【課題】層間膜のアウトガスから磁気抵抗効果素子を保護し、磁気特性の劣化を抑制する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリの製造方法は、磁気抵抗効果素子２３となる材料層を形成する工程と、材料層の少なくとも一部を加工し、磁気抵抗効果素子２３を形成する工程と、材料層の少なくとも一部を加工した装置内において、真空一貫状態で、磁気抵抗効果素子２３の側面を覆う保護膜２４を形成する工程と具備する。 （もっと読む）

【課題】結晶質絶縁材料によるトンネルバリア層を用いた場合に、高温のアニール処理を行うことなく、高いＭＲ比を得ることができるＴＭＲ素子、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ及びＴＭＲ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】下側磁性層と、上側磁性層と、下側磁性層及び上側磁性層間に挟設された結晶質絶縁材料によるトンネルバリア層とを備えており、下側磁性層が、第１の磁性層と、第１の磁性層及びトンネルバリア層間に挟設された第２の磁性層とを含んでおり、第２の磁性層が、Ｆｅ、コバルトＣｏ及びニッケルＮｉのうちの少なくとも１つを含む磁性材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 所望の低い素子面積抵抗を保持しつつ、スペーサー層を構成する半導体酸化物層の厚さを厚くすることができ、高いＭＲ特性が得られるとともに、素子面積抵抗のばらつきを抑えることができ、膜特性の信頼性が格段と向上するＣＰＰ−ＧＭＲ素子を提供する。
【解決手段】 スペーサー層と、スペーサー層を挟むようにして積層形成される磁化固定層およびフリー層を有し、この積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ構造の巨大磁気抵抗効果素子であって、スペーサー層は、非磁性金属材料から形成された第１および第２の非磁性金属層と、これらの第１および第２の非磁性金属層の間に介在された半導体酸化物層を有し、スペーサー層を構成する半導体酸化物層は、その主成分が酸化亜鉛から構成され、主成分である酸化亜鉛に、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇａ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃の三価の陽イオンを含む酸化物、およびＴｉＯ₂の四価の陽イオンを含む酸化物の中から選ばれた少なくとも１種を含有させるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 良好な磁気特性を有し、かつトンネル抵抗変化率の低下を抑制することができる強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】 磁化方向が固定された強磁性材料からなるピンド層(20,22)の上に、電子がトンネル現象により透過する厚さのバリア層が配置されている。バリア層の上に、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化する非晶質または微結晶質の軟磁性材料で形成された第１のフリー層が配置されている。第１のフリー層の上に、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化するとともに、第１のフリー層と交換結合した結晶質の軟磁性材料で形成された第２のフリー層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】磁化イオン濃度を高めることができる強磁性半導体材料の提供。
【解決手段】ＩＩ−ＶＩ族、または、ＩＶ族、または、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料を主成分とし、遷移金属（主成分をＩＶ族とした場合Ｍｎを除く）、または、希土類元素の少なくとも一方を添加元素として含み、アモルファスとする。 （もっと読む）

【課題】スピントランスファートルクの影響を抑え、十分な出力が得られる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が固定されたピンド層４３と、非磁性のスペーサ層４４と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層４５とが順番に積層されたＭＲ素子４において、フリー層４５は、４ｆ電子を有する元素が２〜２５ａｔ．％の割合で混合された磁性体を含む多層構造である。具体的には、スペーサ層４４と接する第１層４５ａと第３，５，７層４５ｃ，４５ｅ，４５ｇは、Ｃｏの割合が７０ａｔ．％以下のＣｏＦｅ中にＮｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、またはＴｂが混合された層であり、第２，６層４５ｂ，４５ｆは、Ｎｉの割合が７０ａｔ．％以上１００ａｔ．％未満のＮｉＦｅ中にＮｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、またはＴｂが混合された層である。第３層はＣｕである。このフリー層４５のダンピング定数は０．０１８よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】低電流での磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁化の方向が固定された磁化固定層３を含む。磁化可変層２は、磁化の方向が可変で、ＢＣＣ構造を有するＦｅ_1-x-yＣｏ_xＮｉ_y（０≦ｘ＋ｙ≦１、０≦ｘ、ｙ≦１）からなる磁性合金からなり、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎのうちの１つ以上である添加元素を０＜ａ≦２０ａｔ％（ａは含有量）の範囲で含有する。中間層４は、磁化固定層と磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる。磁化可変層の磁化の方向は、磁化固定層と中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって可変とされる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子において、ショットノイズを抑制し、且つスピントルクの影響を抑制しながら大きなＭＲ比を得る。
【解決手段】ＭＲ素子５は、信号磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５と、磁化の方向が固定された固定層２３と、これらの間に配置されたスペーサ層２４とを備えている。スペーサ層２４は、それぞれ非磁性金属材料によって形成された第１の非磁性金属層４１および第２の非磁性金属層４３と、酸化物半導体を含む材料によって形成され、第１の非磁性金属層４１と第２の非磁性金属層４３との間に配置された半導体層４２とを有している。ＭＲ素子５の面積抵抗は、０．１〜０．３Ω・μｍ^２の範囲内であり、スペーサ層２４の導電率は、１３３〜４３２Ｓ／ｃｍの範囲内である。 （もっと読む）

【課題】低抵抗及びインターレイヤーカップリングの問題を生じることなく、高い磁気抵抗効果を発現できるような新規な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】実質的に磁化方向が固着された第１の磁性層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間において、絶縁部分と磁性金属部分とが交互に位置するようにして設けられた中間層と、前記第1の磁性層、前記中間層及び前記第２の磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電するための電極とを具え、前記中間層において、前記磁性金属部分が非強磁性金属を含むようにして磁気抵抗効果素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】低い面積抵抗（ＲＡ）で高いＴＭＲ比を有することができるとともに、低電流での情報の書き込みを行うことを可能にする。
【解決手段】磁化の向きが可変の磁性層を有する磁化自由層６と、磁化の向きが固着された磁性層を有する磁化固着層２と、磁化自由層と磁化固着層との間に設けられた中間層４とを備えた積層膜を含み、中間層は、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｓｃから選ばれる元素を含むとともにＢを含む酸化物であり、磁化固着層と磁化自由層との間に中間層を介して双方向に通電することにより、磁化自由層の磁化が反転可能である。 （もっと読む）

【課題】 高いＭＲ比と良好なＲＡ値とを達成可能な低磁化キャップ層を備えた磁気トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】 ＭＲＡＭセル構造３６は、ＮｉＦｅまたはＣｏＦｅＢ／ＮｉＦｅ層からなるフリー層５０の上に形成された低磁化のＮｉＦｅＨｆインナー層５１と、Ｔａからなる中間層５２と、Ｒｕからなるアウター層５３とを積層してなる低磁化のキャップ層５４を備える。ＮｉＦｅＨｆインナー層５１は、例えば、ＮｉＦｅターゲットおよびＨｆターゲットを、それぞれ４００Ｗ，２００Ｗのパワーで同時並行スパッタすることで形成される。Ｈｆ含有量を高めると、ＮｉＦｅＨｆインナー層５１の酸素吸着能力が向上する。また、膜厚調整により、ＭＲ比、ＲＡ値および磁歪の値を変化させ得る。フリー層５０上にＮｉＦｅＨｆインナー層５１を設けることで、フリー層５０とキャップ層５４との格子整合を改善でき、デッド層を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】磁化反転の際の反転電流をより低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁化の方向が固定された第１の磁化参照層１１と、スピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する磁化自由層１３と、磁化の方向が固定された第２の磁化参照層１５と、第１の磁化参照層１１と磁化自由層１３との間に設けられた第１の中間層１２と、磁化自由層１３と第２の磁化参照層１５との間に設けられた第２の中間層１４とを具備し、磁化自由層１３及び第１の磁化参照層１１の容易磁化方向は、膜面に対して垂直或いは平行であり、第１の磁化参照層１１と第２の磁化参照層１５との容易磁化方向は、互いに直交する。 （もっと読む）

【課題】磁壁の移動を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】磁壁を移動させうる磁性物質膜を備える半導体装置であって、磁性物質膜は、ダンピング定数が０.０１５〜０.１であることを特徴とする半導体装置である。前記磁性物質膜は、磁性物質内に非磁性物質が含まれた合金である。前記非磁性物質は、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｂ、Ｚｎ及びＡｇからなる群から選択される少なくとも何れか一つである。 （もっと読む）

【課題】秩序化温度が低減されたホイスラー合金を含み、より高い信号検出感度を得ることのできるスピンバルブ構造を提供する。
【解決手段】スピンバルブ構造１は、フリー層１８と、非磁性スペーサ層１７と、フリー層１８の側から第１強磁性層１５と結合層１４と第２強磁性層１３とが順に積層されたＳｙＡＰ層１６とを有するＣＰＰ−ＧＭＲセンサである。第１強磁性層１５およびフリー層１８は、Ｃｏ₂ ＭｎＳｉなどのホイスラー合金からなる複数のホイスラー合金層と、それらのホイスラー合金層の間に設けられた挿入層との多層構造を有している。挿入層はアルミニウムやＦｅＣｏによって構成されている。これにより、ホイスラー合金における結晶構造を秩序化するためのアニール温度が低減される。 （もっと読む）

【課題】強磁性導電体薄膜とトンネル障壁薄膜を整合性よく接合することができ、それにより、接合の不具合による特性の低下が生じることを防ぐことができる磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、GaNにおいてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)N薄膜１１と、Ga₂O₃においてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)₂O₃薄膜１２の間に、Ga₂O₃から成るトンネル障壁薄膜１３を配置したものである。(Ga, Mn)N薄膜１１と(Ga, Mn)₂O₃薄膜１２は共にp型半導体であって強磁性を示す。(Ga, Mn)N薄膜１１は、トンネル障壁薄膜１３を基板としてエピタキシャル成長させることによりトンネル障壁薄膜１３と整合性よく接合することができる。また、(Ga, Mn)₂O₃薄膜１２は、トンネル障壁薄膜１３と基本的に同じ結晶構造を有するため、トンネル障壁薄膜１３と整合性よく接合することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ-ＧＭＲヘッド用の磁界検出素子において、規則化温度を低減する。
【解決手段】磁界検出素子の製造方法は、スペーサ層８と隣接するスペーサ隣接層９１と、ホイスラー合金層９２と、金属層９４とを、この順で順次隣接するように形成するステップと、スペーサ隣接層９１と、ホイスラー合金層９２と、金属層９４とを加熱して、ピンド層７の少なくとも一部またはフリー層９を形成するステップと、を有している。スペーサ隣接層９１は、コバルトおよび鉄を主成分とする層である。ホイスラー合金層９２は、銀、金、銅、パラジウム、または白金のいずれか、またはこれらの合金からなる金属成分を含んでいる。金属層９４は、銀、金、銅、パラジウム、または白金のいずれか、またはこれらの合金からなる層である。 （もっと読む）

【課題】希薄強磁性半導体及びそれと同様の構造を有する希薄常磁性絶縁体を含む希薄磁性体を提供する。
【解決手段】本発明の希薄磁性体は、Ga₂O₃を母相とし、該母相のGaのうちの0.5%〜15%がV, Cr, Mn, Fe, Co, Niのうちのいずれか１種又は複数種の原子に置換することにより得られる。この希薄磁性体は、酸化雰囲気中又は還元雰囲気中で熱処理をする／しないことによりOの欠損数を調整することができ、それによりほぼ同じ構造を有する希薄強磁性半導体及び希薄常磁性絶縁体の双方を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ-ＧＭＲヘッド用の磁界検出素子において、磁歪を抑え高ＭＲ比を得る。
【解決手段】磁界検出素子の製造方法は、ピンド層７と、スペーサ層８と、スペーサ層８と隣接するスペーサ隣接層９１と、金属層９２と、ホイスラー合金層９３とがこの順で順次隣接する積層膜を形成するステップと、積層膜を加熱処理して、スペーサ隣接層９１と、金属層９２と、ホイスラー合金層９３とからフリー層９を形成するステップと、を有している。スペーサ隣接層９１は、コバルトおよび鉄を主成分とする体心立方構造の層であり、金属層９２は、銀、金、銅、パラジウム、または白金のいずれか、またはこれらの合金からなる層である。 （もっと読む）

【課題】スピン注入に適した構造を有し、配線およびＴＭＲ素子に流れる電流密度を抑えることができる磁気記録素子およびこの磁気記録素子への書き込み方法を提供する。
【解決手段】磁化方向が固着された第１の磁化固着層と、第１の誘電体層と、磁化方向が反転可能な磁気記録層と、第２の誘電体層と、磁化方向が固着された第２の磁化固着層とを有する磁気記録素子へ書き込みを行うにあたり、前記磁気記録素子を構成する前記第１または第２の磁化固着層を通して前記磁気記録層にスピン電流を供給するとともに、書き込み用の配線に電流を流して前記磁気記録層に電流磁界を印加することを特徴とする磁気記録素子への書き込み方法。 （もっと読む）

【課題】
新規な磁壁ピニング構造を有する磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】
磁気記憶装置は、多数の磁区形成領域が磁壁形成領域によって分離された磁性材料細線を有する磁気記憶装置であって、前記磁区形成領域と前記磁壁形成領域とは異なる磁気的物性を有する。 （もっと読む）