【課題】読み出し時の誤書き込みを抑制する磁気素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電層と、第２導電層と、中間配線と、第１積層部と、第２積層部と、を備えた磁気素子が提供される。中間配線は、第１導電層と第２導電層との間に設けられる。第１積層部は、第１導電層と中間配線との間に設けられる。第１積層部は、第１方向に磁化が固定された第１強磁性層と、第１強磁性層と積層され、磁化の方向が可変である第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を含む。第２積層部は、第２導電層と中間配線との間に設けられる。第２積層部は、磁化の方向が可変である第３強磁性層と、第３強磁性層と積層され、第２方向に磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 信号量の低減を抑制できる磁気抵抗効果によるメモリ素子を具備する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 コバルト、鉄およびニッケルの少なくとも一つを含む磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記磁気抵抗効果素子を形成する工程は、半導体基板１上に、前記磁性材料を含む複数の層４，５，８を具備する積層体３−１０を形成する工程と、真空雰囲気中で、塩素を含むガスを用いたプラズマエッチングにより、前記積層体３−１０を加工する工程と、前記積層体３−１０を加工した後、前記積層体３−１０を真空雰囲気中に保持したまま、前記積層体３−１０に対してアミノ基を含むガスを用いガス処理を施す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置におけるマイクロコンピュータ周辺装置の高速起動。
【解決手段】マイクロコンピュータ周辺装置は、マイクロコンピュータから受信した初期設定コマンドに基づく設定信号をレジスタを介して機能回路部に出力し、初期設定を行う。ここで、レジスタにおける設定信号のデータをＭＴＪ素子等の不揮発性記憶素子を用いた保持回路で記憶しておく。電源再投入時には、保持回路に記憶された設定信号のデータで初期設定を行う。 （もっと読む）

【課題】多層膜内の特定層だけに格子振動を与えてその多層膜の特性を向上させる。
【解決手段】実施形態に係わる多層膜の製造方法は、第１の層（ＣｏＦｅＢ）を形成する工程と、第１の層（ＣｏＦｅＢ）上に第２の層（ＭｇＯ）を形成する工程と、第２の層（ＭｇＯ）の表面に対してＧＣＩＢ照射を行うことにより、第２の層（ＭｇＯ）の結晶情報を第１の層（ＣｏＦｅＢ）に転写する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁化反転に必要とされる電流密度のマージンを広げる。
【解決手段】実施形態に係わる磁気メモリの製造方法は、磁化方向が可変である第１の磁性層１６を形成する工程と、第１の磁性層１６上にトンネルバリア層１７を形成する工程と、トンネルバリア層１７上に、磁化方向が不変である第２の磁性層１９を形成する工程と、第２の磁性層１９上にハードマスク層２０を形成する工程と、ハードマスク層２０をマスクにして第２の磁性層１９のパターニングを行なう工程と、第２の磁性層１９のパターニング後に、ハードマスク層２０をマスクにしてＧＣＩＢ照射を行うことにより、少なくとも第１の磁性層１６内に磁気的及び電気的に不活性な領域Ｎｏｎを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 下部電極表面の非結晶性及び平坦性を確保しつつ、製造工程の効率化を図ることのできる磁気デバイスを提供すること。
【解決手段】 本磁気デバイスは、電極１０と、電極１０上に形成された磁気抵抗素子２０とを備える磁気デバイスであって、電極１０は、タンタルを含む第１金属層１２と、第１金属層１２上に設けられ、磁気抵抗素子２０を構成する材料のうち少なくとも１つの同じ成分を含み、かつ当該同じ成分はＣｕより拡散しにくく、当該同じ成分を含む非結晶の合金を材料とするバッファ層１６と、バッファ層１６上に設けられ、タンタルを含む第２金属層１８と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】書き込み時における磁化反転がより高速に起こる磁気記録素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体を備えた磁気記録素子が提供される。積層体は第１積層部と第２積層部とを含む。第１積層部は、膜面に対して垂直成分を有する第１の方向に磁化が固定された第１の強磁性層と、磁化の方向が膜面垂直な方向に可変である第２の強磁性層と、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間の第１の非磁性層と、を含む。第２積層部は、積層軸に沿って第１積層部と積層される。第２積層部は、磁化の方向が膜面平行な方向に可変である第３の強磁性層と、膜面に対して垂直成分を有する第２の方向に磁化が固定された第４の強磁性層と、第３の強磁性層と第４の強磁性層との間の２の非磁性層と、を含む。積層軸を法線とする平面において、第４の強磁性層の外縁は第１積層部の外縁よりも外側の部分を有する。 （もっと読む）

【課題】ロジック混載ＭＲＡＭにおいて、ＬＳＩの多層配線形成プロセスがＭＲＡＭの特性変動を引き起こす不都合、また、ＭＲＡＭの形成プロセスが多層配線の特性変動を引き起こす不都合を軽減すること。
【解決手段】多層配線層に含まれる配線層Ａの中に、配線層Ｂに形成された第１の配線１０４ｂに接し、互いに絶縁している少なくとも２つの第１の磁化固定層５０ａ及び５０ｂと、２つの第１の磁化固定層５０ａ及び５０ｂと平面視で重なり、かつ、第１の磁化固定層５０ａ及び５０ｂと接続している磁化自由層１０と、磁化自由層１０の上に位置する非磁性層４０と、非磁性層４０の上に位置する第２の磁化固定層１０４ａと、を有するＭＲＡＭが形成されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】読み出し時の誤書き込みのリスクをより抑制し、かつ、より正確な読み出しを可能とする。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能な第１磁気抵抗素子を含むメモリセルと、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでリファレンス用データを記憶する複数の第２磁気抵抗素子を含み、メモリセルの読み出し動作時に用いられるリファレンスセルとを具備する。複数の第２磁気抵抗素子は、互いに直列に接続され、自由強磁性層の磁化の向きが互いに逆の向きで、固定強磁性層の磁界の向きが互いに同じ向きで、固定強磁性層同士又は自由強磁性層同士が電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、低電流で書き込み動作を行うことができる大容量の磁気メモリ及び磁気メモリ装置を提供することができる。
【解決手段】 第１の磁性層と、第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層とを結ぶ第１の方向において前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた第３の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第３の磁性層との間に設けられた第１の中間層と、前記第２の磁性層と前記第３の磁性層との間に設けられた第２の中間層と、前記第１の方向に直交する第２の方向において前記第３の磁性層に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の前記第３の磁性層が設けられた側とは反対側に設けられた電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成で電気配線に流れる電流を広い電流レンジで検知する電流センサを提供する。
【解決手段】測定対象Ａに接続される電気配線ｗａ，ｗｂ１，ｗｃ１と、抵抗値が一定比率で増加する直線部分と抵抗値が飽和する飽和部分とからなる磁気抵抗特性を有し、それぞれが前記電気配線から異なる距離ｄ１，ｄ２，ｄ３で離間して配置される磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃそれぞれにセンス電流を流すセンス電流部１２と、磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃにおけるセンス電流値の変化から磁気抵抗特性の前記直線部分から飽和部分へ移行する抵抗値の飽和点に到達したことを検知し、前記電流配線に流れる電流がある規定値に到達したとして出力する検知手段１３と、を備え、検知手段１３は、前記電流配線に流れる電流について磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃごとに異なる規定値への到達を検知する。 （もっと読む）

【課題】 熱負荷によるＴＭＲ比の減少を抑制できる磁気抵抗効果を利用した半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】 実施形態の磁気抵抗素子は、非磁性元素を含む第１の垂直磁化磁性膜１１６と、第１の垂直磁化磁性膜上に設けられた絶縁膜１１９と、第１の垂直磁化磁性膜と絶縁膜との間に設けられた第１の中間磁性膜１１８と、絶縁膜上に設けられ、非磁性元素を含む第２の垂直磁化磁性膜１２３と、絶縁膜と第２の垂直磁化磁性膜との間に設けられた第２の中間磁性膜１２０と、第１の垂直磁化磁性膜と第１の中間磁性膜との間、および、第２の中間磁性膜と第２の垂直磁化磁性膜との間の少なくとも一方に設けられ、非磁性元素の拡散に対してバリア性を有する金属窒化物または金属炭化物で形成された拡散防止膜１１７，１２１を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、劣化しにくく、ＭＲ変化率の大きい磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置、メモリセルアレイ、及び磁気抵抗効果素子の製造方法を提供することができる。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子は、第１の電極と、第１の磁性層と、第２の磁性層と、スペーサ層と、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＣｄから選択される少なくとも一つの元素とＦｅ、Ｃｏ、及びＮｉから選択される少なくとも一つの元素とを含む酸化物層と、酸化物層に接して設けられ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＣｄから選択される少なくとも一つの元素を０．５ａｔ%以上８０ａｔ％以下の濃度で含み、かつＦｅ、Ｃｏ、及びＮｉから選択される少なくとも一つの元素を含む金属層とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＧＭＲ素子では、十分大きなＭＲ比を得ることが困難である。大きなＭＲ比を実現することが可能なＭＴＪ素子において、反転電流を低減させることが望まれている。
【解決手段】 下部電極の上に、磁化容易方向が厚さ方向を向く垂直磁気異方性膜が形成されている。垂直磁気異方性膜の上に、非磁性材料で形成されたスペーサ層が配置されている。スペーサ層の上に、アモルファスの導電材料からなる下地層が配置されている。下地層の上に、磁化容易方向が面内方向を向く磁化自由層が配置されている。磁化自由層の上にトンネルバリア層が配置されている。トンネルバリア層の上に、磁化方向が面内方向に固定された磁化固定層が配置されている。スペーサ層は、垂直磁気異方性膜と磁化自由層との間に交換相互作用が働かない厚さであり、かつスピン緩和長よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリにおいて、安定的且つ容易に磁壁を導入可能な構造とする。
【解決手段】磁気メモリは、磁気記録層１０と、非磁性層１１を介して磁気記録層１０に接続された参照層１２と、磁気記録層１０より下方に設置された第１、２磁化固定層１９、２０とを具備する。磁気記録層１０及び参照層１１は垂直磁気異方性を有する。磁気記録層１０は、反転可能な磁化を有し参照層１１と重なる磁化反転領域２と、磁化反転領域２の第１境界に接続され、磁化の向きが第１方向に固定された第１磁化固定領域１と、磁化反転領域２の第２境界に接続され、磁化の向きが第１方向と反平行な第２方向に固定された第２磁化固定領域３とを備える。第１、２磁化固定層１９、２０は、第１、２磁化固定領域１、３の磁化を固定する。第２磁化固定層２０が、第１磁化固定層１９と比較して保磁力が低い。 （もっと読む）

【課題】 書込み電流の低減のみならず、大きなＭＲ比を有するＭＴＪ素子の開発が望まれている。
【解決手段】 磁気トンネル接合素子が、磁化自由層と、磁化固定層と、磁化自由層と磁化固定層との間に配置されたトンネルバリア層とを有する。磁化自由層は、垂直磁化自由層、垂直磁化自由層とトンネルバリア層との間に配置された面内磁化自由層、及び垂直磁化自由層と面内磁化自由層との間に配置された非磁性中間層とを含む。垂直磁化自由層の磁化容易方向は膜面に対して垂直であり、面内磁化自由層の磁化容易方向は膜面に平行であり、垂直磁化自由層の磁化は、非磁性中間層を介して面内磁化自由層と交換結合することによって、面内方向を向いている。 （もっと読む）

【課題】 スピン伝導特性を改善可能なスピン伝導型磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 この磁気センサは、磁気シールド層１０Ｂを有するベース基板１０と、ベース基板１０の磁気シールド層１０Ｂ上の絶縁膜４を介して貼り付けられた単一ドメインからなる半導体の結晶層３と、半導体の結晶層３における絶縁膜４とは反対側の表面上に、第１トンネル障壁層を介して形成された第１強磁性層１と、半導体の結晶層３における絶縁膜４とは反対側の表面上に、第１強磁性層１から離間し、第２トンネル障壁層を介して形成された第２強磁性層２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率を高くすることができる磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る磁気抵抗効果素子は、積層体と、前記積層体の積層方向に電流を流すための一対の電極と、を備える。前記積層体は、第１の磁性層と、第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に配置されたスペーサ層と、を有する。そして、前記第１の磁性層、前記第２の磁性層及び前記スペーサ層の少なくとも１つの層が金属酸化物からなる酸化物層を含み、前記金属酸化物の結晶構造は、ＮａＣｌ構造である。 （もっと読む）

【課題】優れたピンニング強度およびＭＲ比を呈するＴＭＲデバイスを提供する。
【解決手段】本発明のＴＭＲデバイスは、シールド層と、シード層と、反強磁性層と、プラズマ処理部分を含む第２の反平行層と、４Åの厚さを有するルテニウム層と、ＣｏＦｅx 層と、第１の反平行層と、トンネルバリア層と、磁気フリー層と、キャップ層とを順に備える。ここでシールド層は、その磁化容易方向に沿って磁化されており、磁気フリー層は、その磁化困難軸方向に沿って磁化されている。 （もっと読む）

【課題】孤立パターンに銅の化合物が析出するのを抑制する半導体装置の製造方法と、半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体装置では、素子・基板層ＥＳＬの低誘電率膜ＬＯＷ１、ファイン層ＦＬの極低誘電率膜ＥＬＫ１等およびセミグローバル層ＳＧＬの低誘電率膜ＬＯＷ２等のそれぞれの開口部に形成されるアライメントマークＡＭおよび重ね合わせ検査マークＫＭが、半導体基板ＳＵＢに形成された所定の導電型の不純物領域ＩＲに電気的に接続されて、アライメントマークＡＭおよび重ね合わせ検査マークＫＭが接地電位に固定されている。 （もっと読む）