【課題】不揮発性半導体メモリ装置、特に、埋め込み半導体装置で書き込みと消去を繰り返し得る不揮発性メモリ機能を提供する不揮発性半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板に形成された第１活性領域及び第２活性領域を分離する素子分離領域と、前記第１活性領域に第１絶縁膜を媒介として形成されたトランジスタ電極と、前記第１活性領域に第２絶縁膜を媒介として形成された第１キャパシタ電極と、前記第２活性領域に第３絶縁膜を媒介として形成されて、前記トランジスタ電極及び前記第１キャパシタ電極に電気的に接続した第２キャパシタ電極と、を備える。 （もっと読む）