【課題】 光検知素子の検知効率を高めることが望まれている。
【解決手段】 基板の上に、複数の量子ドットを含む量子ドット層が配置されている。量子ドット層の上に、再入射構造物が配置されている。再入射構造物は、量子ドット層を通過した光を反射して量子ドット層に再入射させると共に、第１の方向の偏光成分を、第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分に変換して量子ドット層に再入射させる。 （もっと読む）

【課題】小型および低コストを確保しながら、熱膨張率の差に起因して起こる、バンプの接合不良や、絶縁不良を防止することができる、検出装置、受光素子アレイ、これらの製造方法および光学センサ装置、を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ５０と、ＣＭＯＳ７０とが、バンプ９，３９同士接合され、少なくとも受光素子アレイおよび読み出し回路の一方において、相手側に対面する表面が凹状曲面であり、かつ接合されたバンプ９，３９について、配列された領域の、外周寄り範囲Ｋに位置する接合されたバンプは、中央範囲Ｃに位置する接合されたバンプに比べて、太径で、高さが低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光応答性を有するｐ型の半導体を提供する。
【解決手段】窒素（Ｎ）が添加されたタンタル（Ｔａ）及び酸素（Ｏ）を含むｐ型の半導体材料とする。特に、窒素の添加量が７．１原子％以上４９．９原子％以下とされたＴａ_２Ｏ_５構造を有するものとすることが好適である。 （もっと読む）

【課題】フラーレン分子を有する分子、この分子がナノチューブの外表面及び内表面に共有結合を介して強固に、規則的に、かつ高密度で結合した自己集積体であるナノサイズ構造体、これを用いた新規な材料を提供する。
【解決手段】次の一般式（１）


で表されるヘキサペリヘキサベンゾコロネン誘導体、当該分子が自己組織化してなるナノサイズ構造体、及びそれを含有してなる電荷輸送材料。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜からなる高性能な光検出器、および、それに用いる安定性かつ信頼性のある半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ナノ粒子埋め込み絶縁膜を用いる光検出器１００であって、底部電極１０２と、底部電極１０２の上に重なり、ＮおよびＣからなる群から選択された元素を含む半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜１０４と、半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜１０４の上に重なる上部電極１０６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 素子分離領域に空乏層が接しないように、イオン注入により高濃度不純物層を素子分離領域端に形成した固体撮像素子において、画素部の微細化を図る。
【解決手段】 素子分離領域１３により画素部間が分離された固体撮像装置１０、１０Ａまたは１０Ｂを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク１９として半導体基板１１上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域１３とする。素子分離領域端から所定の距離ｄだけ離れるように設けられたレジストマスクを用いてイオン注入ろ行う従来技術のようにレジストマスクの合わせずれが生じることなく、素子分離領域１３の端からの距離ｄを安定化させて、ｐ型不純物領域１３３を安定化して形成することができる。 （もっと読む）

本発明は、速い成長速度で製造される無色の単結晶ダイヤモンドの新たな利用および用途を対象とする。本発明はまた、速い成長速度で様々な色の単結晶ダイヤモンドを製造する方法、ならびにこのような着色した単結晶ダイヤモンドの新たな利用および用途も対象とする。
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半導体基板は、ＧａＡｓ基板またはＩｎＰ基板と、該基板上に成長させたＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓエピタキシャル層（式中、ｘは約０．０１より大きく、約０．５３より小さい）と、該Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓエピタキシャル層上面上にキャップ層として成長させたより広いバンドギャップのエピタキシャル層とを含む。
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【課題】 素子特性の劣化を招くことなく有機材料を機能膜として用いた機能素子を形成する。
【解決手段】 信号読出回路３、５、７が形成された基板１の上に有機材料を含む光電変換膜１４、１９、２４を積層し該光電変換膜の上に電極膜１５、２０、２５及び絶縁膜１６、２１、２６を積層する光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法であって、絶縁膜１６、２１、２６を積層するときの基板１の基板温度を、電極膜１５、２０、２５の材料によって変化する前記有機材料の結晶化温度より低くなるように制御する。これにより、光電変換特性を劣化させることなく、絶縁膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】 熱中性子にだけ反応し、ガンマ線の影響を受けない、コンパクトな固体検出器の提供。
【解決手段】 対向する縁面の間に１〜１０００ミクロンの厚さを有する１以上のｐＢＮ層と、 ２つの対向面の１つに衝突する中性子の存在を検出する、各対向面上の１以上の金属化接点とを含み、体積抵抗率が約１０^１４ｏｈｍ−ｃｍ未満になるように、ｐＢＮ層を、炭素、ケイ素、チタン、アルミニウム、ガリウム、ゲルマニウム又はこれらの組合せからなる群から選択されるドーパント元素でドープした、熱中性子検出器。 （もっと読む）

【課題】 基板全体における光導電層の膜厚および組成の均一性に優れた二次元画像検出器、並びに、該二次元画像検出器を生産性良く（効率的に）かつ安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】 二次元画像検出器は、複数の画素電極１０…を有するアクティブマトリクス基板１と、上記画素電極１０…に積層された光導電層２とを少なくとも備えており、上記光導電層２が、転写基板上で所定の膜厚に形成された後、上記アクティブマトリクス基板１上に転写されることにより構成されている。つまり、二次元画像検出器の製造方法は、転写基板上で所定の膜厚に光導電層２を形成した後、該光導電層２を上記アクティブマトリクス基板１上に転写する方法である。光導電層２は、粒子状の光導電体と、バインダとの混合物を含んでなっている。上記バインダは、アクティブマトリクス基板１の耐熱温度以下の軟化点を有することがより好ましい。 （もっと読む）