アクティブフューズはアクティブフューズ構造（１２０）を備え、この構造を使用して可変抵抗体（１０６）及び選択トランジスタ（１１０）の双方を形成する。一の実施形態では、アクティブフューズ構造は、半導体基板（１４０）の活性領域（１６０）の一部に形成され、選択ゲート（１２４）はアクティブフューズ構造の一方の端部（１２３）の上に配置されてアクティブフューズへの書き込みに使用する一体型選択トランジスタ（１１０）を形成する。共有型のアクティブフューズ構造を活性領域の内部に使用することによって、面積要件を縮小し、かつ検出マージンを大きくすることができる。
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ＳＯＮＯＳフラッシュメモリセル（２４）をＵＶにより誘発される電荷から保護する方法であって、ＳＯＮＯＳフラッシュメモリセル（２４）を半導体デバイス（１０、５０）に製造するステップと、ＳＯＮＯＳフラッシュメモリセル（２４）上に、少なくとも１つのＵＶ保護層（３８、４６、４８、又は５２）を蒸着させるステップとを含み、ＵＶ保護層には実質的にＵＶ不透過性の材料が含まれる。ＳＯＮＯＳフラッシュメモリセル（２４）と、少なくとも１つのＵＶ保護層（３８、４６、４８又は５２）（ＵＶ保護層には実質的にＵＶ不透過性の材料が含まれる）を含むＳＯＮＯＳフラッシュメモリデバイス（１０、５０）が提供される。
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【課題】 多ビットのデータを入出力可能であって、動作速度の遅延や消費電力の増大を抑えたＤＲＡＭを提供する。
【解決手段】 このＤＲＡＭでは、多数のグローバル入出力線対ＧＩＯがサブワードドライバ領域２４間のメモリセルアレイ上を走る。ローカル入出力線対ＬＩＯはメモリサブブロック２６ごとに複数に分割される。グローバル入出力線対ＧＩＯとローカル入出力線対ＬＩＯを接続するスイッチング素子３０はセンスアンプ領域２２上に分散して配置される。１つのローカル入出力線対ＬＩＯには複数のビット線対が共通に接続される。 （もっと読む）