【課題】マイクロ波アシスト磁気記録において、スピントルク発振器の不安定な発振による記録エラーを修正して、信頼性を高める。
【解決手段】スピントルク発振器の抵抗値を測定する抵抗測定部を有し、監視することで、記録時に発振が不安定になったことを検出する。測定した抵抗値が予め定めた正常範囲を外れたとき、当該記録動作を行った情報を記録しなおす。 （もっと読む）

【課題】 磁気の遮蔽材を用いず、温度特性に優れた磁気センサおよび磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】 磁化方向が所定方向に固定された固定磁化層と該固定磁化層に絶縁層を介して積層され外部磁界により磁化方向が変わる自由磁化層とを有する第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ａおよび第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂと、第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子が設置された第１の板部６Ａおよび第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂが設置された第２の板部６Ｂとを備え、第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ａが、検出しようとする外部磁界の向きＭに対して固定磁化層を平行にして設置され、第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂが、検出しようとする外部磁界の向きＭに対して固定磁化層を直交させて設置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを磁気シールド層で被覆しても、バンプを狭いピッチで配置することができるようにする。
【解決手段】半導体チップ１００は磁気記憶素子１０を有しており、かつ第１面に電極パッドを有している。磁気シールド層４００は、少なくとも電極パッドが露出した状態で半導体チップ１００を被覆している。半導体チップ１００は、バンプ３１０を介して配線基板２００に実装されている。半導体チップ１００と配線基板２００は、少なくとも一方が凸部を有しており、当該凸部上にバンプ３１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、高出力化の可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、半導体からなるチャンネル１１と、チャンネル１１を間に挟んで対向配置された第一絶縁膜２１及び金属体１３と、第一絶縁膜２１の上に設けられた強磁性体１２と、金属体１３に接続された第一参照電極３１と、金属体１３に接続された第二参照電極３２と、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル１１と磁気シールドＳ１との間に設けられた第二絶縁膜２２と、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果に基づくハードディスクドライブのための読み取り／書き込みヘッドにおける現行の読み取り要素におけるスピントルクおよび熱誘導磁気ノイズに起因する問題を解消すること。
【解決手段】電界を検出するためのデバイスは、第１、第２および第３のリード線と、これらリード線の間に接合部とを備え、接合部とリード線とは１つの平面内に配置されており、接合部は平面に垂直な方向に量子閉じ込めを行うようになっており、第１のリード線は接合部の一方の側に配置され、第２および第３のリード線は接合部の反対側に配置されており、第１のリード線は接合部に進入する電荷キャリアの回転角方向の分布を制限するようになっており、よって電荷キャリアが第１のリード線から接合部に流入するときに、電荷キャリアは実質的に非発散ビームとして前記第１のリード線から現れる。 （もっと読む）

【課題】強磁性導電体薄膜とトンネル障壁薄膜を整合性よく接合することができ、それにより、接合の不具合による特性の低下が生じることを防ぐことができる磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、GaNにおいてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)N薄膜１１と、Ga₂O₃においてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)₂O₃薄膜１２の間に、Ga₂O₃から成るトンネル障壁薄膜１３を配置したものである。(Ga, Mn)N薄膜１１と(Ga, Mn)₂O₃薄膜１２は共にp型半導体であって強磁性を示す。(Ga, Mn)N薄膜１１は、トンネル障壁薄膜１３を基板としてエピタキシャル成長させることによりトンネル障壁薄膜１３と整合性よく接合することができる。また、(Ga, Mn)₂O₃薄膜１２は、トンネル障壁薄膜１３と基本的に同じ結晶構造を有するため、トンネル障壁薄膜１３と整合性よく接合することができる。 （もっと読む）

【課題】小型化を容易に図ることのできる磁気方位検出装置を提供する。
【解決手段】回路基板２の一面に、３つ以上の複数の磁気センサ３およびこれらの磁気センサ３の制御を行う制御用半導体４を取り付けて実装するとともに、各磁気センサ３および制御用半導体装置４を封止部材５により封止して一体化する。さらに、各磁気センサ３を少なくとも２つのグループに区分し、かつ、一方のグループの磁気センサ３の端子形成面６が他方のグループの磁気センサ３の端子形成面６と直交するように配置する。 （もっと読む）

【課題】集積度を高めたＭＲＡＭを提供する。
【解決手段】メモリセルＭＣ（ｍ，ｎ）およびＭＣ（ｍ＋１，ｎ）は、ワード線ＷＬｎにそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子ＭＲ１およびＭＲ１１を有し、磁気トンネル接合素子ＭＲ１およびＭＲ１１のそれぞれの他方端は、ビット線ＢＬｍおよびＢＬｍ＋１に接続されている。また、メモリセルＭＣ（ｍ，ｎ＋１）およびＭＣ（ｍ＋１，ｎ＋１）は、ワード線ＷＬｎ＋１にそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子ＭＲ３およびＭＲ３１を有し、磁気トンネル接合素子ＭＲ３およびＭＲ３１のそれぞれの他方端は、ビット線ＢＬｍおよびＢＬｍ＋１に接続されている。 （もっと読む）