【課題】本発明は半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に下地膜を形成する。前記下地膜上に犠牲膜を形成する。前記犠牲膜をパターニングして前記下地膜の所定領域を露出させる開口部を形成する。前記開口部内にマスク膜を形成する。前記マスク膜の一部または全部を酸化させて酸化物マスクを形成する。前記犠牲膜を除去する。前記酸化物マスクをエッチングマスクとして用いて前記下地膜をエッチングして下地膜パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 簡便で自己整合な方法で形成されたボーダレスコンタクトを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に第１絶縁層を形成する工程と、第１絶縁層の上に素子を形成する工程と、第１絶縁層の上に、素子を覆う第２絶縁層を形成することで、素子の上に第２絶縁層の突出部を形成する工程と、第２絶縁層の上に上面が平坦なレジスト層を形成する工程と、第２絶縁層の突出部が露出するまでレジスト層を削除する工程と、レジスト層をマスクとして素子の上面が露出するまで第２絶縁層をエッチングする工程と、を含み、第２絶縁層及び素子上に配線層を形成する工程を更に備える。 （もっと読む）

【課題】大容量磁気記録再生において必須の、微小な再生ヘッドの大量生産に対応できる、特性のばらつきの小さい単一の電流パスを有する電流狭窄層を備えた垂直通電型ＧＭＲ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ピン層１４上に中間層１５を成膜し、中間層１５上に保護層１６を成膜し、ピン層１４、中間層１５および保護層１６からなる多層膜をリソグラフィーによってパターニングし、パターニングされた多層膜を被覆するように絶縁膜を形成し、前記パターニングした多層膜を被覆している絶縁体２４を取り除いて開口部を設け、開口部に上方から希ガスのイオンビーム２６を照射することによって絶縁体２４の内周縁から開口部の中心部に向けてメンブラン２４ｂを成長させ、保護層１６に貫通孔を設け、貫通孔に前記中間層１５と同一材料を充填する。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び歩留りの高い磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】下部磁気シールド層４、上部磁気シールド層２、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に形成された磁気抵抗効果膜３、磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流す手段とを含む磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜は、固定層５１、非磁性層５２、酸化物層からなる絶縁障壁層５３、自由層５４がこの順番で成膜され、酸化物層にチタンとニッケルの少なくとも一方を含有する。 （もっと読む）

【課題】所望の形状を有する記録層を確実に形成し得る磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】記録層、非磁性体膜及び磁化参照層が積層されて成る情報記録構造体を備えており、記録層の平面形状は平行四辺形である磁気抵抗効果素子の製造方法は、記録層、非磁性体膜及び磁化参照層が積層されて成る積層構造体及び第１のマスク層６１を形成し、次いで、第１のマスク層６１上に、前記平行四辺形の一組の対辺と平行な２辺を有する第２のマスク層６２を形成して第１のマスク層６１をパターニングし、次いで、積層構造体及び第１のマスク層上に、前記平行四辺形の他の対辺と平行な２辺を有する第３のマスク層６３を形成して第１のマスク層６１をパターニングし、平行四辺形の平面形状を有する第１のマスク層６１を得た後、記録層をパターニングし、平行四辺形の平面形状を有する記録層を得る各工程を有する。 （もっと読む）

半導体BEOL（back-end-of-line）プロセスフローにおける磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）のための磁気トンネル結合（MTJ）デバイスは、少なくとも1つの制御デバイスと接続するための第1の金属配線、および、第1のマスクを用いて誘電体保護バリア内に形成されるビアを通して第1の金属配線に結合するための第1の電極を含む。デバイスは、また、第1の電極に結合される、データを記憶するためのMTJスタックを含み、MTJスタックの一部は、第2のマスクに基づく横寸法を有する。第2のマスクによって定義される部分はコンタクトビアの上に存在する。第2の電極はMTJスタックに結合され、また、第2のマスクによって定義されるものと同一の横寸法を有する。第1の電極およびMTJスタックの一部は、第3のマスクによって定義される。第2の金属配線は、第2の電極および少なくとも1つの別の制御デバイスに結合される。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（MTJ）デバイスを集積回路に集積化するための方法は、半導体BEOL（back-end-of-line）プロセスフローにおいて、第1の中間誘電体層および少なくとも第1の金属配線を有する基板を提供することを含む。第1の中間誘電体層および第1の金属配線上に、磁気トンネル接合材料層が堆積される。材料層から、第1の金属配線に結合される磁気トンネル接合スタックは単一のマスクプロセスを使用して定義される。磁気トンネル接合スタックは集積回路に集積化される。 （もっと読む）

２つのマスクを用いて磁気ランダムアクセスメモリのための磁気トンネル接合を形成するための方法は、露出された第１の相互接続メタライゼーション３７を含むインターレベル誘電性層３６の上に第１の電極３０、固定磁化層３２、トンネルバリア層１２、自由層１１及び第２の電極６を堆積することを含む。トンネルバリア層、自由層及び第２の電極を含むＭＴＪ構成は、第１のマスクによって第１の相互接続メタライゼーションの上に定められる。第１の不動態化層４０は、ＭＴＪ構成を包み、露出した第２の電極をそのままにする。第３の電極１５は、第２の電極を備える接触物に堆積される。第２のマスクは、第３の電極、第１の不動態化層、固定磁化層及び第１の電極を含む、より大きい構成をパターニングするために用いられる。第２の誘電性不動態化層８は、エッチングされた複数の層、第１のインターレベル誘電性層及び第１の相互接続メタライゼーションを覆う。
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【課題】データ書込みマージンに十分なる余裕を与え得るような磁気抵抗素子を備えた不揮発性磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】強磁性体材料から成り、磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する記録層を有する磁気抵抗素子を備えた不揮発性磁気メモリ装置において、記録層３５の平面形状は、４辺ＳＲ₁，ＳＲ₂，ＳＲ_S，ＳＲ₄を有する菱形疑似形状から成り、これらの辺の内の少なくとも２つの辺のそれぞれは、菱形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、記録層３５の磁化容易軸（ＥＡ）は菱形疑似形状の長軸と略平行であり、記録層３５の磁化困難軸（ＨＡ）は菱形疑似形状の短軸と略平行であり、記録層３５の平面形状を構成する各辺は相互に滑らかに結ばれている。 （もっと読む）

【課題】空洞を有する被エッチング部材上にテーパー形状の側面を有するマスクを容易に形成して良好にパターニングを行うことができるドライエッチングによるパターニング方法及びそれに用いるモールド並びにインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】空洞１３を有する被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に光硬化性樹脂２４を付与し、被エッチング部材上に形成すべきテーパー形状の側面を有するマスク２４ａに対応したパターンを有するモールド５０を光硬化性樹脂に押し付ける。光硬化性樹脂に光を照射して硬化させた後、モールドを引き離すことにより、被エッチング部材上にモールドのパターンが反映されたテーパー形状の側面を有するマスクを形成する。マスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングした後、マスクを除去する。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりの低下を抑制し、かつ読取素子の微細化に適した磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）基板上に、磁気抵抗効果を示す積層膜(12)を形成する。（ｂ）前記基板の表面の読取素子領域(RE)の両側に画定された磁区制御領域(MC)内の前記積層膜を除去し、第１の凹部(20)を形成する。（ｃ）前記第１の凹部内及び前記積層膜の上に、磁区制御膜(27)を形成する。（ｄ）前記第１の凹部の内部、及び前記積層膜の上面のうち前記第１の凹部の縁に隣接する一部の領域上に、前記磁区制御膜が残るように、該磁区制御膜をパターニングする。（ｅ）前記第１の凹部内に前記磁区制御膜が残る条件で、前記磁区制御膜の一部を研磨して除去する工程。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子を用いた磁界強度センサにおいて、交換時の保守を容易とするとともに、交換に要する費用を低減し、多種多様な検査工程や測定対象にも対応可能とする。
【解決手段】狭小な幅で先端１３から基端１４に向けて延長する可撓性基板１１の先端側上面に基板の幅方向に延長するように細線状に形成された磁気抵抗薄膜１５と、基板先端側から磁気抵抗薄膜上を横断して基端側へ延長するとともに、末端が所定の形状となるように形成された少なくとも２本以上の導電パターンからなるリード配線１６とを備えたプローブ部１０と、先端から基端に向けて延長する棒状で、リード配線の末端パターン形状に対応する電気接点が形成されて基板の基端を着脱自在に保持するコネクタ２２と、電気接点に接続されてプローブ部と外部の電気回路との信号を仲介するための配線ケーブル２５とを備えたプローブ保持部とによって構成される磁界強度センサ１としている。 （もっと読む）

基板上の磁性薄膜内に磁区を形成するための方法が、レジストで磁性薄膜を被覆するステップと、磁性薄膜の領域が実質的にむき出しになるようにレジストをパターン形成するステップと、磁性薄膜をプラズマに暴露して、プラズマイオンが磁性薄膜の実質的にむき出しの領域に浸透して、その実質的にむき出しの領域を非磁性にするステップとを含んでいる。このプロセスのためのツールが、接地電位に保持された真空容器と、制御された量のガスを真空容器の中へリークするように構成されたガス入口弁と、（１）真空容器内に収まり、（２）多数のディスクを間隔をあけて保持して、多数のディスクのそれぞれの両面が露出するようにして、（３）多数のディスクに電気的に接触するように構成されたディスク取り付け装置と、ディスク取り付け装置と真空容器とに電気的に接続され、これにより、真空容器内にプラズマを点火でき、ディスクの両面をプラズマイオンに均一に暴露する高周波信号発生器とを含んでいる。このプロセスは、磁気抵抗メモリデバイスを含むメモリデバイスを製造するために使用してもよい。
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【課題】低コストでリソグラフィーの解像限界以下の寸法を形成可能な，再生磁気ヘッドの狭トラック製造方法を提供する。
【解決手段】ダミーパターンの側壁に堆積させた膜をマスクとして利用するサイドウォールマスクの方法で狭トラック幅加工を行う。また，サイドウォール形成用の膜の下層に予めエッチストッパー層と剥離層を形成し，余剰部の除去にはリフトオフを用いる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、磁気記録再生装置の磁気ヘッドに関し、より詳細にはギャップ長の精度を下げることなく、コア幅の微細化を達成できる磁気ヘッド製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の磁気ヘッド製造方法は、磁気抵抗効果膜の上にリフトオフ層とエッチング耐性層を成膜するリフトオフ層成膜手順と、リフトオフ層とエッチング耐性層とを所望のマスクパターンに形成するマスクパターン形成手順と、磁気抵抗効果膜をエッチングして磁気抵抗効果素子を形成する磁気抵抗効果素子形成手順と、磁気抵抗効果素子の上に絶縁層と磁区制御層とを成膜する磁区制御層成膜手順と、成膜後にリフトオフにより磁気抵抗効果素子の上面を露出するリフトオフ手順とで構成する。 （もっと読む）

【課題】磁気センサデバイスの製造方法において、磁気センサデバイスの性能を向上させるために導電部形状の高精度化を図る。
【解決手段】磁気センサデバイスの製造方法は、バリア層の上側に、開口部６を有する犠牲層パターンとしてのシリコン酸化物層７を形成する工程と、これを覆うように金属膜を形成する工程と、これを等方性エッチングすることによって、この金属膜のうち開口部６の底部にある部分を除去し、前記犠牲層パターンの上側を覆う部分およびその周囲に張り出す部分を選択的に残す工程と、これらの上側から堆積するように導電層１１を形成する工程と、前記犠牲層パターンを除去することによって、前記金属膜パターンおよびその上側にある導電層１１を一括して除去し、開口部６の底部にある導電層を導電部１２として残す導電層パターニング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の長さ方向、すなわち電極間方向と直交する方向の半導体動作層の幅Ｗを小さくしても、従来の大きな幅Ｗと同程度の高い磁気抵抗変化率を実現すること。
【解決手段】基板上に形成された薄膜状半導体動作層と、半導体動作層上の少なくとも２つの端部に配置された入出力電極と、入出力電極間の半導体動作層上で、入出力電極間に延在する半導体層の延在方向と直角方向に延在する形で、半導体層の延在方向に一定間隔をおいて、配置された複数の短絡電極とを有する半導体磁気抵抗素子において、入出力電極間に延在する半導体層の延在方向と直角方向の半導体動作層の幅が６０μｍ以下、短絡電極の、半導体層の延在方向の長さが５μｍ以下、半導体動作層の幅をＷ、一定間隔の複数の短絡電極間の距離をＬとしたとき、ＬとＷの比であるＬ／Ｗが０．３以下とする。ここで、Ｌ／Ｗが０．１以上、短絡電極の長さが２μｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁壁移動を利用した情報記録媒体において、磁化方向を有する磁区を含んで第１方向に形成された磁性層と、磁性層の下面に形成された軟磁性層と、を備える磁壁移動を利用した情報記録媒体である。これにより、磁性層の屈曲領域での磁壁を容易に移動させうる。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁壁を有する書き込みトラックと、書き込みトラックと連結され、磁壁を有する保存トラックと、保存トラックに記録されたデータを読み取るための読み取り手段とを備え、書き込みトラックと保存トラックとの間の連結部の幅は、書き込みトラックから保存トラックの方に行くほど狭くなることを特徴とする情報保存装置である。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、多数の磁区を有する磁性層及び磁性層に磁壁移動のためのエネルギーを印加する手段を備える情報保存装置であって、磁性層は、基板と平行に形成され、磁性層に基板と垂直な多数のトレンチが形成され、磁性層の下面は、トレンチと対応する位置で磁性層の下方に突出したことを特徴とする情報保存装置である。 （もっと読む）