【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法で製造された半導体装置１は、量子ドット２０が積層する構造を有した半導体装置であり、半導体層１１上に成長させた量子ドット２０と、量子ドット２０を被覆し巨大な量子ドットを被覆しない、半導体層１１上に形成させた半導体層１２と、半導体層１２上、及び巨大な量子ドットを除去して半導体層１２に発生した除去部分２２に形成させた半導体層１３と、を備えている。これにより、量子ドット２０の密度、形状が均一に形成された半導体装置１が実現される。その結果、量子ドット２０の欠陥に起因した半導体装置１の特性不良が低減し、且つ積層構造による特性向上によって、半導体装置１の性能がより向上する。 （もっと読む）

【課題】小型化でき、実装面積を低減することが可能な受光素子を提供すること。
【解決手段】前方から入射した光を受光する受光素子である。前方にそれぞれ対向し、前後方向に関してそれぞれ位置が異なるヘッダ部１ａ、４ａを有するリードフレーム１、４を備える。複数の受光チップ２、５は、それぞれ受光面を前方に向けた状態でリードフレーム１、４の対応するヘッダ部１ａ、４ａにそれぞれダイボンドされている。少なくとも複数の受光チップ２、５を一体に封止する透光性樹脂６、７を備える。透光性樹脂６、７は入射した光Ｌ１〜Ｌ４を複数の受光チップ２、５にそれぞれ導く共通のレンズ部９０を有する。 （もっと読む）

改善されたハイブリッド平面バルクヘテロ接合を有する感光性光電子デバイスは、アノード（１２０）およびカソード（１７１）間に配置される複数の光伝導性材料（９５０）を含む。光伝導性材料（９５０）は、ドナー物質（１５２）の第一連続層（１５２）およびアクセプター物質（１５４）の第二連続層（１５４）を含む。ドナー物質または複数のドナー物質（９５３ｃ）の第一ネットワークは、第一連続層から第二連続層に向かって伸張し、第一連続層へ向かう正孔伝導の連続経路を供給する。アクセプター物質のまたは複数のアクセプター物質（９５３ｂ）の第二ネットワークは、第二連続層（１５４）から第一連続層に向けて伸張し、第二連続層（１５４）に向かう電子伝導の連続経路を提供する。第一ネットワークおよび第二ネットワークは互いに織り交ざっている。少なくとも一の他の光伝導性材料は、織り交ざったネットワーク間に散在している。他の光伝導性材料または複数の他の光伝導性材料はドナーおよびアクセプター物質とは異なる吸収スペクトルを有する。
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【課題】検出特性が劣化するのを好適に防止することができる半導体放射線検出器および放射線検出装置を提供する。
【解決手段】半導体放射線検出器１は、カソードＣおよびアノードＡの電極で挟まれる半導体結晶１１ａがＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＧａＡｓ、ＴｌＢｒのうち少なくとも一つの半導体結晶を用いてなり、電極のうち少なくとも一方の電極は、複数の金属からなる積層構造とされており、第１層がＰｔまたはＡｕで形成され、第２層が第１層のＰｔまたはＡｕよりも硬度の低い金属から形成されていることを特徴とする。第２層はＩｎからなり、無電解メッキ法によって形成される。また、第２層の上に金属がさらに積層されて形成される。 （もっと読む）

【課題】オプトエレクトロニックデバイスを作製する方法及びそのようなデバイスの提供。
【解決手段】基板上に蒸着された第１電極、少なくとも３０ｎｍの二乗平均粗さ及び少なくとも２００ｎｍの高さ変化量を有する第１電極の露出された表面を含み、第１電極は透明であるようなオプトエレクトロニックデバイス及びオプトエレクトロニックデバイスを作製する方法。第１有機半導体材料のコンフォーマル層は有機気相蒸着法により第１電極上部へ蒸着され、第１有機半導体材料は低分子材料である。第２有機半導体材料層は、コンフォーマル相を覆って蒸着される。第２有機半導体材料層の少なくともいくらかは前記コンフォーマル層と直接接触する。第２電極が第２有機半導体材料層を覆って蒸着される。第１有機半導体材料は、反対のタイプの材料である第２有機半導体材料に関連してドナータイプまたはアクセプタータイプである。 （もっと読む）

【課題】ＣＧＬ塗布溶剤の制約を解消し、デュアルＣＧＬ構造を容易に作製することを可能とし、且つデュアルＣＧＬ構造における電気応答特性の非対称性を抑制し、表示特性や駆動能力を向上させることが可能な光スイッチング素子及びそれを用いた光書き込み型表示媒体を提供することである。
【解決手段】一対の電荷発生層と、該一対の電荷発生層に挟持された電荷輸送層と、を含んで構成される光スイッチング層を有する光スイッチング素子であって、該電荷輸送層が、特定構造の電荷輸送性高分子を含んでなる光スイッチング素子である。 （もっと読む）

【課題】
シリコンを用いながら、従来のアモルファスシリコン型光センサーやシリコン結晶型光センサーに比べ、大幅にコストダウンできる光センサーとその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】
基板表面に電極を介してｎ型シリコン微粒子膜とｐ型シリコン微粒子膜と透明電極が積層形成されており、あらかじめ前記電極表面に選択的に形成された第１の有機被膜と前記ｎ型シリコン微粒子膜表面に形成された第２の有機被膜、および前記ｎ型シリコン微粒子膜表面に形成された第２の有機被膜とｐ型シリコン微粒子膜表面に形成された第３の有機被膜がそれぞれ互いに共有結合している光センサーとその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 赤外線検知器及びその製造方法に関し、不純物ドープに伴う伝導帯端の引き下がりを抑制して、暗電流を低減する。
【解決手段】 量子ドット層１を複数積層した赤外線検知部の電気的特性を制御するための不純物を量子ドット部分（３，４）にのみ添加する。 （もっと読む）

放射線検出器（100）は、少なくとも第1（202）および第2（204）のシンチレータを有し、これらのシンチレータは、放射線を吸収して、それぞれ、第1（212）および第2（214）の波長の光を発生する。また検出器は、少なくとも第1（206）および第2（208）の光検出器を有する。第1の光検出器（206）は、第2のシンチレータ（204）により生じた波長（212）の光に対して実質的に非応答性である。3以上のシンチレータと光検出器とを有する検出器を使用しても良い。
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【課題】 金属酸化物系等の光透過性が高い透明電極を用いても、暗電流の小さい有機光電変換素子を得ること。また、そのような特性を有する有機光電変換素子の層を別の有機光電変換素子層や他の光電変換素子層と積層することで、低ノイズ・高感度で色分離に優れ、偽色やシェーディングの少ない積層型カラー光電変換素子を提供すること。
【解決手段】 下部電極、有機層、上部電極を順に積層することで構成されている有機光電変換素子において、電子を捕集する側の電極が透明電極でありその仕事関数が４．５ｅＶ以下であること。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、さらに吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子を提供する。
【解決手段】下記一般式(１)で表される化合物を少なくとも一つ含む。
一般式（１）
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【課題】 透明保護板を有する光電変換膜積層型固体撮像素子において、透明保護板表面への汚れの付着を防止するとともに、入射光の反射を抑制し、入射光の損失を防止することのできる光電変換膜積層型固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】 透明保護板１００を有する光電変換膜積層型固体撮像素子において、前記透明保護板１００の少なくとも受光面側に機能性膜２０２，２０１を設けたことを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】 有機光電変換膜を含む光電変換素子、撮像素子を有機光電変換膜にダメージを与えることなく製造すること。
【解決手段】 半導体基板１内に無機光電変換膜３−１，３−２を有し、該無機光電変換膜の上方に有機光電変換膜２１を積層してなる光電変換素子において、該有機光電変換膜２１をシャドーマスク法により作製する。対向電極接続電極１１を設けることによりシャドーマスク法により有機光電変換膜等２１〜２３を積層することができる。 （もっと読む）

【課題】 エネルギー分解能や時間精度に優れた放射線半導体検出器、放射線検出モジュールおよび核医学診断装置を提供する。
【解決手段】 半導体放射線検出器２１は、テルル化カドミウムの板状素子２１１と、金属製の導電部材２２，２３とを導電性接着剤２１Ａにより接着し、テルル化カドミウムの板状素子２１１と導電部材２２，２３とを交互に積層した構造を有する半導体放射線検出器２１において、導電性接着剤２１Ａは縦弾性係数が、３５０ＭＰａ〜１０００ＭＰａであり、かつ導電部材２２，２３はその線膨張係数が、５×１０^-6／℃〜７×１０^-6／℃の範囲の材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電磁波と可視光とをそれぞれ独立して同時に検出できるようにし、それぞれの信号に対する解析を正確且つ素早く処理できるような電磁波センサを提供することである。
【解決手段】 透明基体２と、この透明基体２上に順に積層される可視光センサ部３および放射線センサ部４と、これら可視光センサ部３と放射線センサ部４との間に形成されるバイアス電極５とを備え、このバイアス電極５と可視光センサ部３に設けられた可視光読取電極３ａとの間で前記透明基体２側から入射した可視光を検出し、前記バイアス電極５と放射線センサ部４に設けられた放射線読取電極４ａとの間で前記透明基体２側から入射した放射線を検出する。 （もっと読む）

【課題】 色分離特性および感度の改善された積層型カラーセンサを提供する。
【解決手段】 積層型カラーセンサは、光吸収部の表面から順に積層配置された第１から第３までの光吸収層と、光吸収部の表面の一部に形成されたバイアス電極と、光吸収によって生成したキャリアを電気信号として検出するために光吸収層の各々へ電気的に接続された検出電極とを含み、互いに隣接する光吸収層は、互いに異なる波長帯域の光を吸収してキャリアを生成するように、互いに異なる比率でＳｉとＧｅを含むＩＶ族系半導体のヘテロ積層構造を構成しており、第１から第３までの光吸収層において、それらの伝導帯の下限レベルが順次に不連続に低下もしくは上昇する階段状のレベル変化を示すか、またはそれらの価電子帯の上限レベルが順次に不連続に上昇もしくは低下する階段状のレベル変化を示すことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 撮像センサ−において色再現、ＳＮ比、さらには経時保存性、微細加工時のプロセス耐性等が向上する手段を提供すること。
【解決手段】 無機光電変換膜１３（２１〜２３）上に有機光電変換膜７，８，９，１０を積層してなる光電変換素子において、無機光電変換膜と有機光電変換膜との間の絶縁膜１１，１２の厚みを１μｍ以上６μｍ以下とすること、有機光電変換膜７，８，９，１０を４層以上の多層構造とすること、有機光電変換膜上に３層以上の多層構造から成る保護膜３，４，５を形成すること、等。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、光電変換効率が高く、さらに吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供する。
【解決手段】下記一般式(１)で表される化合物を少なくとも一つ含む光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子。
一般式（１）
【化１】


式（１）中、R_１１〜R_１４は各々水素原子または置換基を表し、X_１１、X_１２は各々置換もしくは無置換の炭素原子、置換もしくは無置換の窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表し、Y_１１〜Y_１４は各々置換もしくは無置換の炭素原子、置換もしくは無置換の窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表す。 （もっと読む）

【課題】放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成するＢｉ₁₂ＭＯ₂₀焼結体からなる光導電層のスパークを抑制し、高い収集電荷が得られる光導電層を提供する。
【解決手段】光導電層は、放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネル３０を構成するＢｉ₁₂ＭＯ₂₀焼結体からなる光導電層であって、該光導電層の少なくとも一方の表面の平均表面粗さＲａが５μｍ未満であることを特徴とする。放射線撮像パネル３０は、記録用の放射線に対して透過性を有する第１の導電体層３１、記録用の放射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層３２、前記第１の導電体層で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部、読取用電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層３４、前記読取用電磁波に対して透過性を有する第２の導電体層３５をこの順に積層してなる放射線画像情報を静電潜像として記録する。 （もっと読む）

【課題】 放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成するＢｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、ＭはＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である。）焼結体からなる光導電層の膜剥がれを抑制し、電極との密着が良好なものとする。
【解決手段】 Ｂｉ₁₂ＭＯ₂₀焼結体の少なくとも一方の表面の平均表面粗さＲａを５μｍ以上10μｍ以下とする。 （もっと読む）