【課題】微細化に適した構造の高誘電率絶縁膜を用いた不揮発性半導体記憶装置を及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の１態様による半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に第１の絶縁膜を介して形成された複数の第１の導電体層と、前記複数の第１の導電体層間に形成された素子分離と、前記第１の導電体層上に形成された酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜及び前記素子分離上に形成され、前記酸化シリコン膜及び前記素子分離上に形成され、少なくとも前記酸化シリコン膜と接している表面にシリコン及び酸素が拡散された高誘電率絶縁膜と、前記高誘電率絶縁膜の上方に形成された第２の導電体膜と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】トンネル絶縁膜の劣化を防止することができ、不揮発性メモリ半導体装置のデータの書き込み、消去の回数の増加を図ることができる不揮発性メモリ半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ半導体装置１のトンネル絶縁膜１５１の窒素原子濃度は、０．１〜５atomic％である。また、トンネル絶縁膜１５１の窒素原子は、主として、トンネル絶縁膜１５１の界面層に存在しており、この界面層の窒素原子濃度が、トンネル絶縁膜１５１の他の部分における窒素原子濃度よりも１０倍以上高くなっている。さらに、トンネル絶縁膜１５１の浮遊ゲートに接する表面の窒素の面密度は、４×１０^１４atoms/cm^２以下である。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流の少ない高誘電体膜を有する絶縁膜の形成方法、半導体装置の製造方法、半導体装置を提供しようとするものである。
【解決手段】 以下の工程を含む。酸化剤に曝されることによりその表面に酸化膜を形成する材料からなる下地膜４が形成される。金属原料を含むソースガスと第１酸化力を有する第１酸化剤とを交互に供給することにより、下地膜上に第１絶縁膜５ａが形成される。金属原料を含むソースガスと第１酸化力より強い第２酸化力を有する第２酸化剤とを交互に供給することにより、第１絶縁膜上に第２絶縁膜５ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のトレンチ構造を有するポリシリコンに対し、プラズマを用いて均一な窒化処理を行なうことが可能なプラズマ窒化処理方法を提供する。
【解決手段】被処理体表面に露出したポリシリコン膜を窒素含有プラズマにより窒化するプラズマ窒化処理方法であって、複数のスロットを有する平面アンテナ３１にて処理室内１にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、６６．７Ｐａ〜１３３３Ｐａの処理圧力で前記ポリシリコン膜をプラズマ窒化処理することを特徴とする、プラズマ窒化処理方法。 （もっと読む）

【課題】 成膜中に低誘電率界面層を生成させず、かつ熱処理後も低誘電率界面層の生成を抑制でき、ゲート絶縁膜としての High-ｋ膜を有効利用する。
【解決手段】 Ｓｉ基板１０上にゲート絶縁膜１２を形成した後にゲート電極１３を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜１２として、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，及びランタノイド金属のうち少なくとも一つを含む酸化膜を、５００℃以上８００℃以下の温度領域で、且つ酸素分圧が１×１０^-4Ｐａ以下の雰囲気下で成膜する。 （もっと読む）

誘電体層（１４，２２，２４，３２）は、ランタン、ルテチウム、及び酸素により構成され、かつ２つの導体の間、または導体（１４，２０，３４）と基板（１２，２６，３０）との間に形成される。一の実施形態では、誘電体層は基板を覆って形成され、境界層を追加する必要がない。別の実施形態では、誘電体層（２２，４２，４６）に含まれる元素の分布は、ランタン含有量またはルテチウム含有量に関して傾斜する、または誘電体層（２２，４２，４６）は別の構成として、アルミニウムを含むことができる。更に別の実施形態では、絶縁層を導体または基板と誘電体層との間、または導体及び基板の両方と誘電体層との間に形成する。誘電体層は、分子ビームエピタキシー法によって形成することが好ましいが、原子層化学気相成長、物理気相成長、有機金属化学気相成長、またはパルスレーザ堆積によって形成することもできる。
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