【課題】樹脂封止型の半導体パッケージにおいて、半導体チップ搭載用のダイボンディング材のクラックを防止する。
【解決手段】半導体チップＣＰ１を、ダイボンディング材ＤＢ１を介してダイパッドＤＰ１の上面ｆ１に搭載し、絶縁性樹脂ＩＲ１によって封止する。前記絶縁性樹脂ＩＲ１と接触するダイパッドＤＰ１の上面ｆ１を粗面化し、ダイパッドＤＰ１の裏面ｆ２およびアウターリード部ＯＬ１は粗面化しない。 （もっと読む）

【課題】電気的特性がより向上した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】封止金型５内で、第一の半導体素子１が搭載された第一の金属基板２の一部に、第二の半導体素子３が搭載された第二の金属基板４の一部を、接合材料６を介して押圧しつつ、封止金型５内にモールド樹脂１０を充填させる充填工程と、モールド樹脂１０を硬化するとともに、接合材料６を用いて第一の金属基板２の一部２０と第二の金属基板４の一部４１の間を接合する硬化接合工程とを備えた、半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのサイズを大きくしつつ、半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】半導体装置は、切り欠き部３ａを有し且つ表面の上に第１のめっき層２ａが形成されたダイパッド３と、ダイパッド３の切り欠き部３ａから離間して設けられ、表面の上に第１のめっき層２ｂが形成された第１のボンディング部４と、第２のボンディング部５と、第１のボンディング部４から延びる第１のリード７と、半導体チップ９と、第１の接続部材１０と、第１の接続部材１０と異なる材料からなる第２の接続部材１１と、樹脂封止１２とを備えている。第１のボンディング部４は、ダイパッド３の切り欠き部３ａを含む領域よりも外側の領域に配置されている。半導体チップ９は、ダイパッド３の切り欠き部３ａからはみ出すように搭載されている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの接続の信頼性を高めるとともに、タブとレジンとの剥離を抑止した半導体装置を提供する。
【解決手段】封止体２の一面に露出するタブ４，タブ吊りリード及び複数のリード７と、封止体２内に位置しタブ４の表面に接着剤５で固定される半導体素子３と、半導体素子３の電極とリード７を電気的に接続する導電性のワイヤ２５と、半導体素子３の電極と半導体素子３から外れたタブ４の表面部分を電気的に接続する導電性のワイヤ２５とを有するノンリード型の半導体装置１であって、タブ４はその外周縁が半導体素子３の外周縁よりも外側に位置するように半導体素子３よりも大きくなり、半導体素子３が固定される半導体素子固定領域と、ワイヤ２５が接続されるワイヤ接続領域との間の前記タブ４表面には、半導体素子固定領域を囲むように溝２０が設けられている。タブ４はその断面が逆台形となり、周縁はパッケージ２内に食い込んでいる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置のパッケージサイズにおけるチップの占有率を上げ、半導体装置の小型化に対応させ、同時に、半導体素子の高速化に対応できる回路部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 内部端子部と外部端子部とこれらを一体的に連結するリード部とを有し、内部端子部と外部端子部とがその表裏に分け設けられ、内部端子部、リード部が薄肉に形成され、外部端子部は厚肉に形成された、端子部材を、複数個、それぞれ互いに独立して、各端子部材の内部端子部の端子面を、同じ向きに一平面上そろえて配置し、これらの外側で、前記リード部とは異なる接続リードを介して外部端子部と一体連結して、全体を保持する外枠部を備えている回路部材の製造方法で、金属板材を素材とし、ハーフエッチング加工法により、内部端子部、リード部、接続リード部を、一面側を素材面とし、素材の板厚よりも薄肉にし、外部端子部を、素材の板厚にして、外形加工する。
【選択図】 図５
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【課題】半導体発光素子からの光を反射するべくリードフレームの半導体発光素子側の表面に形成した銀めっき層が硫化し黒色化し易い欠点を解消するのと同時にリードフレームへのワイヤーボンディング性を維持した半導体発光装置を得る。
【解決手段】半導体発光素子を搭載するパッド部と、前記半導体発光素子とワイヤーボンディングにより電気接続するリード部とを有するリードフレームであって、該リードフレームの前記半導体発光素子側の表面に銀めっき層と、該銀めっき層の上に銀合金めっき層が積層され、前記銀合金めっき層はＸ成分として、Ｚｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎのうち一つ以上を含有し、前記銀合金めっき層の厚さを下層である前記銀めっき層の厚さより薄くした半導体発光装置用リードフレームを用いる。 （もっと読む）

【課題】樹脂からの端子の抜け落ちを防止して製品の品質低下を抑制できるリードフレーム及びこれを用いた半導体装置並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１６は、一方側に表面に第１のめっき部１２が形成されたワイヤボンディング部１３を備え、他方側にワイヤボンディング部１３に対応し、表面に第２のめっき部１４が形成された外部接続端子部１５を備え、第１のめっき部１２をワイヤボンディング部１３の先端周囲より突出させ、かつ貴金属めっき層を除く第１のめっき部１２の厚みＴ１を５〜５０μｍとして、ワイヤボンディング部１３の先側周囲に第１の抜止め２３を形成した。製造方法は、第１のめっき部１２を、形成されるワイヤボンディング部１３の先端面に厚めっき２６を施し、更にリードフレーム材２０をエッチング処理することにより形成する。また、半導体装置１０は、このリードフレーム１６を用いた。 （もっと読む）

【課題】紫外域から近赤外域における反射率が良好で、かつワイヤボンディング性が良好であり、耐食性に優れ、特にワイヤボンディング性に優れたリードフレームおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基体１上に設けたロジウムまたはロジウム合金からなる反射層２の上層に、金またはパラジウムまたは白金またはこれらの合金のいずれかで形成された、厚さ０．００１〜０．０５μｍからなる最表層３を少なくともワイヤボンディングが施される箇所に有しており、その最表層３の表面から深さ０．００５μｍ地点におけるナノインデンテーション法による硬さＨ_ＩＴを、５００〜３０００Ｎ／ｍｍ^２とした、光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光の反射率に優れ、高輝度な光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法を提供することを課題とする。また本発明は、長期信頼性及びワイヤボンディング性に優れ、外部に露出した箇所における半田付け性に優れた光半導体用リードフレーム及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基体上にワイヤボンディングが施される光半導体装置用リードフレームであって、該基体上に銀又は銀合金からなる反射層が形成され、該反射層上にインジウム、インジウム合金、錫、及び錫合金からなる群から選ばれた金属又は合金からなる耐食皮膜層が厚さ０．００５〜０．２μｍで形成され、該耐食皮膜層上に金、白金、銀を含まない金合金、銀を含まない白金合金からなる群から選ばれた金属又は合金からなる最表層が厚さ０．００１〜０．０５μｍで少なくとも該ワイヤボンディングが施される箇所に形成されている光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＮ(Quad Flat Non-leaded package)の多ピン化を推進する。
【解決手段】半導体チップ２は、ダイパッド部４上に搭載された状態で封止体３の中央部に配置されている。ダイパッド部４の周囲には、ダイパッド部４および吊りリード５ｂと同一の金属からなる複数本のリード５がダイパッド部４を囲むように配置されている。これらのリード５の一端部側５ａは、Ａｕワイヤ６を介して半導体チップ２の主面のボンディングパッドと電気的に接続されており、他端部側５ｃは、封止体３の側面で終端している。リード５のそれぞれは、半導体チップ２との距離を短くするために、一端部側５ａがダイパッド部４の近傍まで引き回されており、隣接するリード５とのピッチは、一端部側５ａの方が他端部側５ｃよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を低下させることなく、製造コストの削減を可能とするリードフレーム及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】素子搭載部、インナーリード及びアウターリードを備えたリードフレームの製造方法において、前記アウターリードの輪郭を形成する工程と、前記素子搭載部、前記インナーリード及び前記アウターリードの表面及び裏面、前記アウターリードの側面にめっき層を形成する工程と、前記めっき層をレジストマスクとして前記リードフレーム材にエッチング加工を行い凹部を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高い正反射率を示し、拡散反射による光の損失を低減すると共に、反射膜とするＡｇの凝集や変色がなく、ＬＥＤ素子が発光した光を高効率で継続して利用することを可能とするＬＥＤ用リードフレームを提供する。
【解決手段】銅または銅合金からなる基板１１の表面に、膜厚０．４μｍ以上１０μｍ以下の光沢Ｎｉめっき膜１２を介して、膜厚２００ｎｍ以上５μｍ以下のＡｇ合金膜１３を積層してなるＬＥＤ用リードフレーム１０であって、Ａｇ合金膜１３がＧｅ：０．０６〜０．５ａｔ％を含有し、表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より高い生産性を有する電子ユニットを得る。
【解決手段】本発明の電子ユニットは、電子部品を実装した基板１１０と、前記基板を固定するリードフレーム１００と、前記リードフレームに設けられているスポットニッケルめっき部４００と、前記基板と前記リードフレームを電気的に接続するワイヤ１２０と、前記基板と前記リードフレームの一部とを封止する樹脂１３０とを有し、前記スポットニッケルめっき部４００は、所定の結晶粒径の第１のめっき層４１０と、前記第１のめっき層４１０を覆うように設けられ、当該第１のめっき層４１０よりも結晶粒径が小さい第２のめっき層４１５とからなる。 （もっと読む）

【課題】リードが切り離されるときに、金属板が新たに露出されるのを防ぐことにより、金属ウィスカ形成を軽減することで、信頼性の向上した金属メッキされたリードを有する電子デバイス・パッケージを提供する。
【解決手段】電子デバイス・パッケージ１００が、切り欠き２０５を有する少なくとも１つのリード１１０を有するリード・フレーム１０５を備える。切り欠きは、少なくとも１つの１８０度より大きい凹角を含み、切り欠きは、リードの切断端に対して遠位に位置する。 （もっと読む）

【課題】圧電振動デバイスを備えており、かつ、電子機器に自動実装することができるリードタイプの電子部品を提供する。
【解決手段】第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃと、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃの各一端部にそれぞれ延設された第１〜第３パッド部２ａ〜２ｃと、第２パッド部２ｂに搭載され、第１、第３パッド部２ａ，２ｃに電気的に接続された水晶発振器３と、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃの各一端部ごと第１〜第３パッド部２ａ〜２ｃと水晶発振器３を封止する樹脂パッケージ部とから構成されており、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃのうちの樹脂パッケージ部内に配置される部位表面に銀めっき、アルミニウムめっきまたは金めっきが施されている。 （もっと読む）

【課題】リードフレームの実装面に樹脂漏れ防止用のテープを貼着し、リードフレームの片面を一括樹脂封止する際に樹脂ばりを生じさせずに樹脂封止することができるリードフレームを提供する。
【解決手段】ダイパッド１２とダイパッド１２の辺に沿って配置されたリード１４とを備える単位フレーム部が、縦横に多数個連設されたリードフレーム４０であって、前記ダイパッド１２のワイヤボンディング位置となる周縁部の上面と、前記リード１４のワイヤボンディング位置となる上面との少なくとも一方に、段差１２ａ、１４ａが形成され、前記段差１２ａ、１４ａに、リードフレーム４０の表面と均一高さに、めっき１６が施されている。 （もっと読む）

【課題】誤配線を防止しつつ、かつ、インナリードの認識不良を抑制する。
【解決手段】半導体チップの主面に形成された複数のパッドと、半導体チップの周囲に配置された複数のインナリード５ａのワイヤボンディング領域５ａａとを、ワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程において、複数のインナリード５ａを含む領域の画像データ９を画像処理手段が取得する工程と、画像処理手段が取得した画像データ９において、隣り合う複数のインナリード５ａを含む認識範囲９ａ内のインナリード５ａの位置を認識する工程と、位置が認識されたインナリード５ａのワイヤボンディング領域５ａａにワイヤを接合する工程とが含まれる。ここで、複数のインナリード５ａは、ワイヤボンディング領域５ａａの隣に配置される第１領域５ａｂを有し、第１領域５ａｂは、隣り合うインナリード５ａが有する第１領域５ａｂの光反射率が交互に異なるように配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のパッケージサイズにおけるチップの占有率を上げ、半導体装置の小型化に対応させ、同時に、半導体素子の高速化に対応できる半導体装置に用いられる回路部材とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の端子と電気的に接続するための内部端子部１３１と、外部回路への接続のための外部端子部１３２と、前記内部端子部と外部端子部とを一体的に連結するリード部１３３とを有し、内部端子部と外部端子部とがその表裏に分け設けられ、内部端子部、リード部が薄肉に形成され、外部端子部は厚肉に形成された、端子部材を、複数個、それぞれ互いに独立して、且つ、各端子部材の内部端子部の端子面１３１Ｓを、同じ向きに一平面上そろえて配置し、更に、これらの外側で、前記リード部とは異なる接続リード１３４を介して外部端子部と一体連結して、全体を保持する外枠部１３５を備えている。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂より露出するリードに求められる樹脂封止時のリードと樹脂界面での樹脂バリ発生防止、及び露出したリードの樹脂からの脱落を防止しつつ、良好なボンディング性を有するリード露出型パッケージ用リードフレームを提供する。
【解決手段】リード露出型パッケージ用リードフレームのインナーリードへの剪断加工により、インナーリードに生じる変形部を移動して形成されるインナーリード打ち抜き下面の幅より狭い幅のインナーリード打ち抜き上面と、左右対称且つ片面が少なくとも３面で形成されるインナーリード左右側面を有し、前記インナーリード左右側面間の最大幅が前記インナーリード打ち抜き下面の幅より広い形状である封止樹脂からのインナーリードの脱落防止形状を備え、インナーリードの打ち抜きダレ部がなく、且つボンディング性に優れるリードフレームめっき面を有するリード露出型パッケージ用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの割れや欠けなどの欠陥の発生を防止する。
【解決手段】リードフレームを準備する工程と、ダイパッド５ｃにチップ（半導体チップ）２を接合する工程と、チップ２のパッド（端子）２ｃとリードフレームのインナリード（リード）５ａとワイヤ（導電性部材）を介して電気的に接続する工程とを有するＱＦＰ（半導体装置）１の製造方法であって、インナリード５ａの一部にワイヤ６と接合されるめっき層５ｅを形成する工程を含んでいる。このめっき層５ｅはダイパッド５ｃを支持する吊りリード５ｄの第１領域５ｆにも形成されるが、第１領域５ｆの内側の先端は、チップ２をダイパッド５ｃと接合する工程においてチップ２が配置されるチップ配置領域５ｇよりも外側に配置するものである。 （もっと読む）