【課題】 対象物に光を照射して応答を検出する際の検出感度の向上及びノイズの低減をはかる。
【解決手段】 不透明な配線層１０７，１０８を有する基板１００上に、複数の発光素子２００と複数の受光素子３００を基板面内方向に離間して形成した光電変換装置であって、発光素子２００及び受光素子３００は基板１００上に形成したバンク２０２，３０２の開口部にそれぞれ形成されている。発光層の半導体材料２０３〜２０５と受光層の半導体材料３０３，３０５とは異なり、発光素子２００及び受光素子３００の上部電極層２０７，３０７とは共通である。さらに、配線層１０７，１０８は、バンク２０２，３０２の開口部で規定される各領域の外側の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】製品毎に、受光精度を高めて、光学特性の安定化を向上できると共に、光結合装置にプリズム体を含める場合、プリズム体の小型化を図ることができる光結合装置を提供する。
【解決手段】第１の受光領域群を受光領域２８，２９，３１によって定義し、第２の受光領域群を受光領域２８，２９，３０によって定義し、第３の受光領域群を受光領域２８，３１，３２によって定義する。上記第１〜上記第３の受光領域群のうちから上記第２の受光領域群の出力を選択して、有効な受光領域２８，２９，３０の位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】低背化が可能であり、部品点数を低減できるようにしたフォトカプラを提供する。
【解決手段】配線基板１と、配線基板１の表面１ａ上に接合されたＩＲ発光装置６０と、配線基板１の表面１ａ上であってＩＲ発光装置６０から離れた位置に接合されたＩＲ受光装置５０と、を備え、配線基板１の表面１ａ上において、ＩＲ発光装置６０が有する発光部６１の発光面６１ａと、ＩＲ受光装置５０が有する光学フィルタ２０の受光面２０ａとが対向している。ＩＲ発光装置６０と受光装置５０とが上下ではなく、水平方向の位置関係となるため、フォトカプラの高さを小さくすることが可能である。また、発光面６１ａから出力された光は、凹状の反射面等を介することなく、直接に受光面２０ａに入射するため、凹状の反射面等は不要であり部品点数を減らすことが可能である。 （もっと読む）

【課題】所望の角度・方向から入射してくる光のみを受光面に到達させて検出することを可能とした光センサ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】裏面（受光面）１６ｂに入射する光を検出して表面１６ａ側から信号を出力するＩＲ素子１０と、上面３０ａの少なくとも一部がＩＲ素子１０の表面１６ａと対向した状態で、ＩＲ素子１０と電気的に接続されためっき電極層３０と、ＩＲ素子１０とめっき電極層３０とを覆うモールド樹脂４９と、モールド樹脂４９に取り付けられた蓋体６０と、を備え、ＩＲ素子１０の受光面１６ｂ及びめっき電極層３０の下面３０ｂは、モールド樹脂４９の上面４９ａ及び下面４９ｂとそれぞれ同一平面に配置された状態でモールド樹脂４９から露出しており、蓋体６０には、ＩＲ素子１０の受光面１６ｂの視野角を制限する貫通した開口部６５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光検出機能を有していても、小型で狭い実装スペースに搭載できる半導体レーザ及び光モジュールを実現する。
【解決手段】素子本体５の内部に活性層４が設けられると共に、素子本体５の上面には第１の電極６が形成され、素子本体５の下面には第２の電極７、及び第３の電極８が形成されている。そして、素子本体５の一方の端部は、第１の電極６から第２の電極７にかけて超薄膜の量子ドット膜９が形成されている。これをＡＰＣ駆動回路に接続し、量子ドット膜９で検出された光をモニタすることにより、半導体レーザに入力されるバイアス電流をフィードバック制御する。 （もっと読む）

【課題】より薄型化を図ることが可能であり、かつ高い検出精度を有するフォトインタラプタを提供する。
【解決手段】発光モジュール１と、受光モジュール２と、第１の方向ｘに対して直角である第２の方向ｙにおいて検出用空間３１を迂回する連結部３２を有する外側モールド体３と、を備えており、受光モジュール２が、受光素子２１とワイヤ２４と、これらを覆う内側モールド体２５と、を具備しているフォトインタラプタＡ１であって、外側モールド体３は、内側モールド体２５の入射面２５ａに繋がる部分を覆うように形成された遮光部３３を有しており、遮光部３３は、第１の方向ｘ視においてワイヤ２４と重なるように形成されており、かつ、内側モールド体２５と接する面が、第２の方向ｙにおいて連結部３３に近い部分ほど、第１の方向ｘにおける第２のリード２３との間隔が小さくなる部分を有する。 （もっと読む）

【課題】面発光型半導体レーザの発光特性の劣化を抑制することのできる光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる光素子１００は、面発光型半導体レーザ１４０と、前記面発光型半導体レーザから出射されたレーザ光の一部を検出する光検出素子１２０と、を含み、前記光検出素子は、光吸収層及び第１コンタクト層１１１を有し、前記第１コンタクト層は、吸収端波長が前記面発光型半導体レーザの発振波長より小さい半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】光検出精度を向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体光検出器１０はｎ型傾斜基板１１上に、バッファ層１２、ｎ型ＤＢＲ層１３、光検出層１４およびｐ型コンタクト層１５をこの順に積層して構成されており、この上に配置された面発光型半導体レーザ２０と共に一体に形成されている。光検出層１４は活性層２４のバンドギャップよりも大きく活性層２４のバンドギャップの２倍以下のバンドギャップを有する半導体により構成されている。これにより、面発光型半導体レーザ２０内で発生したレーザ光のうち基本波光は光検出層１４で吸収されず光検出層１４を透過するが、基本波光の強度のほぼ二乗に比例した強度のＳＨＧ光が光検出層１４で吸収され光電流に変換される。 （もっと読む）

【課題】 測定対象物の光特性及び電気特性を用いて単一の検知手段（センサ）で測定対象物の特性及び位置を簡易で迅速且つ確実に測定できる対象物測定装置を提供する。
【解決手段】測定対象物１００に対して可視光線を照射する光照射手段１と、この可視光線が照射された測定対象物１００からの反射光を受光し、この受光光により二つの電極２２ａ・２２ｂ、２３ａ・２３ｂ間の光電半導体の抵抗値を変化させる二つのＣｄｓセル２２、２３を間隔ｄで離隔配設し、このＣｄｓセル２２の外側の電極に交流電源２５が接続されると共に、他のＣｄｓセル２３の外側の電極２３ａが出力端子２６として形成される検知手段２と、この検知手段２の出力端子２６からの検知信号に基づき前記測定対象物の距離及び材質を判別する測定対象物判別手段３とを備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板等に対して面実装できるようにした構成したフォトインタラプタにおいて，その検出精度の向上を図る。
【解決手段】 発光側メイン絶縁基板５の表面に，発光素子８を搭載するとともにサブ絶縁基板６を，これに穿設の貫通孔７内に前記発光素子を収容するように積層固着し，更に前記貫通孔に封止用透明樹脂９を充填して発光側モジュール２を構成する一方，受光側メイン絶縁基板１６の表面に，受光素子１９を搭載するとともにサブ絶縁基板１７をこれに穿設の貫通孔１８内に前記受光素子を収容するように積層固着し，更に前記貫通孔に封止用透明樹脂２０して受光側モジュール３を構成し，そして，前記発光側モジュール２と，前記受光側モジュール３とを，その発光素子及び受光素子が互いに向かい合わせるように配設して，その間に介挿したスペーサ体４に固着する。 （もっと読む）

【課題】 良好な高周波特性を有する面発光レーザと、当該面発光レーザから出射されたレーザ光の一部を検出する受光素子を含む光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の光素子１００は、面発光レーザ１３０と、当該面発光レーザ１３０から出射されたレーザ光の一部を検出する受光素子１２０と、を含む光素子１００であって、前記面発光レーザは、基板１０１の上方に形成された第１ミラー１０２と、前記第１ミラーの上方に形成された活性層１０３と、前記活性層の上方に形成された第２ミラー１０４、１０８と、を有し、前記受光素子は、前記第２ミラーの上方に形成された光吸収層１１１と、前記光吸収層に形成された第１の不純物含有層１１４と、前記光吸収層に形成された第２の不純物含有層１１５と、前記第１の不純物含有層の上方に形成された第１電極１１２と、前記第２の不純物含有層の上方に形成された第２電極１１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】レーザチップとフォトダイオードチップとを熱的に接続するための穴が小さくても、レーザチップの熱破壊を防ぐことができる半導体装置、ホログラムレーザ装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】２波長レーザ用シリコンサブマウントフォトダイオードチップ１と２波長レーザダイオードチップ２との間には、ＡｕＳｎ電極１２Ａ，１２Ｂが形成されている。絶縁膜５には、ＡｕＳｎ電極１２Ａ，１２Ｂ下に位置する第１，第２の穴１７Ａ，１７Ｂが形成されている。ＡｕＳｎ電極１２Ａ，１２Ｂの２波長レーザ用シリコンサブマウントフォトダイオードチップ１側の部分における縁は、第１，第２の穴１７Ａ，１７Ｂの縁よりも内側に位置している。 （もっと読む）

【課題】固定スケールと一体化した受光装置は、所定のピッチで配置した複数のフォトダイオードからなっており、高分解能の位置情報を得るため、配列ピッチを小さくすると、隣接するフォトダイオード間でリークするという問題があった。
【解決手段】メインスケールに配置したピッチＰの光学格子に対向し、ｎ型基板２０に形成した、フォトダイオードとして機能するｐウェル１０の上に、遮光部と金属配線開口部１９とをピッチＰで配置した、光学格子と同じパターン形状の金属配線１２を形成する。さらに、ｐウェル１０と金属配線１２とのコンタクト部１６を遮光部に設ける。 （もっと読む）