本発明は、ガンマ線の検出器素子（1）に関し、この素子は、特にPET機器での使用に適する。検出器素子（1）は、2以上の異なる変換ユニット（11、12）で構成され、これらのユニットは、ガンマ線（γ）を吸収して、これをスペクトル成分の異なる光放射（λ₁、λ₂）に変換する。従って光検出器配置（30）は、光放射のスペクトル特性を利用することによって、光放射の放射線発生位置を識別することができる。
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【課題】 半導体基板の深さ方向に複数のフォトダイオードを設け半導体の光吸収係数の波長依存性を利用してカラー信号を分離して検出する撮像素子で、暗電流を低減する。
【解決手段】 信号読出回路１１７，１１８に接続される高濃度不純物領域１０７，１０８が表面部に形成された半導体基板１０１と、半導体基板１０１の浅部に形成された青色光検出用のフォトダイオード１０２，１０３，１０４と、半導体基板１０１の深部に形成された赤色光検出用のフォトダイオード１０４，１０５，１０６とを備える単板式カラー固体撮像素子１００において、各フォトダイオードの夫々に連設され半導体基板の表面に露出する接続領域であってフォトダイオードの蓄積電荷を対応の前記高濃度不純物領域１０７，１０８に移動させる接続領域１０３ａ，１０５ａを、高濃度不純物領域１０７，１０８に接する部分にのみ形成する。 （もっと読む）

アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードとの間の有機阻止層を有する有機感光性オプトエレクトロニックデバイスであって、前記阻止層はフェナントロリン誘導体を含有し、励起子、電子及び正孔のうち少なくとも一つを、少なくとも部分的に阻止する。
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【課題】 撮影対象の輝度が低い場合でも視覚的な色解像度の低下を抑えつつ画素信号のＳ／Ｎを高め、各色相の光電変換部の感度バランスを向上して高画質化、高感度化を図る。また、撮影条件等に応じて色解像度を重視するかＳ／Ｎを重視するかを自由に選定可能にする。
【解決手段】 緑色の波長域の光を吸収して信号電荷を発生するＧ感光層１７と、緑色の波長域とは異なる波長域の光を主に吸収して信号電荷を発生するＢ感光層１９，Ｒ感光層２１と、Ｇ感光層１７とＢ感光層１９，Ｒ感光層２１からの信号電荷に応じて画素信号を生成するときに、Ｇ感光層１７の１画素に対して、この１画素に対応する位置のＢ感光層１９，Ｒ感光層２１の対応画素及び該対応画素に隣接する周辺画素の各信号電荷の処理（合算）に応じた値と、Ｇ感光層１７の１画素の信号電荷に応じた値とに基づいて、上記１画素の位置に対する画素信号を生成するようにした。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物を用いたセンサおよＸ線非平面イメージャ。
【解決手段】センサは透明基板上に下部電極、非晶質酸化物半導体層、上部電極で構成される。イメージャは前期センサとＴＦＴを組み合わせて構成する。Ｘ線検出にはシンチレータと組み合わせてもよい。上記膜によりＴＦＴを作製することもできる。非晶質酸化物層の作製にはパルスレーザ蒸着法を用いた。上記膜の電子キャリア濃度は１０＾１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする。上記膜は伝導電子数の増加に伴い電子移動度が増大することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シャープな分光特性を有する光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供し、さらに、光電変換効率が高く耐久性にも優れた光電変換素子、及び撮像素子を提供する。
【解決手段】少なくとも２つの電極に挟まれた有機光電変換膜を有する光電変換素子であって、該光電変換膜が正孔輸送性光電変換膜または電子輸送性光電変換膜を含んでなり、該光電変換膜で生じた正孔または電子を輸送する少なくとも１つの電荷輸送層を有し、該有機光電変換膜の最も長波長側の極大を有する膜吸収スペクトルの半値幅が５０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下である、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 （もっと読む）

【課題】吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供し、さらに、光電変換効率が高く耐久性にも優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子を提供する。
【解決手段】１対の電極間にｐ型半導体の層とｎ型半導体の層が積層構造を持つ光電変換膜を有する撮像素子において、ｐ型半導体及びｎ型半導体のうちの少なくとも１方に配向制御された有機化合物を含む撮像素子、又は、少なくとも一つの有機色素化合物を有する光電変換膜において、該有機色素化合物がＪ会合体を形成しているか、該有機色素化合物の分光吸収遷移双極子モーメントと光電変換素子の電極平面とのなす角が４０°以下である光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 （もっと読む）

光活性ファイバならびにこのようなファイバを製作する方法を提供する。ファイバは、第1電極を含む導電性コアを有する。有機層が第1電極を取り囲み、第1電極に電気的に接続されている。透明な第2電極が有機層を取り囲み、有機層に電気的に接続されている。遮断層またはスムージング層などのその他の層もファイバの中に組み込まれてもよい。ファイバを布地に織ってもよい。
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第1の電極と、第2の電極と、特性吸収波長λ₁を有する第1の光活性領域と、特性吸収波長λ₂を有する第2の光活性領域とを有するデバイスを提供する。光活性領域は、第1の電極と第2の電極の間に配置されており、さらに、第1の光活性領域の方が第2の光活性領域より反射層に近くなるように、反射層の同じ面に配置されている。光活性領域を含む材料は、λ₁とλ₂が少なくとも約10%異なるように選択することができる。このデバイスは、個々の光活性領域の有機アクセプタ材料に隣接して、有機アクセプタ材料と直接接触して配置された励起子阻止層をさらに含むことができる。ここで、カソードに最も近い励起子阻止層以外の各励起子阻止層のLUMOは、アクセプタ材料のLUMOより最大で約0.3eV大きいだけである。
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