【課題】封止材により封止された半導体装置において、リードに電気的に接続されて固着された電子デバイスと、該電子デバイスに電気的に接続される必要のないリードとのショートの回避を図る。
【解決手段】アイランド１１に導電性ペースト１５を介して半導体チップ２０が固着されている。このアイランド１１に向かって複数のリード１２，１２Ａ，１２Ｂが延びている。電子デバイス３０は、該電子デバイス３０に電気的に接続される必要の無いリード１２Ａの両側に並列するリード１２の各表面上で、該表面上に形成された複数の導電突起体１４によって支持され、導電性ペースト１５を介して固着されている。これにより、電子デバイス３０と、電子デバイス３０に接続される必要の無いリード１２Ａの表面との間には、それらのショートを回避するのに十分な離間距離Ｄ１が確保される。 （もっと読む）

【課題】厚み寸法の増大を抑えつつ平面寸法を小さくした半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置１０は、リードフレームＲＭの主面側ＭＦに搭載された回路素子Ｄと、リードフレームＲＭの裏面側ＢＦに搭載されたインダクタ１２と、回路素子Ｄおよびインダクタ１２を樹脂封止する樹脂体１４と、を備えている。回路素子Ｄには、モノリシック集積回路であるＭＩＣ１８が含まれる。 （もっと読む）

【課題】インナーリードのサイズを大きくすることなく、チップ部品を内蔵させることができる、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、リードフレームと、前記リードフレーム上に配置された半導体チップと、前記リードフレーム上に配置されたチップ部品とを具備する。前記リードフレームは、前記半導体チップを搭載するアイランド部と、インナーリード群とを備える。前記インナーリード群は、金属ワイヤを介して前記半導体チップと結線される、第１インナーリードと、前記チップ部品が電気的に接続されるように載せられる、第２インナーリードとを備える。前記第１インナーリードと前記第２インナーリードとは、前記実装基板に設けられた接続用配線を介して、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】電源供給回路または信号伝送回路における不要なノイズの発生をより抑制することによって、より安定した動作をすることが可能な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージＳＢ１は、半導体チップＴＰ、モールド樹脂ＭＲ、リードフレームＬＤ１，ＬＤ２を含む複数のリードフレームＬＤ、およびリードフレームＬＤ１とリードフレームＬＤ２と間に設けられる絶縁性樹脂ＩＲを備える。絶縁性樹脂ＩＲは、リードフレームＬＤ１のインナーリード部ＩＬ１と、リードフレームＬＤ２のインナーリード部ＩＬ２との間に設けられ、インナーリード部ＩＬ１，ＩＬ２に沿って延在する。絶縁性樹脂ＩＲの比誘電率は、モールド樹脂ＭＲの比誘電率より大きい。インナーリード部ＩＬ１，ＩＬ２と絶縁性樹脂ＩＲとによって、インナーリード部ＩＬ１，ＩＬ２を電気的に接続する等価的なコンデンサが構成される。 （もっと読む）

【課題】電極端子とダイパッドとの接触を防止するとともに、電極端子にワイヤボンディングを確実に行うことができる。
【解決手段】受動部品１５は、電極端子１６、１６の上下方向の高さが、素体部１７の高さよりも高く形成されている。より詳しくは、電極端子１６、１６の断面積は、素体部１７の断面積よりも若干大きく形成されている。これにより電極端子１６、１６の上部および下部が、素体部１７よりも若干高くなるように（はみだすように）位置している。受動部品１５は、素体部１７が接着剤３３を介して高位部２８に基板面と略平行になるように固着されており、電極端子１６、１６の一部（下端部）は、凹部２７、２７内の空間にそれぞれ位置する。これにより、電極端子１６、１６とダイパッド２１との間に所定の間隙が形成されている。 （もっと読む）

【課題】外部の温度が変化しても樹脂封止体と回路パターン部とが剥がれることを防止できる回路モジュールを提供する。
【解決手段】回路モジュールとしての制御回路パッケージ６は互いの間隔をあけて設けられた導電性の二つの回路パターン部２２ａ，２２ｂと二つの回路パターン部２２ａ，２２ｂ同士を接続した抵抗３０と二つの回路パターン部２２ａ，２２ｂと抵抗３０を埋設した樹脂封止体１９を備えている。パターン部２２ａ，２２ｂは圧接端子に接続する直線状に延在した接続部４０と抵抗３０が取り付けられる部品取付部４２と接続部４０の幅方向の一方の縁に連なりかつ接続部４０と部品取付部４２との双方に連なっている幅狭連結部４３を備えている。幅狭連結部４３は部品取付部４２と接続部４０との双方よりも幅が狭い。 （もっと読む）

【課題】接着剤の揮発成分の付着によるリードフレームの汚染を防止することができる樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止半導体装置を得る。
【解決手段】接着剤が塗布されるリードフレーム１６の支持部２４には、他の領域に比べて表面粗さが粗くされた粗面領域４０が設けられている。このため、粗面領域４０にのみに接着剤の揮発成分が拡散（ブリード効果）し、他の領域へ拡散が抑制される。このように、接着剤の揮発成分が他の領域に拡散するのを抑制することで、リードフレーム１６の汚染を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】接着剤のはみ出し量を抑え、樹脂の剥離を防ぐことで信頼性に優れるＡＴＣＵの構造を得る。
【解決手段】複数の電子部品２を搭載し、回路パターンを有する基板４と、外部回路と接続するための端子３と、基板４と端子３を電気的に接続するためのボンディングワイヤ７と、基板４に実装された電子部品２の熱をトランスファーモールド樹脂１の外部へ放熱するためのリードフレーム６と、リードフレーム６に基板４を固定し、リードフレーム６と基板４とを電気的に絶縁、熱的に接続するための接着剤５とを、トランスファーモールド樹脂１で一体成形したＡＴＣＵにおいて、リードフレーム６の端部に近づくに従ってリードフレーム６と基板４との距離が大きくなるように、リードフレーム６の基板４接着面に勾配６２を有し、さらに接着剤５がはみ出してリードフレーム６の裏面に拡散するのを防ぐため、リードフレーム６裏面の周辺部には溝６３を設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電子回路封入装置において、ヒートシンクによる別部材を設けることなく、一枚のベース部材のみで封止樹脂によるフルモールド構造を達成し、放熱性の向上，気密性の向上，小型化を提供することである。
【解決手段】ベース部材の窓部の一部に橋渡し部を設け、多層配線基板に半円弧状の反り面を設けて、反り面は導体を片面側に多く配置して成形し、反り面に橋渡し部を接着し、反り面と橋渡し部の接着層を薄くした特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部のドライブ回路からＩＧＢＴのゲート端子に電圧を印加するようにした半導体装置において、ドライブ回路側の構成を変更することなく、半導体装置側にてスイッチング損失のバラツキの低減が図れるようにする。
【解決手段】ＩＧＢＴ１０のゲート端子１０ａとドライブ回路３０とを電気的に接続する接続部３ｅと、当該ゲート端子１０ａとの間に、ＩＧＢＴ１０の閾値電圧のバラツキに起因するスイッチング損失を補正するトリミング抵抗１ａ、１ｂを設ける。それによれば、半導体装置１００は、トリミング抵抗１ａ、１ｂを内蔵するものとなり、このトリミング抵抗１ａ、１ｂは上記スイッチング損失のバラツキを吸収するようにトリミングすることができるため、ドライブ回路３０側の構成を変更することなく、半導体装置１００側にてスイッチング損失のバラツキの低減が図れる。 （もっと読む）

【課題】回路素子やインダクタを複合一体化し、インダクタで発生する熱に対して放熱機能を有する半導体装置を提供する。

【解決手段】第１リード１０と、第１リード１０と分離配置された第２リード１２と、第１リード１０の表面に搭載されるインダクタＬと、第２リード１２に搭載され、第１リード１０及び第２リード１２のアウターリードにてインダクタＬと電気的に接続される回路素子と、第１リード１０の裏面と第２リードの素子搭載部裏面の一部を露出し、インダクタＬ及び回路素子を封止する第１封止体２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】オンチップマイクロトランスを用いずに、小型化、低コスト化を実現することができるトランスを内蔵する半導体装置を提供する。
【解決手段】高圧回路側の半導体素子１１と、低圧回路側の半導体素子１２と、高圧回路側の半導体素子１１を支持する高圧回路側のリードフレームの主面と所定の間隔を有し平行な第１の面上に、高圧回路側のリードフレームと一体的に形成された高圧回路側の平面コイル２３と、第１の面と異なり、低圧回路側の半導体素子を支持する低圧回路側のリードフレームの主面と所定の間隔を有し平行な第２の面上に、低圧回路側のリードフレームと一体的に形成された低圧回路側の平面コイル２４とを有し、高圧回路側の平面コイル２３と低圧回路側の平面コイル２４とは、平面視で互いに重なるように配置される。 （もっと読む）

【課題】リードフレームを用いて電子部品を内蔵した半導体装置を製作する場合、半導体素子の端子数の増大にも良く対応でき、且つ、部品配置の自由度が高い、部品内蔵のリードフレーム型基板とその製造方法およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属板の第１面に配線、第２面に接続用ポスト、それら以外の領域に電子部品が埋設されたプリモールド用樹脂層が有り、好ましくは電子部品実装状態では電子部品の高さが接続用ポストを越えないリードフレーム型基板、及び、その基板に半導体素子が実装され、基板と半導体素子がワイヤーボンディングされた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】中継配線基板を製造する際の材料利用効率が高く、また中継配線基板を整列する必要が無い、中継配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも耐熱性の基材と接着剤層と保護フィルムとからなる多面付けの中継配線基板の製造方法において、該耐熱性の基材の厚みのすべてと、接着剤層の厚みのすべてと、保護フィルムの厚みの一部を、耐熱性の基材側から厚み方向に切断することにより、耐熱性の基材と接着剤層までを完全に切断し、保護フィルムは厚さ方向に完全に切断しない。 （もっと読む）

【課題】リードフレームを用いる半導体装置にあって、半導体素子にキャパシタを接続する場合の外付けのキャパシタ素子あるいは内蔵キャパシタの削減を図る。
【解決手段】半導体装置１１は、半導体素子１２をリードフレーム１３のアイランド１５上に絶縁性接着フィルムを介してマウントし、それらをモールド樹脂層１４により樹脂封止して構成される。アイランド１５を、左右に分離（分割）し、それら左分割部１５ａと右分割部１５ｂとの間の隙間部分に、誘電材料を配置する。左分割部１５ａを１本のリード部１６と繋げ半導体素子１２の電極部１２ａとボンディングワイヤ１８で接続し、右分割部１５ｂを別のリード部１６と繋げ半導体素子１２の別の電極部１２ａとボンディングワイヤ１８で接続することにより、左分割部１５ａ及び右分割部１５ｂを電極としたキャパシタが、半導体素子１２の回路に接続された状態で形成される。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに直接接合される表面実装素子に起因して過電流が流れ予期せぬ部位に不都合が発生しないようにすることができる回路装置を提供する。
【解決手段】２の端子をもつコンデンサ６１と、コンデンサ６１の端子を端子接合部のそれぞれに直接接合されたリードフレーム２０及び３０と、コンデンサ６１及びリードフレーム２０及び３０を封止する封止材８０と、を有し、リードフレーム２０及び３０は封止材８０にて封止するときに挟持して支持できる支持部と、コンデンサ６１に対して電気的に直列な部位に電気的に切断された切断部（リードフレーム３０及び４０の間）とをもち、リードフレームの切断部に接合されて電気的に接続し且つリードフレーム２０、３０及び４０が溶断するよりも低い電流で溶断するボンディングワイヤ７１を有する。 （もっと読む）

【課題】広帯域化と低ジッタ化を実現した差動入出力回路を内蔵したリードフレーム型光モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】差動の入出力部をもつＬＳＩを内蔵したリードフレーム型光モジュールにおいて、高周波信号の入力および出力を行うリードのうち一方の伝搬距離を調整して、他方のリードの伝搬距離と等価的に等長化する等長化手段を、少なくともいずれか一方のリードに設けられた分岐部であるオープンスタブ、あるいは、直線状のリードを所定の長さと所定の高さで折り曲げたコの字型の折曲げ部、あるいは、直線状のリード上に設けられた所定の断面と所定の高さの突起部によって構成することによって、両リードを等長化し、位相差をなくし、それによってジッタの少ない、高速動作が可能なリードフレーム型光モジュールが作製される。 （もっと読む）

【課題】異常発振の防止及びノイズの低減化にＥＳＲの極端に小さいコンデンサを利用する電子回路部品を提供する。
【解決手段】パッケージ化された電子回路部品のリード９に実装穴１８を形成し、コンデンサ１９をこの実装穴１８に挿入しはんだ６によって固定する。このようにリード９にコンデンサ１９を実装することによって、パッケージ内部のトランジスタや制御用ＩＣとコンデンサ１９との距離を近くすることができ、ＥＳＲの極端に小さいコンデンサを用いたとしても十分に異常発振の防止やノイズの低減化を図ることができる。 （もっと読む）

方法および装置は、リードフレームに結合された集積構成要素を有するセンサを提供する。一実施形態では、センサは、集積構成要素からの外部リードをダイの反対側に含む。別の一実施形態では、リードフレームは、渦電流を低減させるための溝を含む。
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【課題】リードフレームに電子素子を搭載したものをモールド樹脂により封止し、インナーリードと電子素子とを導電性接合部材やボンディングワイヤにて接合するとともに、アウターリードを外部の配線部材に溶接するようにした電子装置において、樹脂密着性、ワイヤボンディング性および導電性接合部材の接続信頼性を確保する。
【解決手段】前記リードフレーム２０は、Ｃｕ系金属材料を母材２０ａとして母材２０ａの表面に順次、Ｎｉ−Ｐメッキ膜２０ｂ、母材２０ａ表面よりも粗化された粗化Ｎｉメッキ膜２０ｃが形成されたものであり、リードフレーム２０の表面は、比表面積が１．２〜１．８かつ表面粗さＲａが５０ｎｍ〜１５０ｎｍである。 （もっと読む）