【課題】高い正反射率を示し、拡散反射による光の損失を低減すると共に、反射膜とするＡｇの凝集や変色がなく、ＬＥＤ素子が発光した光を高効率で継続して利用することを可能とするＬＥＤ用リードフレームを提供する。
【解決手段】銅または銅合金からなる基板１１の表面に、膜厚０．４μｍ以上１０μｍ以下の光沢Ｎｉめっき膜１２を介して、膜厚２００ｎｍ以上５μｍ以下のＡｇ合金膜１３を積層してなるＬＥＤ用リードフレーム１０であって、Ａｇ合金膜１３がＧｅ：０．０６〜０．５ａｔ％を含有し、表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっきされたリードフレームへの成形物の密着性を促進させる。
【解決手段】ニッケルおよびニッケル合金層のエッチング方法を開示する。本発明のエッチング組成物は、無機酸と、複素環式窒素化合物とを含む。さらに、本発明のエッチング方法は、ニッケルまたはニッケル合金層のアノードエッチングを含むことができる。本発明の方法は、半導体パッケージングの製造において使用することができる。 （もっと読む）

【課題】針状ウィスカ１０の発生を抑制した鉛フリーめっき層２を持つめっき部材３を得る。
【解決手段】めっき層２のめっき材料がＳｎ系めっき材料であり、めっき層表面において、Ｓｎ結晶粒の（００１）面の占める割合が最も多くなるようにめっき層２を形成する。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーのめっき材料を採用しながら、端子１５の表面に形成したＳｎ系薄膜層にウィスカが発生するのを抑制でき、かつはんだ付け性も良好なる電子部品を得る。
【解決手段】端子１５を有する電子部品１０において、端子１５の表面に、Ｓｎ系薄膜層として、Ｓｎ系めっき層１６と、その表面に厚さ５００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であるＳｎ系化合物層１７を形成する。または、端子１５の表面にＳｎイオン注入層１８のみを形成する。 （もっと読む）

【課題】接触または無電解めっきを安定かつ効率的に実施するための化学的めっき方法を提案する。
【解決手段】金属外環２の開口にガラス４によりリード部材５を気密封着した気密端子１に部分めっきする場合、被めっき金属素材となるリード部材５に電気化学的な犠牲電極を設けてめっき液８に浸漬する化学的めっき方法である。ここでリード部材５の被めっき金属素材にニッケル、犠牲電極に亜鉛および錫が利用され金めっき液に浸漬して所望厚さに制御された金めっき膜９を無ピンホールで密着性良好なめっきを得る。 （もっと読む）