【課題】準安定状態への遷移確率を減らし、注入電流の広い範囲にわたって安定な磁化反転を実現する。
【解決手段】抵抗変化型のメモリセルＭＣと、複数のパルスからなる書き込みパルス（電流値：Ｉ_z）と、書き込みパルスのパルス間レベルを規定するオフセットパルス（電流値Ｉ_z0）との合成パルスを発生し、発生した合成パルスをメモリセルＭＣに書き込み時に与える駆動回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の絶縁性を保ちつつ導電部の導電性を向上し、ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、前記第１、第２磁性層の間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、前記第１処理が施された前記膜に、窒素分子、窒素原子、窒素イオン、窒素プラズマ及び窒素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の３層磁気素子は、基板上に、水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第１の層Ｏを含み、その上に金属磁気層Ｍが設けられ、金属磁気層Ｍの上に水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第２の層Ｏ’、あるいは非強磁性体金属層Ｍ’が設けられる。層Ｍは連続しており、１〜５ｎｍの厚さを有し、その磁化は、層ＯおよびＯ’が無い状態で層面に平行である。室温以上のある温度範囲で、層Ｍの実際の消磁磁界を低減できる、あるいは層Ｍの磁化を層面に対しほぼ垂直に向けることができる、界面Ｏ／ＭおよびＭ／Ｏ’の層面に垂直な界面磁気等方性がある。
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【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられ、酸素または窒素を含有する材料で形成された機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層の結晶配向面が、その上または下の隣接する層の結晶配向面と異なることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられた機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層は、Ｆｅ含有量が５原子％以上である金属材料と窒素とを含有する層からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】これまで以上に磁気情報を正確に読み出すことができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性の自由磁性層５８および導電性の固定磁性層５６の間には導電性の非磁性中間層５７が挟み込まれる。自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかは、窒化された磁性金属合金から構成される。本発明者らの検証によれば、自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかで単位面積あたりの磁気抵抗変化量（ΔＲＡ）が増大することが確認された。その結果、ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の出力は向上する。しかも、窒化された磁性金属合金では飽和磁束密度（Ｂｓ）が減少する。その結果、磁性層では磁化は容易に反転する。ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の読み出し感度はこれまで以上に向上する。こうしたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子はこれまで以上に正確に磁気情報を読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】銅フィラメントの酸素汚染が少ないＣＣＰ層の形成方法、ＣＣＰ−ＣＰＰ素子およびその製造方法を得る。
【解決手段】 基板上に形成した銅層１１の上に、Ａｌ，Ｍｇ，ＡｌＭｇ等の窒化性材料に銅を混入させてなる混合材料層を形成する。次に、銅層１１を１５０°Ｃ以上に保って銅層１１が窒化銅に変換されないようにしつつ、混合材料層に対して窒化処理を行う。これにより、窒化性材料が窒化されて絶縁層としての窒化物領域１３が形成されると共に、この窒化物領域１３によって囲まれるようにして銅が分結した導電パス（銅フィラメント１２）が複数形成される。この銅フィラメント１２は、銅層１１から窒化物領域１３を膜厚方向に貫通してその上面に達する。こうして、窒化物領域１３および銅フィラメント１２を含むＣＣＰ層２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】製造における特性ばらつきを低減できるトンネル磁気抵抗効果素子の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】ラジカル発生器８により発生したラジカルがウエハ３表面へ供給され金属膜が酸化されることにより、ウエハ３上へ、酸化膜からなる絶縁体膜が形成される。ネットワークアナライザ１４で計測された高周波伝送特性は、酸化状態モニタ手段１５でモニタされる。そして、所望の酸化状態に達したと判断された場合には、ＲＦ電源７が停止され、酸化処理工程が終了する。 （もっと読む）

【課題】 高い動作特性を有するＭＴＪ素子を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも第１強磁性層２と、第２強磁性層４と、第１強磁性層と第２強磁性層とに挟まれた絶縁材料からなるトンネルバリア層３と、を含む磁気抵抗効果素子の製造方法は、磁気抵抗効果素子の一部を構成する第１層を形成する工程を含む。第１層での最大昇温速度が＋１０℃／ｓ以上となる条件で第１層が加熱される。第１層上に第２層が形成される。第１層を形成する工程と第１層を加熱する工程と第２層を形成する工程とは、背圧２×１０^-6Ｐａ以下の雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】高密度記憶の磁気記憶装置に適用可能で、信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する金属層を含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記スペーサ層は、第１の金属層を成膜し、前記第１の金属層上に、前記絶縁層に変換される第２の金属層を成膜し、前記第２の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第１の変換処理を行い、前記第１の変換処理を通じて形成された前記絶縁層及び前記金属層上に、前記絶縁層に変換される第３の金属層を成膜し、前記第３の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第２の変換処理を行って形成する。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗効果素子の抵抗のばらつきを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に、磁化方向が固定された強磁性材料からなるピンド層と、外部磁場によって磁化方向が変化するフリー層とで非磁性層を挟んだ磁気抵抗効果素子を形成する。（ｂ）窒化されることによって、元の材料よりも水分を透過させにくい絶縁物になる絶縁材料からなる層間絶縁膜を、磁気抵抗効果素子を覆うように形成する。（ｃ）層間絶縁膜の表層部を窒化する。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層に隣接する層がホイスラー合金層である場合に、ホイスラー合金層が特定の結晶構造をとりやすくすることによって高いＭＲ比を達成する。
【解決手段】ＭＲ素子４は、ピンド層４３、スペーサ層４４およびフリー層４５が、この順番で積層された構成を有する。ピンド層４３の、スペーサ層４４と隣接する層はホイスラー合金層で構成される。ホイスラー合金層とスペーサ層４４との界面には、化合物４９が海島状に分散して設けられている。化合物４９は、ホイスラー合金層に含まれる元素の少なくとも１種を含んでいる。 （もっと読む）