【課題】３軸センサ・チップパッケージためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは、ベース１０５と、第１のセンサダイ１１０が、第１のアクティブセンサ回路１１２および、第１のアクティブセンサ回路に電気的に結合された複数の金属パッド１１４とを備え、ベースに取り付けられた第２のセンサダイ１２０が、第１の表面１２８の上に配置された第２のアクティブセンサ回路１２２と、第２の表面の上に配置された第２のアクティブセンサ回路に電気的に結合された第２の複数の金属パッド１２２とを備え、第２のアクティブセンサ回路は、第１のアクティブセンサ回路に対して直交に方位付けされ、ベースに垂直であるように、第２のセンサダイが配置される。第２の表面は、第１の表面に隣接し、第１の表面の面に対して角度がつけられている。 （もっと読む）

【課題】小さく軽量で厚みの薄い形状の入力デバイスには用いることができる磁気センサモジュール用加飾成形品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁気センサモジュール用加飾成形品１００は、上面中央部に入力媒体１０の入力パネルとしての役割をする透明基材７と、透明基材７の側面付近に位置し入力媒体１０に組み込まれた磁石１２の磁界の強さを検知する磁気センサ１６を設置するためのスペース２００とが形成される。そして入力媒体１０が接触される上面中央部は透明な窓部になっており、その上面外枠部に加飾層１１０が形成され、加飾層１１０は磁気センサ１６を覆い隠す。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡素な工程を用い、且つ製造時の不良を低減することができる磁気センサの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、樹脂ケース１０のピン端子挿入用貫通孔１６０に各ピン端子１３を装着する（Ｓ１０１）。次に、樹脂ケース１０の素子装着凹部１０１に磁気抵抗素子１１を設置し、リード端子１２が配列形成されたリードフレーム２０１を樹脂ケース１０の天面１１０側に配置する（Ｓ１０２→Ｓ１０３）。リード端子１２とピン端子１３とを熱圧着により接合する（Ｓ１０４）。樹脂ケース１０の切断用溝１２０に沿ってリード端子１２をリードフレーム２０１から切り離す（Ｓ１０５）。リード端子１２と磁気抵抗素子１１とを熱圧着により接合する（Ｓ１０６）。樹脂ケース１０にカバー１５を装着する（Ｓ１０７）。 （もっと読む）

【課題】真空用エンコーダセンサにおいて、ベーキングにより高い真空度を得ることができるようにする。
【解決手段】リード端子１４を接続された磁気抵抗効果素子１１と永久磁石１５とをセンサケース１７内に封止樹脂１６で固定された真空用エンコーダセンサにおいて、（１）センサケース１７と封止樹脂１６との境界部、（２）リード端子１４と封止樹脂１６との境界部のうちの少なくともいずれか一方に鉛筆硬度が３Ｈ以下の緩衝樹脂層１を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】電線径の大きさに依存せずにケースに対する電線の中心位置を固定することにより、電線径に依存せずに出力特性を一定にすることができる電流センサを安価に提供する。
【解決手段】ケース３には、電線２に電流が流れたときに発生する磁界の磁束密度を検出して電気信号に変換するホールＩＣが内部に収容されている。一対の電線固定部５が、溝部５１内に電線２を収容した状態で電線２を挟む。そして、電線２を挟んだ状態の一対の電線固定部５がケース３の外表面に設けられた溝部３４内に収容されて固定される。 （もっと読む）

【課題】微小な磁場の印加でも、高い磁気抵抗変化率を得ることができる、強磁性セラミック組成物を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１の磁気抵抗素体２として有利に用いられるものであって、Ｓｒ_２Ｃａ_ｘＦｅ_ｙＭｏＯ_６で示される強磁性セラミック組成物。低温（たとえば液体窒素温度）で用いられる場合には、０．０３≦ｘ≦０．２、０．８≦ｙ≦０．９９、およびｘ＋１．４ｙ≧１．２２の各条件を満たし、常温で用いられる場合には、０．０５≦ｘ≦０．２、０．９５≦ｙ≦０．９９、およびｘ−２．５ｙ≧−２．２２５の各条件を満たすようにされる。この強磁性セラミック組成物は、Ｓｒ_２ＦｅＭｏＯ_６のダブルペロブスカイト構造の基本組成に対して、ＢサイトのＦｅを理論組成値よりも所定の範囲減らしながら、Ｃａを添加することにより、このＣａをＢサイトに導入しながら、Ｃａの一部を結晶粒界に析出させたものである。 （もっと読む）

【課題】単一チップの一方側面上に統合信号処理回路と、他方側面上に磁気センサ素子とを有する高密度統合処理及び感知チップを提供する。
【解決手段】統合処理及び感知ウェハー１００は、基板層１０６の第一の表面１０４に近接して配置された信号処理回路又は信号処理層１０２と、基板層１０６の反対の表面１１０上に配置された磁気感知素子１０８とを有する。信号処理回路１０２及び磁気感知素子１０８は、金属層１１２及びバイア１１６を通じて電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】小型で、ＭＩ素子の配置に関して自由度が高く、量産に適した磁気発生コイルを含む磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１は、配線３２とＡｌからなる電極２１を片方の面に有する下側ＩＣチップ２と、配線３１を片側の面に有する上側ＩＣチップ４と、Ｓｉ基板上に高透磁率膜を形成したＭＩ素子５と、配線３１と配線３２を電気的に接続する接続端子３３とを有する。下側ＩＣチップ２と上側ＩＣチップ４を面突合せで配置し、配線３１、配線３２の露出部を接続端子３３により接続することで螺旋中心軸３５を軸とした螺旋構造よりなる磁界発生部３を形成する。磁界発生部３は、下側ＩＣチップ２と上側ＩＣチップ４のそれぞれに対し面平行方向、つまりｚ軸方向に法線をもつ面に対し平行方向に形成され、中心にはＭＩ素子５が配置される。また螺旋中心軸３５とＭＩ素子５の磁気反応方向が一致するように配置される。 （もっと読む）

【課題】検知軸が多軸であって、かつ平面上にないような多軸ベクトルを検知可能な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の基板および磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】外部からの磁界に応じて磁化が変動するソフト層と、磁性体層と反強磁性体層とを有し磁化が固定された磁化固定層とを備え、ソフト層の有する磁化方向と磁化固定層の有する磁化方向との相対角度によって、電気伝導が変化して磁気抵抗効果を生じさせる磁気抵抗効果素子の形成方法であって、磁化固定層を薄膜にて形成する薄膜形成工程と、磁化固定層の膜面方向以外の方向から膜面方向へと磁界を着磁して、磁化方向を形成する着磁工程とを有する。 （もっと読む）

電子素子は、第1面(1)に半導体素子(20)の回路を有する半導体基板(10)を含む。その基板(10)は、担体(40)と封止(70)との間に存在する。それにより、その基板の第1面(1)はその担体(40)に対向する。半導体素子(20)の回路は、導体トラック(25)によって、溝(80)内のメタライゼーション(82)と結合する。そのメタライゼーション(82)は、封止(70)の外側に設けられている終端部(90)まで延在する。少なくとも1の他の電気素子(120)は、半導体基板(10)の第1面(1)と封止(70)との間に画定される。この他の素子(120)には、その基板(10)の第1面(1)上に存在する半導体素子(20)の回路中に他の素子(120)を組み込むように、溝(80)内のメタライゼーション(82)まで延在する少なくとも1の導体トラック(65)が供される。

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