【課題】周囲温度が変化して半導体光センサの暗電流が変化した場合や、微量な光がケースを透過した場合でも、ケースが開封されたことを正確に検知できる開封検知装置を提供することにある。
【解決手段】開封検知装置１０の判定回路１６は、比較回路１３の比較結果に基づき、第２の電圧信号Ｖｂが第１の電圧信号Ｖａの電圧レベルを上回った場合にケース３０が開封されたと判定する。電圧信号Ｖｂは、遅延回路１２の遅延時間ｔｄ分だけ電圧信号Ｖａよりも遅れて変動する。そのため、ケース３０が開封されていない場合には、電圧信号Ｖｂが電圧信号Ｖａの電圧レベルを絶対に上回らないように、遅延時間ｔｄを最適値に設定しておくことで、周囲温度の変化やケース３０を透過した光量の変化に起因する電圧信号Ｖａの変動の影響を回避してケース３０の開封を検知できる。 （もっと読む）

本発明の態様は、赤外線（IR）検出のための方法および装置に関する。IR放射線を検出するためのフォトトランジスタを生産するために、有機層を利用することができる。IR検出器の波長範囲を、異なる波長の光子に対して感受性がある材料を組み込むことによって改変することができる。量子ドットの材料に関連する波長を有する光子の吸収を増強するために、フォトトランジスタの吸収層のホスト有機材料とは異なる波長の光子に対して感受性の材料の量子ドットを、吸収層に組み込むことができる。光伝導体構造をフォトトランジスタの代わりに用いることができる。光伝導体には、PbSe量子ドットまたはPbS量子ドットを組み込むことができる。光伝導体には有機材料およびOLED構造の一部を組み込むことができる。検出されたIR像をユーザーに表示することができる。有機材料を有機発光デバイスを作製するために用いることができる。

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【課題】 製造コスト的に有利に、可視光の光量を反映した照度を測定することができる技術を提供する。
【解決手段】 照度センサチップにおいて、第１半導体層と、上記第１半導体層に接合された第２半導体層と、を有し、上記第１半導体層と上記第２半導体層との接合部分に上記第２半導体層を介して光が入射した場合に、上記接合部分への入射光量に応じた電気信号を出力するように構成し、上記第２半導体層の厚みを、上記電気信号の出力量を基準とした分光感度特性におけるピーク感度波長が、可視光の波長範囲（たとえば５８０〜６００ｎｍ）となるように、たとえば２〜４μｍ設定した。第２半導体層をシリコン半導体として構成するとともに、照度センサを、ｎｐｎ接合を有するフォトトランジスタとして構成する。 （もっと読む）