【課題】電気抵抗率を低下させつつ磁気抵抗変化率を増大させることができる電磁変換素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子４２は、所定の方向に磁化を固定する固定磁化層５５と、固定磁化層５５上に積層されて、Ｂ（ボロン）を含む絶縁材料から形成される絶縁層５９と、絶縁層５９上に積層されて強磁性材料から形成され、外部磁化の作用に応じて磁化方向の変化を許容する自由磁化層６１とを備える。こうした磁気抵抗効果素子４２では絶縁層５９にＢが含まれる。Ｂの働きで絶縁層５９では伝導パスが増大する。その結果、従来の磁気抵抗効果素子に比べて電気抵抗率（ＲＡ）は低下する。同時に、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）は増大する。その結果、磁気抵抗効果素子の感度は高められる。こういった磁気抵抗効果素子は記録密度の向上に大いに貢献することができる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子を提供することを可能にする。
【解決手段】アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。これにより、所望の電流値を得られるような低抵抗を有し、高いＴＭＲ比を有する磁気抵抗効果型素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び歩留りの高い磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】下部磁気シールド層４、上部磁気シールド層２、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に形成された磁気抵抗効果膜３、磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流す手段とを含む磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜は、固定層５１、非磁性層５２、酸化物層からなる絶縁障壁層５３、自由層５４がこの順番で成膜され、酸化物層にチタンとニッケルの少なくとも一方を含有する。 （もっと読む）

【課題】角型性にすぐれ、ノイズの改善が図られ、安定した磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】少なくとも１対の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ強磁性トンネル接合を用いた磁気抵抗効果素子であって、強磁性層の一方により構成される磁化自由層が、非晶質もしくは微結晶構造を有する材料の単層、あるいは主な部分が非晶質もしくは微結晶構造を有する材料層からなり、磁化自由層がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの強磁性元素のうち少なくとも１種もしく２種以上の成分と、含有量が１０原子％〜３０原子％のＢ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉのいずれか１種もしくは２種以上とを含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＧＭＲ読み取りセンサーのピンニング層材料としては、高い耐ブロック温度と低いアニーリング温度を有することが望ましくまた、種層材料としては、ピンニング層材料とともに用いられる場合には、高いピンニング強度を与えることが望ましい。
【解決手段】磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタック（１０）は、ＮｉＦｅＣｒ種層（１２）と、強磁性体自由層（１４）と、非磁性体スペーサー層（１６）と強磁性体ピン化層（１８）と、ＸをＣｒあるいはＰｄとしたＰｔＭｎＸピンニング層（２０）とを含んでいる。強磁性体自由層（１４）は、回転可能な磁気モーメントを有し、ＮｉＦｅＣｒ種層（１２）に隣接して設けられている。強磁性体ピン化層（１８）は固定した磁気モーメントを有し、ＰｔＭｎＸピンニング層（２０）に隣接して設けられている。非磁性体スペーサー層（１６）は、自由層（１４）とピン化層（１８）との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高密度磁気記録に対応可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】ＴＭＲセンサ１は、シード層１４、ＡＦＭ層１５、ピンド層１６、スペーサ層１７、フリー層１８およびキャップ層１９が順に積層されたものである。ピンド層１６は、ＡＦＭ層１５の側から、ＡＰ２層１６３と結合層１６２とＡＰ１層１６１とが順に積層されたシンセティック反強磁性ピンド構造を有する。スペーサ層１７は、例えば金属層と、低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層とが交互に形成された多層構造を有する。金属層は例えば銅層であり、低バンドギャップ絶縁層はＭｇＯ層である。 （もっと読む）

【課題】書き込み特性の安定した磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記憶装置は記録層３を有する。記録層３の平面形状は、磁化容易軸９１に沿った一の直線６３上で磁化容易軸９１の方向における最大の長さＬを有し、磁化容易軸９１と垂直な方向に最大の長さＬの半分より小さい長さＷに渡って位置し、一の直線６３の一方側および他方側のそれぞれにおいて、磁化容易軸９１と垂直な方向に長さａに渡って位置する第１の部分３ａと、磁化容易軸９１と垂直な方向に長さａより小さい長さｂに渡って位置する第２の部分３ｂとを有している。第１の部分３ａの外縁は、外縁の外側に向かって凸の滑らかな曲線のみからなる。 （もっと読む）

【課題】Ｐｄを含む層を設けた場合でも高いＭＲ比を有する磁気抵抗素子および磁気メモリを提供することを可能にする。
【解決手段】膜面に対して垂直方向の磁化を有し、膜面に対して（００１）面に配向したｆｃｔ型の結晶構造を備えかつＰｄと、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎのうち１つ以上の元素とを含む金属から形成される第１の磁性層１１ｃと、第１の磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有し、Ｆｅと、Ｎ、Ｃ、Ｏ、Ｙ、Ｂｅのうち１つ以上の元素と、を含む金属から形成される第２の磁性層１１ｂと、第２の磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有し、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち１つ以上の元素を含む金属から形成される第３の磁性層１１ａと、第３の磁性層上に設けられた非磁性層１３と、非磁性層上に設けられ、膜面に対して垂直方向の磁化を有する第４の磁性層１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】平坦で薄いＡｌＮ薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含む。該ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ以上１０ｗｔ％以下含むＡｌＮ焼結体を真空チャンバ内にセットし、基材１を真空チャンバ内にセットした状態で、ＡｌＮ焼結体にレーザを照射することで発生したプラズマを用いて基材１上に形成可能である。 （もっと読む）

【課題】 数１００ガウス程度の磁場強度で電流を誘起でき、また電気分極の強度や方向を制御できるマルチフェロイック素子を提供する。
【解決手段】 マルチフェロイックナノ発電機は、金属電極２に挟まれたマルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５が印加するように配置し、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗効果が発現する磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明の例に係る磁気抵抗効果素子は、第一の磁性膜１１と、第一の磁性膜１１上のトンネルバリア膜１４と、トンネルバリア膜１４上の第二の磁性膜１６とを備える。第一の磁性膜１１は、C,P,As,Sn,Sb,Te,Pbの中から選択される少なくとも一つの元素を含む。トンネルバリア膜１４は、第一の磁性膜１１とトンネルバリア膜１４との界面における第一の磁性膜１１の膜面に対してその法線方向に(001)配向するNaCl型結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】製造における薄膜構造制御が容易であり、かつ、磁化が２５００Ｇ以上、好ましくは３０００Ｇ以上の磁化を有する強磁性Ｆｅ酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】一般式Ｌ_{１００−ｘ−ｙ}Ｆｅ_ｘＯ_ｙ（但し、９０≦ｘ＋ｙ＜１００，２７≦ｘ≦６７，３７≦ｙ≦６７，Ｌ：Ｍｏ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｒおよびＭｇの一種または二種以上の元素、各数字は原子比率を示す）で表される強磁性薄膜材料を、薄膜製造装置、例えば、高周波スパッタリング装置を用いて成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられた機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層は、Ｆｅ含有量が５原子％以上である金属材料と窒素とを含有する層からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられ、酸素または窒素を含有する材料で形成された機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層の結晶配向面が、その上または下の隣接する層の結晶配向面と異なることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】規則性の高い結晶構造を持つホイスラー合金を用いたＴＭＲ比が高いトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】体心立方格子構造を有する強磁性層１２上には、体心立方格子構造を有するＣｒ層１３が形成されている。さらに、Ｃｒ層１３上には、ホイスラー合金層１４、トンネルバリア層１５、ホイスラー合金層１６が順次形成されている。 （もっと読む）

【課題】強磁性層／バリア層／強磁性層の構造を備えるトンネル磁気抵抗効果膜において、磁気抵抗変化率が高いトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも原子量が１４乃至２７の範囲にある元素を含む岩塩構造を有するイオン結晶からなるバリア層を挟むように第１強磁性層及び第２強磁性層が設けられた積層構造を備えるトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法において、基板に前記第１強磁性層を設ける工程と、前記第１強磁性層上に前記バリア層を、Ｎｅを含む雰囲気中においてスパッタリングを行うことにより設ける工程と、前記バリア層上に前記第２強磁性層を設ける工程とを含むトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率が高く、絶縁破壊電圧が高い強磁性トンネル接合構造を有する強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が固定可能であり、ホウ素原子を含有する強磁性材料を備える第１固定磁化部と、前記第１固定磁化部の上に配置され、磁化方向が固定可能であり、強磁性材料からなり、該強磁性材料のホウ素原子の含有比が第１固定磁化部よりも小さい第２固定磁化部と、前記第２固定磁化部の上に配置され、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、磁化方向が変化可能であり、強磁性材料からなる第１自由磁化部と、前記第１自由磁化部の上に配置され、磁化方向が変化可能であり、ホウ素原子を含有する強磁性材料を備え、該ホウ素原子の含有比が前記第１自由磁化部よりも大きい、第２自由磁化部とを有することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果膜のトラック幅が５０ｎｍ以下になると、検知電流のリークが生じることがある。このような検知電流のリークを防止し、信頼性及び歩留りの高い磁気再生ヘッドを提供することである。
【解決手段】磁気再生ヘッド１０は、下部磁気シールド層４と、上部磁気シールド層２と、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に形成された磁気抵抗効果膜３０と、磁気抵抗効果膜の浮上面とは反対側の面に接するように配された素子高さ方向リフィル膜６と、磁気抵抗効果膜３０の側壁面に配置されたトラック幅方向のリフィル膜１とを有する。磁気抵抗効果膜３０は自由層３６、絶縁障壁層３４、固定層３２を備えるトンネル磁気抵抗効果膜であり、絶縁障壁層３４は窒素とシリコンの少なくとも一方を含有するマグネシウム酸化膜、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜のいずれかである。 （もっと読む）

【課題】小さい保磁力およびＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】ＭｇＯｘからなるトンネルバリア層１７の上に、ＣｏＢ_X からなる低磁歪（λ＝−５×１０^-6〜０）のフリー層１８を形成する。フリー層１８は、ＦｅＣｏ_Y ／ＣｏＢ_X （Ｙは０〜１００原子％）という２層構造、あるいは、ＦｅＣｏ_Y ／Ｃｏ_U Ｆｅ_W Ｂ_Z ／ＣｏＢ_X 、ＦｅＣｏ_Y ／ＣｏＢ_X ／Ｃｏ_U Ｆｅ_W Ｂ_Z 、ＦｅＣｏ_Y ／ＣｏＦｅ_W ／ＣｏＢ_X 、またはＦｅＣｏ_Y ／ＦｅＢ_V ／ＣｏＢ_X という３層構造として形成してもよい。ここで、ＣｏＢ_X を、ＣｏＮｉＦｅＢまたはＣｏＮｉＦｅＢＭに置き換えてもよい。但し、ＭはＶ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，ＴａおよびＭｏのうちのいずれかである。小さい保
磁力およびＲＡ値を確保しつつ、従来のＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ構造のフリー層の場合に比べてＴＭＲ比が１５〜３０％程度向上する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率が高く、且つ外部磁場に対して自由磁化層の磁化が変化しやすい強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】少なくとも一部の磁化方向が固定された固定磁化層と、前記固定磁化層の上に配置され、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化し、ホウ素原子を含有する第１の強磁性材料からなる第１の自由磁化層と、前記第１の自由磁化層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化するとともに前記第１の自由磁化層と交換結合をし、ホウ素原子を含有する第２の強磁性材料からなる第２の自由磁化層とを有することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。 （もっと読む）