【課題】 本発明の実施形態によれば、単方向電流で書き込みが可能であり、微細化が可能な磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、スピントランジスタ、及び集積回路を提供することができる。
【解決手段】 磁気メモリ素子は、磁化が可変の第１の強磁性層と、第１のバンド及び第２のバンドを有する第２の強磁性層と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられた非磁性層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スピントランスファートルクを低減し、比較的小さいＭＲ比でも十分な再生出力を出力することが可能な新規な磁気抵抗効果素子、並びにこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する強磁性金属層を含む複合スペーサ層を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の厚さ方向に沿った上面及び下面に設けられた一対の電極層とを具え、前記一対の電極層を介し、前記磁気抵抗効果膜の前記磁化固着層から前記磁化自由層へ向けてセンス電流を流すようにして、磁気抵抗効果素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】小さい径の磁気微小接合点を高純度で形成し、高い磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】第１の強磁性層上に金属層を形成し、前記金属層を酸化して、未酸化の金属が残存した酸化物層と、前記酸化物層の膜厚方向に侵入した前記第１の強磁性層の構成元素の少なくとも一部を含む磁性導電カラムとを形成し、前記酸化物層を形成するときの温度よりも高い温度で加熱して、前記磁性導電カラムの外周の少なくとも一部を変換して、前記酸化物層の構成元素の少なくとも一部と前記磁性導電カラムの構成元素の少なくとも一部を含む磁性酸化物を形成し、第２の強磁性層を形成することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】磁気素子本体に電流を流すことなく、磁性体電極の磁化反転が可能な磁気素子及び集積回路並びに磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】磁気素子１は、基板６上に第１の強磁性体電極３及び第２の強磁性体電極４を隔置し磁気素子本体２と、第１の強磁性体電極３に接触して高スピンホール効果を有する電極５を配設し、高スピンホール効果を有する電極５に電流を流して第１の強磁性体電極３へスピン注入して磁化反転する。磁気素子本体２へ電流を流すのではなく、高スピンホール効果を有する電極５に電流を流すことでスピンホール効果によるスピン分極を発生させ、第１の強磁性体電極３への移行により磁化反転できる。高インピーダンスの微小磁気メモリ素子及び磁気論理素子やスピン電界効果トランジスタを多段に接続した再構成可能微小磁気論理素子の磁化反転が可能となる。 （もっと読む）

【課題】スクリーン層適用ＣＰＰ−ＧＭＲのヘッド抵抗を調整し歩留まりを向上する。
【解決手段】ヘッド抵抗が所望の抵抗範囲より高いヘッドに抵抗調整用の電流を流すことにより、磁気抵抗変化率は大きく劣化せずに、ヘッド抵抗を所望の範囲に調整する。 （もっと読む）

【課題】電子回路に用いられるマイクロ波発振素子およびマイクロ波検出素子を高効率化、小型化する。
【解決手段】マイクロ波発生素子は磁化固着層4と、電流を狭窄する機能とスピン偏極電流によりマイクロ波を発振させる機能を有する領域を複数個有する層5と、電流を狭窄する機能とスピン偏極電流によりマイクロ波を発振させる機能を有する領域の磁化の向きを空間的に非一様にする機能を有する層6とを備えており、積層方向に電流を流すことにより空間的に非一様な磁化の向きを有する領域にスピン偏極電流が流れるため、電流狭窄構造薄膜中の磁化に対してスピントランスファートルクが働き、マイクロ波を発振する。 （もっと読む）

【課題】改善された磁気抵抗デバイスを提供すること。
【解決手段】磁気抵抗デバイスは、強磁性領域５、非強磁性領域６、絶縁領域７及び導電領域８を備えている。トンネル障壁を形成するように、絶縁領域は強磁性領域と導電領域の間に配置される。非強磁性領域は、絶縁領域と強磁性領域とを分離する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で、安定的な書き込みが可能な磁気記憶素子及び磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】第１固着層と、第２固着層と、第１固着層と第２固着層との間に設けられた記憶層と、前記第１固着層と前記記憶層との間に設けられた第１中間層と、前記第２固着層と前記記憶層との間に設けられた第２中間層と、前記第１固着層に接続された第１電極と、前記第２固着層に接続された第２電極と、前記第１中間層に接続され、前記記憶層に直接接続されていない第３電極と、を備え、前記第１固着層、前記第２固着層、および前記記憶層のそれぞれの磁化方向は、互いに平行または反平行であり、前記第１電極と前記第３電極の間で電流を、第１の極性で、第１固着層に流れる電流が第１の閾値以上になるように流した場合に、前記記憶層の磁化方向が、第１の方向となり、前記電流を、第２の極性で、第１固着層に流れる電流が第２の閾値以上になるように流した場合に、前記記憶層の磁化方向が、第２の方向となる、ことを特徴とする磁気記憶素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来の磁気抵抗効果素子とは異なり、ピン層、スペーサ層、フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子、及びそれを用いた磁気ヘッド及び磁気メモリを提供する。
【解決手段】酸化物、窒化物、酸窒化物、金属のいずれか１つからなるスペーサ層を上下方向から挟み込むようにして形成した、磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層及び第２の磁性層を含む磁気抵抗効果素子において、前記スペーサ層に隣接して配置された電流バイアス発生部からのバイアス磁界、あるいは前記スペーサ層の主面上において、再生感磁部を除いた両端部に接触するようにして設けた交換結合層からの交換結合によって、前記スペーサ層の磁区制御を行い、磁気ノイズの発生を低減した磁気抵抗効果素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】磁気微少接合点における磁化の急激な変化によって磁気抵抗効果を発現させる磁気抵抗効果素子において、磁気微小接合点の界面（壁面）の粗れを抑制して平滑化し、壁面での電子の散乱に起因した抵抗変化率の損失を防止し、高い磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層、及び前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層を含む積層体と、前記積層体の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電するための、前記積層体の上下方向において電気的に接続された一対の電極とを備え、前記中間層は、絶縁部分、磁性金属部分、及びこの磁性金属部分の外周の少なくとも一部を覆う化合物部分を含むようにして磁気抵抗効果素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗効果が得られるポイントコンタクトを有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁体層と、前記絶縁体層を挟んで積層された第１及び第２の強磁性体層と、前記第２の強磁性体層と積層された磁性バイアス層と、前記絶縁体層の側面に不連続に形成され、前記第２の強磁性体層と前記磁性バイアス層との間に介在せず、強磁性体からなり、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層とを電気的に接続する接続部と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子が提供される。絶縁体層を挟んで積層された第１及び第２の強磁性体層と前記第２の強磁性体層と積層された磁性バイアス層とを形成する工程と、前記絶縁体層の側面に強磁性体を不連続に形成して前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】積層構造を有さないでトンネル接合を形成した新規な構造のトンネル接合磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】強磁性体からなる第１の電極１２と強磁性体からなる第２の電極１３と第１の電極１２及び第２の電極１３の間に配置されるナノ粒子１４とを備え、ナノ粒子１４が強磁性金属ナノ粒子１４ａの外周に絶縁性を有する保護基１４ｂを有する。強磁性金属ナノ粒子１４ａと第１の電極１２との間に第１のトンネル接合１５ａが形成され、強磁性金属ナノ粒子１４ａと第２の電極１３との間に第２のトンネル接合１５ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】低抵抗及びインターレイヤーカップリングの問題を生じることなく、高い磁気抵抗効果を発現できるような新規な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】実質的に磁化方向が固着された第１の磁性層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間において、絶縁部分と磁性金属部分とが交互に位置するようにして設けられた中間層と、前記第1の磁性層、前記中間層及び前記第２の磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電するための電極とを具え、前記中間層において、前記磁性金属部分が非強磁性金属を含むようにして磁気抵抗効果素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁性同士のナノコンタクトを用いた磁気抵抗において，適正な抵抗値と高い抵抗変化率の両立を図った垂直通電型の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の強磁性体膜を有する磁化固着層と，外部磁界に対応して磁化方向が変化する第２の強磁性体膜を有する磁化自由層と，前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に配置され，絶縁層と，この絶縁層を貫通する強磁性金属部とを有する複合スペーサ層と，を備える磁気抵抗効果膜と，前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して垂直方向にセンス電流を通電する一対の電極と，前記磁化固着層内および前記磁化自由層内の少なくとも一方に配置された非強磁性元素を含む層と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】ナノコンタクトをより微少かつ安定性が高く形成することができかつより高感度な磁気抵抗効果素子および磁気ヘッドを得ることを可能にする。
【解決手段】第１の磁性層２と、第２の磁性層８と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に設けられ、第１の磁性層側から第２の磁性層側に貫通する直線形状の第１の間隙５を有する第１の絶縁層４と、第１の絶縁層と第２の磁性層との間に設けられ、第１の絶縁層側から第２の磁性層側に貫通し、第１の間隙と交差する直線形状の第２の間隙７を有する第２の絶縁層６と、を備え、第１および第２の磁性層は第１の間隙と前記第２の間隙との交差領域で電気的に接触する。 （もっと読む）

【課題】高ＭＲ変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。
【解決手段】実質的に磁化方向が固着された第１の磁性層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた磁性スペーサ層とから積層膜を構成し、この積層体の膜面垂直に電流を通電する電極を形成し、外部磁界がゼロのときに、前記第１の磁性層の磁化方向と前記第２の磁性層の磁化方向が略直交の関係にあり、外部磁場の侵入に応じて抵抗が減少するようにして磁気抵抗効果素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】幅が１〜５０ｎｍ程度のサイズのナノコンタクト部を効率よく形成できる磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】強磁性層１６の上に第１レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界の少なくとも一部がＶ字形状である第１露光パターンで第１レジスト層を露光して現像し強磁性層１６をエッチングすることにより前記Ｖ字形状に相当するＶ字切欠き部２０を該強磁性層１６に形成し、該強磁性層１６の上に第２レジスト層３４を形成し露光部及び非露光部の境界３６における少なくとも一部がＶ字切欠き部２０の頂点に対向するように配置された直線形状である第２露光パターンで第２レジスト層３４を露光して現像し強磁性層１６をエッチングすることにより前記直線形状に相当する直線部を強磁性層１６に形成する。 （もっと読む）

【課題】クロスポイント型のMRAMは回りこみ電流による誤読出しを抑制するために選択トランジスタやダイオードをセル内に必要とするため、セルを小型化することが困難であった。また、1方向のみの駆動電流で書き換えを行うことが困難であった。
【解決手段】非対称性および非線形性を有する磁気抵抗効果素子により、磁気抵抗効果素子のみメモリセルを構成できセル面積の小型化とクロスポイント型のメモリを実現する。さらに、磁気抵抗効果素子の構成と駆動電流方向の組み合わせを適正化することで１方向のみの駆動電流で書き換え可能な不揮発メモリを実現する。 （もっと読む）

【課題】磁性体同士のナノコンタクト構造を持つ垂直通電型スピンバルブ膜を含み、高ＭＲを実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された強磁性膜を有する磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する強磁性膜を有する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に介在した、絶縁部と磁性金属部とを含む複合スペーサー層と、前記磁化固着層、前記複合スペーサー層および前記磁化自由層の膜面に対して垂直方向にセンス電流を通電するように設けられた一対の電極と具備し、前記磁化固着層を構成し前記複合スペーサー層に接する磁性層がｂｃｃ構造を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）