱伝導性接着シート5は、板状の窒化ホウ素粒子8を含有する熱伝導性層6を備え、熱伝導性層6は、面方向SDの熱伝導率が、4W/m・K以上であり、熱伝導性接着シート5が、フレーム4に接触している。 (もっと読む)


【課題】フラックスろう付法を適用してもセラミックス基板と金属板との接合部に剥離を生じさせず、接合信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】側面13aに高酸素濃度部17を有する金属板13とセラミックス基板11とを積層状態にろう付する第1ろう付工程と、金属板13とヒートシンク14とをフラックス16を用いたろう付法により接合する第2ろう付工程とを有し、第2ろう付工程において、金属板13とヒートシンク14との間からはみ出したフラックス16と金属板13の高酸素濃度部17とを反応させるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム−セラミック複合材料からなる基材2の外周面が、高い熱伝導率を有し厚みが小さくかつ均一で、接合強度に優れた被覆層9によって被覆され、面方向のトータルの熱膨張率が小さい上、厚み方向のトータルの熱伝導率にも優れたヒートスプレッダ1とその製造方法を提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダ1は、アルミニウム−セラミック複合材料中のアルミニウムの純度を99質量%以上、素子搭載面10を構成する被覆層9の厚みを0.05〜0.5mm、被覆層9を形成するアルミニウム−マグネシウム合金のマグネシウム含量を0.4〜8.5質量%、基材2と被覆層9との接合強度を100MPa以上とした。製造方法は、アルミダイカスト金型内に非酸化性または還元性の加熱ガスを導入して基材を加熱後、密閉状態としてアルミニウム−マグネシウム合金を、圧をかけながら押し込む。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で放熱特性を向上させることができると共に、幅が狭く細長い、蛍光管タイプのような照明装置に用いる場合でも優れた放熱特性を発揮することができる発熱源実装用基板モジュール及び該発熱源実装用基板モジュールを備える照明装置の提供を課題とする。
【解決手段】発熱源30を実装するためのフレキシブルプリント配線板20を、金属板10に取り付けてなる発熱源実装用基板モジュール1であって、前記フレキシブルプリント配線板20は、前記金属板10の寸法よりも広面積なものとすると共に、その表面に導電層22を備えたものを用い、前記金属板10の一面側から他面側に折り曲げて、一面側と他面側とに接面状態に取り付けてあることを特徴とする発熱源実装用基板モジュールである。 (もっと読む)


【課題】下部電極の凹部の底面と上部電極の下面との間にはんだを容易に充填することができる下部電極と上部電極との接続構造を提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダ20は、上面20aに凹部21を有している。上部電極30は、凹部21の一部を覆い、水平部33の下面33aが凹部21の底面21aと離間している。凹部21の側面と上部電極30の側面との隙間が凹部21の底面21aと上部電極30の水平部33の下面33aとの隙間よりも狭くなっている部位を有している。凹部21の底面21aと上部電極30の水平部33の下面33aとの間に、凹部21における上部電極30で覆われずに上方に開口するはんだ注入口S1から注入したはんだ40が充填されている。 (もっと読む)


【課題】積層型半導体装置の半導体素子の温度低減効果を高めること。
【解決手段】積層型半導体装置50は、半導体パッケージ1の上に、半導体パッケージ5が接続端子8を介して積層されて構成され、マザー基板51に3次元実装される。積層型半導体装置50は、半導体パッケージ1,5の間に配置された放熱部材10を備えている。放熱部材10は、半導体パッケージ1,5の両方に熱的に接触する接触部10aと、半導体パッケージ1,5の外周縁部よりも外方に張り出す張り出し部10bとを有している。放熱部材10の接触部10aには、複数の接続端子8が貫通する開口部11が形成されている。 (もっと読む)


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