【課題】光センシング装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとが、それぞれ同じ構造の酸化物半導体トランジスタで形成される光センシング装置、及び前記光センシング装置の動作信頼性を向上させることができる駆動方法が提供される。光センシング装置によれば、光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとは、一つの基板上で同じ構造に隣接して形成され、スイッチトランジスタへの光の入射を防止するために、スイッチトランジスタの光入射面には光遮蔽膜がさらに配される。また、光センシング装置の駆動方法によれば、経時的なスイッチトランジスタのしきい電圧シフトを防止するために、光遮蔽膜には負（−）のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出装置の感度低下を抑えつつ、耐衝撃性を向上させる。
【解決手段】少なくとも全放射線撮影領域を含む底部を有する凹部が形成された基板（１４）と、放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有し、前記基板の凹部に設けられる蛍光体（１８Ａ、１８Ｂ）と、前記蛍光体が設けられた凹部とは反対側に設けられ、前記蛍光体から発せられた蛍光を光電変換する光電変換素子の群（２６）と、前記蛍光体を支持する支持体（１２Ａ，１２Ｂ）と、前記支持体と前記基板とを固定する固定部（１３Ａ）と、を備え、放射線入射側から、光電変換素子、基板、蛍光体、支持体の順に並んでいる放射線画像検出装置（１，２）。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】放射線による閾値電圧の変化を増幅することができ、また、温度補償を行うことができる二種類の金属酸化物半導体電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を有する放射線量計およびその操作方法を提供する。
【解決手段】放射線量計は、同じ基板に集積された二つの放射線電界効果型トランジスタ（ＲＡＤＦＥＴ）および二つのＭＯＳＦＥＴを含む放射線集積回路（ＲＡＤＩＣ）、または、同じ基板に集積された二つのＲＡＤＦＥＴ、および二つの抵抗器を含むものである。閾値電圧の変化の増幅は、ＭＯＳＦＥＴインバータの増幅原理を用い、いずれも、第一のＲＡＤＦＥＴのゲートには順方向のバイアスがかけられ、第二のＲＡＤＦＥＴのゲートはバイアスが外される。増幅された差分閾値電圧の変化は、示度モードで測定される。放射線感度が高められたため、ミリラッドの線量測定が可能となり、温度効果およびドリフトは、ほぼ除去される。 （もっと読む）

【課題】 放射線量に関するリアルタイムの情報を得ることができる放射線モニタリングの方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスが、半導体基板と、半導体基板上に配置された埋め込み絶縁体層であって、半導体デバイスによる放射線曝露に応じて、ある電荷量を複数の電荷トラップ内に保持するように構成された埋め込み絶縁体層と、埋め込み絶縁体層上に配置された半導体層と、半導体層上に配置された第２の絶縁体層と、第２の絶縁体層上に配置されたゲート導体層と、半導体層に電気的に接続された１つ又は複数の側面コンタクトとを含む。放射線モニタリングのための方法が、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む放射線モニタにバックゲート電圧を印加すること、放射線モニタを放射線に曝露することと、放射線モニタの閾値電圧の変化を求めることと、閾値電圧の変化に基づいて放射線曝露量を求めることとを含む。 （もっと読む）

【課題】画素化された撮像装置を提供する。
【解決手段】数個の画素を含む撮像装置であって、各々の画素は少なくとも、
−第１の電極（１２２）及び第２電極（１０２）の間に配置され、及び光子及び／または高エネルギー粒子放射の電気信号への変換を達成することができるダイアモンド層（１０４）の一部と、
−前記電気信号を増幅及び／または読出すための電子回路（１１０）であって、少なくとも前記第１の電極に電気接続され、及び前記ダイアモンド層及び該ダイアモンド層と前記電子回路との間に位置された誘電層（１０６）を含むＳＯＤ型基板の表面層を形成し、おおよそ１μｍに等しいかそれより薄い厚さを有している半導体材料層（１０８）の一部で作られた電子回路と、
を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を用いた放射線検出素子は小型軽量などの利点があるが、放射線を透過しやすいので放射線検出効率が低いという問題があった。
【解決手段】本願の放射線検出素子及び放射線検出装置は、放射線検出素子の放射線入射面にタングステンなどの金属からなる膜を形成し、放射線の入射エネルギーを減衰させることにした。入射エネルギーを減衰させることで放射線入射によるキャリア生成効率が向上し、金属膜の膜厚を最適化して、放射線検出効率向上が可能になった。 （もっと読む）

【課題】高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換素子を組み込んだ光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、第１電極２１と第２電極２２との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層３０に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層３０にて生成する電流が照射時間の経過に従って変化する光電変換素子１１、並びに、（ｂ）該電流変化を検出する電流検出回路４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁層の膜厚の面内分布による画像ムラを低減でき、良好な画像を得ることが可能な放射線検出装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子２、スイッチ素子３、Ｓｉｇ線、Ｖｇ線、光変換素子とスイッチ素子の間に配置された層間絶縁層１６を有する複数の画素を絶縁基板１０上にマトリクス状に配置する。その際、画素ピッチをＰ、１画素におけるＳｉｇ線とＶｇ線の重なり容量の総和をＣａ、１画素におけるＳｉｇ線と光電変換素子の重なり面積をＳ、層間絶縁層の膜厚をｄ、比誘電率をε、真空誘電率をε０とする。その場合、Ｃａ≧ε_０×ε×Ｓ／ｄ、且つ、７ｄ≦Ｐ／２の関係を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】光劣化が抑制され、長寿命であり、かつ簡単な構成のＴＦＴ光センサ及びこのＴ
ＦＴ光センサを備えた液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光センサは、半導体層１４Ｌ１〜１４Ｌｎとしてアモルファスシリ
コン層を用いた薄膜トランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎであって、前記薄膜ト
ランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎのチャネル領域の表面は外光の積算光量に応
じて光透過率が上昇する材料からなる層１８が形成されていることを特徴とする。この外
光の積算光量に応じて光透過率が上昇する材料からなる層１８としては、ポジ型感光性樹
脂材料からなるものを使用できる。本発明の光センサは、液晶表示装置のバックライト等
の明るさの制御に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜センサの出力電流に混入するノイズ電流の影響を除去できる薄膜センサ装置を提供すること。
【解決手段】光センサ２０を構成するＴＦＴ２０ａの電流出力端子と接続される接続端子５０ａと、ＴＦＴ２０ａの電源用の接続端子と接続される接続端子５０ｂとの間にダミー端子５０ｄを配置し、ダミー端子５０ｄの電位を接続端子５０ａの電位と等しくする。これにより、接続端子５０ａへのノイズ電流の混入が防止される。 （もっと読む）

【課題】表示装置のバックライトの照度制御に特に好適な光センサ及びそれを備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】ａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されるトランジスタＴｒ１に光が照射されることによって出力される光電流信号Ｉｄを増幅回路によって増幅する。この増幅回路は、光電流信号Ｉｄを電圧に変換するトランジスタＴｒ２と、電圧増幅を行うトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４と電流増幅を行うトランジスタＴｒ５とを有し、何れもａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されている。バックライトの照度制御は増幅回路によって増幅された電流に基づいて行われる。 （もっと読む）

【課題】感度安定性、残像特性を改善した画像検出装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上に、Ｘ線が照射されることにより電荷が発生する半導体膜６が形成されると共に、各々対向配置された２つの蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４を含み、半導体膜６に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の電荷蓄積容量５が半導体膜６とガラス基板１の間に形成されたＴＦＴアクティブマトリクス基板１０と、ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０のガラス基板１側の面に対して光を照射するバックライト４０と、を備え、蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４は、半導体膜６の当該電荷蓄積容量５が形成された領域に対してバックライト４０から所定強度以上の光が照射されるように形成した。 （もっと読む）

【課題】誤動作のない光電変換装置を提供すること。
【解決手段】第１センサＴＦＴ１００−１のスリット１０４より出射されたバックライト光は透明な対向基板２２を透過して指で反射され、反射光として前記第１センサＴＦＴ１００−１で光電変換されて、該第１センサＴＦＴ１００−１は光電変換状態となるが、スリット１０４を持たない第２センサＴＦＴ１００−２では、センサ間領域１０２から出射されたバックライト光の反射光しか光電変換されないので、該第２センサＴＦＴ１００−２はほぼ非光電変換状態となる。輝度の高い外光が入射した時は、前記第１及び第２センサＴＦＴ１００−１，１００−２とも光電変換する。従って、前記第１センサＴＦＴ１００−１のみ光電変換状態となった場合、指が存在すると判別する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換半導体薄膜上の両側に遮光性導電材料からなるソース電極およびドレイン電極が設けられたフォトセンサにおいて、光電変換半導体薄膜への光入射量を多くする。
【解決手段】 クロム等の遮光性導電材料からなるソース電極９およびドレイン電極１０の相対向する側には切欠部９ｃ、１０ｃが設けられている。これらの切欠部９ｃ、１０ｃは光透過部となるので、光電変換半導体薄膜５への真上からの光入射量のみならず斜め方向からの光入射量をも多くすることができる。 （もっと読む）

【課題】光応答特性が良好で、例えば薄膜トランジスタのチャネル層として好適に用いられる導電路形成層を提供する。
【解決手段】光照射によって可逆的に導電性が変化する有機分子ｍと、この有機分子ｎを結合させ微粒子ｓとで構成された導電路形成層１であり、有機分子ｍの官能基が、微粒子ｓと化学結合している。これにより、有機分子ｍが両端に有する官能基によって、有機分子ｍと微粒子ｓとが交互に結合してネットワークを形成している。 （もっと読む）

【課題】バックライトからの光と外光との双方を同時に利用して表示を行う液晶表示装置において、バックライトからの光の輝度を制御するための外光照度検出センサの反応時間を簡単な方法で遅延する。
【解決手段】液晶表示パネル１の一対のガラス基板２、３のうち裏面側のガラス基板３の上面にはダブルゲート型光電変換薄膜トランジスタからなる外光照度検出センサ４１が一体的に形成されている。一方、表面側のガラス基板２の下面にはクロム薄膜からなる透過率低下用膜４２が設けられている。そして、透過率低下用膜４２を透過した外光が外光照度検出センサ４１のセンサ面に入射することにより、外光照度検出センサ４１のセンサ面に入射される光量が低下し、したがって外光照度検出センサ４１の反応時間を簡単な方法で遅延させることができ、ひいては回路の周波数特性をある程度下げることができる。 （もっと読む）

半導体放射線検出装置であって、半導体材料のバルク層と、バルク層の第１の表面上に、第２導電型の半導体材料の修正された内部ゲート層、第１導電型の半導体材料のバリア層及びピクセルドーピングに対応するピクセルを生成するために少なくとも１つのピクセル電圧に結合されるように適合された第２導電型の半導体材料のピクセルドーピングを順に備え、前記装置は、第１導電型の第１のコンタクトを備え、前記ピクセル電圧は、前記ピクセルドーピングと第１のコンタクトの間のポテンシャルの相違として規定されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 残像、解像度不良、大きな暗電流が生じるのを防止することを可能にする。
【解決手段】 入射するＸ線を電荷に変換するＸ線電荷変換膜と、このＸ線電荷変換膜の両面に設けられた画素電極および共通電極と、備え、前記Ｘ線電荷変換膜は、酸素および水素が添加された、Ｐｂ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｎのいずれかのハロゲン化物である。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを簡略化し、高歩留まりで安価に製造する。
【解決手段】放射線撮像装置は、画素エリア１０を有する放射線撮像用基板と、放射線を波長変換する波長変換体とを有する。画素エリア１０は、絶縁基板１上に、マトリクス状に配設された複数個の容量素子Ｃ１１〜Ｃ３３と、放射線を電荷に変換する光電変換層となる半導体層、ゲート電極、及びソース・ドレイン電極を有し且つ容量素子Ｃ１１〜Ｃ３３に接続されたスイッチ及び光電変換素子としてのＴＦＴ（Ｔ１１〜Ｔ３３）と、容量素子Ｃ１１〜３３にバイアスを印加するバイアス配線（Ｖｓ線）と、ＴＦＴ（Ｔ１１〜Ｔ３３）に駆動信号を供給するゲート配線Ｖｇ１〜３と、ＴＦＴ（Ｔ１１〜Ｔ３３）の出力を読み出す信号配線Ｓｉｇ１〜３とから成る。この構成で、ＴＦＴ（Ｔ１１〜Ｔ３３）に入射する放射線量に応じた電荷を容量素子Ｃ１１〜Ｔ３３に蓄積し、蓄積電荷を出力する。 （もっと読む）