【課題】簡易にかつ正確に酸化時間を求めて酸化制御を行うことができる薄膜の酸化制御方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】過去の酸化処理における酸化時間Ｔ_ＯＸとＭＲ素子の面抵抗ＲＡとの複数セットの対応関係を関係式ＲＡ＝ａ×ｌｎ（Ｔ_ＯＸ）＋ｂに代入することによって得られたこの関係式の傾きａ及び切片ｂの複数の組から、傾きａ及び切片ｂ間の相関式ｂ＝Ａ×ａ＋Ｂを求めておき、同一の酸化装置によって酸化処理を行う際に、この酸化装置で実際に酸化処理して酸化時間Ｔ_ＯＸとＭＲ素子面抵抗ＲＡとの１セットの対応関係を測定し、測定で得られた酸化時間Ｔ_ＯＸＭＥとＭＲ素子面抵抗ＲＡ_ＭＥとを上述の関係式に代入して得たＲＡ＝ａ_０×ｌｎ（Ｔ_ＯＸ）＋ｂ_０を用いて所望のＭＲ素子面抵抗に対する酸化時間を求め、求めた酸化時間で酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高MR比で高S/N比を得ることができるとともに、出力変動を抑えた新規な構成の再生素子を提供する。
【解決手段】磁化固着層、磁化自由層、及び前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含む複合スペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁化自由層を安定化させるためのバイアス機構と、再生分解能を確保するためのシールド機構と、前記磁気抵抗効果素子の面内垂直方向に通電するための上下電極とを具える垂直通電型再生素子において、面積抵抗（RA：単位 Ω×μｍ²）が前記磁気抵抗効果素子のトラック幅（TW：単位nm）とギャップ長さ（GAP：単位nm）に対して0.00062×√(GAP)×TW+0.06以下、又は面積抵抗（RA：単位Ω×μｍ²）が、使用する線記録密度(kBPI：単位 kBPI)と前記磁気抵抗効果素子のトラック幅（TW：単位nm）に対して0.14×TW(nm)/√(kBPI)+0.06 以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を発現すると共に製造に伴う欠陥の少ないＭＴＪ素子を提供する。
【解決手段】このＭＴＪ素子３１は、反強磁性層２６と、ＡＰ２層、結合層およびＡＰ１層からなるＳｙＡＦピンド層２７と、ＡｌＯｘからなるトンネルバリア層２８と、フリー層２９と、ＮｉＦｅＭ（Ｍは、ニッケル原子および鉄原子よりも高い酸化電位の金属原子）を含むキャップ層３０とを順に備える。ＳｙＡＦピンド層２７におけるＡＰ１層は、反強磁性層２６の側から順に積層された非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む。キャップ層３０は酸素原子に対する高い吸着能力を有するので、隣接するフリー層２９における酸素原子の含有率が低減される。また、キャップ層３０の構成原子がフリー層２９へ拡散する現象は抑制される。さらに、結晶質ＣｏＦｅ層の存在により、ピンホールなどの欠陥の少ない、均質化されたトンネルバリア層が得られる。 （もっと読む）

【課題】 ばらつきの少ない電流路狭窄層およびその形成方法、ならびにそれを用いたＣＣＰ−ＣＰＰ型ＧＭＲ素子等を得る。
【解決手段】 Ｃｕ層３１の上に第１のＡｌ（ＡｌＣｕ）層を形成し、第１のＰＩＴ／ＩＡＯ処理を行ったのち、その上に第２のＡｌ（ＡｌＣｕ）層を形成し、第２のＰＩＴ／ＩＡＯ処理を行う。これにより、２層の酸化アルミニウム層２６，５６と、それらの内部を膜厚方向に貫く複数の導電パス６５とを含む電流路狭窄（ＣＣＰ）層１１６が形成される。このＣＣＰ層１１６の上にＣｕ層を形成することにより、ＣＣＰ−ＣＰＰ型ＧＭＲ素子におけるＣＣＰスペーサが出来上がる。２つの酸化アルミニウム層の界面位置において直径が臨界値を下回るような銅フィラメントはその界面で終端し、比較的太いフィラメントだけが上隣の酸化アルミニウム層の導電パスに連結する。これにより、同一ウェハ上に同時に形成された複数の素子のばらつきが少なくなる。 （もっと読む）

【課題】磁化反転の際の反転電流をより低減することを可能にする。
【解決手段】第１面およびこの第１面と反対側の第２面を有し磁化の向きが可変の磁化自由層１０と、磁化自由層の第１面および第２面のうち第１面側に設けられ磁化の向きが固着された磁化固着層６と、磁化自由層と磁化固着層との間に設けられた第１トンネルバリア層８と、磁化自由層の第２面に設けられた第２トンネルバリア層１２と、第２トンネルバリア層の磁化自由層と反対側の面に接するように設けられた非磁性層１４とを備え、磁化自由層の磁化の向きは、磁化固着層と非磁性層との間で通電することにより変化可能であり、第１トンネルバリア層と第２トンネルバリア層の抵抗比が１：０．２５〜１：４の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが出来るトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 絶縁障壁層５はＴｉ−Ｏ層５ａとＴａ−Ｏ層５ｂとの積層構造で形成され、前記絶縁障壁層５を構成するＴｉとＴａの濃度を足して１００ａｔ％としたとき、Ｔａ濃度は０ａｔ％より大きく７ａｔ％以下に設定される。これにより、固定磁性層やフリー磁性層を従来の構成から変更せずに、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】酸素及びオゾンを含む混合気中で金属アルミニウムを酸化させることにより、得られた酸化膜にダメージを与えることがなく、またオゾンによる十分な酸素を酸化膜成膜時に膜に供給して欠陥が少ない絶縁膜を作製することができる磁気トンネル素子を使用したＭＲＡＭを提供する。
【解決手段】保磁力が相互に異なる硬磁性膜５及び軟磁性膜７と両者間に介在する絶縁膜６とを有する磁気トンネル素子８において、絶縁膜６はＡｌ膜を酸素及びオゾンの混合気中で酸化させることにより形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＲＡＭに好適な高ＭＲ比の磁気トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】 基板４５上に、ピンニング層４７と、ピンド層４８と、トンネルバリア層４９とを順次形成したのち、その上に、磁歪定数の符号が互いに逆である第１および第２のＮｉＦｅ層５０ａ，５０ｂからなるフリー層５０を形成する。フリー層５０の上にＮｉＦｅＨｆからなる第１のキャップ層５１と、Ｔａ／Ｒｕからなる第２のキャップ層５２とを順次形成する。フリー層５０に捕捉されている酸素がＮｉＦｅＨｆからなる第１のキャップ層５１によって吸着されるので、トンネルバリア層４９とフリー層５０との界面がより鮮鋭化し、ＭＴＪ素子のｄＲ／Ｒ性能が著しく向上する。第１および第２のＮｉＦｅ層５０ａ，５０ｂは、磁歪定数の符号が互いに逆なので、この両者の組み合わせにより、フリー層５０の正味の磁歪定数が極めて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 高い動作特性を有するＭＴＪ素子を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも第１強磁性層２と、第２強磁性層４と、第１強磁性層と第２強磁性層とに挟まれた絶縁材料からなるトンネルバリア層３と、を含む磁気抵抗効果素子の製造方法は、磁気抵抗効果素子の一部を構成する第１層を形成する工程を含む。第１層での最大昇温速度が＋１０℃／ｓ以上となる条件で第１層が加熱される。第１層上に第２層が形成される。第１層を形成する工程と第１層を加熱する工程と第２層を形成する工程とは、背圧２×１０^-6Ｐａ以下の雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗及びインターレイヤーカップリングの問題を生じることなく、高い磁気抵抗効果を発現できるような新規な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】実質的に磁化方向が固着された第１の磁性層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間において、絶縁部分と磁性金属部分とが交互に位置するようにして設けられた中間層と、前記第1の磁性層、前記中間層及び前記第２の磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電するための電極とを具え、前記中間層において、前記磁性金属部分が非強磁性金属を含むようにして磁気抵抗効果素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】高ＭＲ変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。
【解決手段】第１の磁性層及び第２の磁性層を形成し、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に、Cr, Feの少なくともひとつを含む金属層を酸素暴露量が1000ラングミュア以下なる条件で自然酸化することにより中間層を形成し、さらに前記第１の磁性層、前記第２の磁性層及び前記中間層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極を形成して磁気抵抗効果素子を得る。 （もっと読む）

【課題】高ＭＲ変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。
【解決手段】磁化方向が固着された第１の磁性層と、磁化方向が固着された第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた中間層と、前記第１の磁性層、前記中間層および前記第２の磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、前記中間層が絶縁体領域とFe,Co,Ni,Crの少なくともひとつを含む金属領域からなり、前記金属領域は前記第１および第２の磁性層と接触するようにして磁気抵抗効果素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子におけるスペーサ層を、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇからなる群から選択される元素を主成分とした第１の金属層を形成し、この第１の金属層上にＳｉ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｃｒ，およびＺｒからなる群から選択される元素を主成分とする機能層を形成し、この機能層上にＡｌを主成分とする第２の金属層を形成し、この第２の金属層に対して、酸化・窒化・酸窒化を行い、絶縁層、及びこの絶縁層の層方向に電流を通過させる導電体を有する電流狭窄層を形成することによって構成する。 （もっと読む）

【課題】高密度記憶の磁気記憶装置に適用可能で、信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する金属層を含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記スペーサ層は、第１の金属層を成膜し、前記第１の金属層上に、前記絶縁層に変換される第２の金属層を成膜し、前記第２の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第１の変換処理を行い、前記第１の変換処理を通じて形成された前記絶縁層及び前記金属層上に、前記絶縁層に変換される第３の金属層を成膜し、前記第３の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第２の変換処理を行って形成する。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を有するＴＭＲ素子を安定して得ることができるＴＭＲ素子の製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】強磁性層間にトンネルバリア層が挟設されてなるＴＭＲ素子の製造方法であって、トンネルバリア層を作製する工程が、強磁性層上に第１の金属材料膜を成膜し、成膜した第１の金属材料膜を不純物濃度が１Ｅ−０２以下の環境下で酸化することを含む。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を有すると共にピンホールの少ないバリア層を有する高品質のＴＭＲ膜を安定して得ることができるＴＭＲ素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】強磁性層間にトンネルバリア層が挟設されてなるＴＭＲ素子の製造方法であって、トンネルバリア層を作製する工程が、強磁性層上に第１の金属材料膜を成膜し、成膜した第１の金属材料膜を酸化し、酸化して得た金属酸化膜上に第１の金属材料膜と同一金属材料の又は同一金属材料を主とする金属材料の第２の金属材料膜を成膜し、成膜した第２の金属材料膜を第１の金属材料膜の酸化時より低い酸素圧力で酸化することを含む。 （もっと読む）

【課題】磁性体同士のナノコンタクト構造を持つ垂直通電型スピンバルブ膜を含み、高ＭＲを実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された強磁性膜を有する磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する強磁性膜を有する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に介在した、絶縁部と磁性金属部とを含む複合スペーサー層と、前記磁化固着層、前記複合スペーサー層および前記磁化自由層の膜面に対して垂直方向にセンス電流を通電するように設けられた一対の電極と具備し、前記磁化固着層を構成し前記複合スペーサー層に接する磁性層がｂｃｃ構造を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，および磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と，磁化固着層上に配置され，かつ絶縁層と，この絶縁層を貫通する金属導電体と，を有するスペーサ層と，スペーサ層上に，金属導電体と対向して配置され，かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】 高いＭＲ比による高出力の垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供する。
【解決手段】 磁化固着層あるいは磁化自由層作成後、表面の酸化を行うことで酸化層を形成した後、イオンビーム照射、あるいはプラズマ照射を施すことで酸化層を薄膜化する。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層に隣接する層がホイスラー合金層である場合に、ホイスラー合金層が特定の結晶構造をとりやすくすることによって高いＭＲ比を達成する。
【解決手段】ＭＲ素子４は、ピンド層４３、スペーサ層４４およびフリー層４５が、この順番で積層された構成を有する。ピンド層４３の、スペーサ層４４と隣接する層はホイスラー合金層で構成される。ホイスラー合金層とスペーサ層４４との界面には、化合物４９が海島状に分散して設けられている。化合物４９は、ホイスラー合金層に含まれる元素の少なくとも１種を含んでいる。 （もっと読む）