磁気検出装置
【課題】小型で、ＭＩ素子の配置に関して自由度が高く、量産に適した磁気発生コイルを含む磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１は、配線３２とＡｌからなる電極２１を片方の面に有する下側ＩＣチップ２と、配線３１を片側の面に有する上側ＩＣチップ４と、Ｓｉ基板上に高透磁率膜を形成したＭＩ素子５と、配線３１と配線３２を電気的に接続する接続端子３３とを有する。下側ＩＣチップ２と上側ＩＣチップ４を面突合せで配置し、配線３１、配線３２の露出部を接続端子３３により接続することで螺旋中心軸３５を軸とした螺旋構造よりなる磁界発生部３を形成する。磁界発生部３は、下側ＩＣチップ２と上側ＩＣチップ４のそれぞれに対し面平行方向、つまりｚ軸方向に法線をもつ面に対し平行方向に形成され、中心にはＭＩ素子５が配置される。また螺旋中心軸３５とＭＩ素子５の磁気反応方向が一致するように配置される。
【解決手段】磁気検出装置１は、配線３２とＡｌからなる電極２１を片方の面に有する下側ＩＣチップ２と、配線３１を片側の面に有する上側ＩＣチップ４と、Ｓｉ基板上に高透磁率膜を形成したＭＩ素子５と、配線３１と配線３２を電気的に接続する接続端子３３とを有する。下側ＩＣチップ２と上側ＩＣチップ４を面突合せで配置し、配線３１、配線３２の露出部を接続端子３３により接続することで螺旋中心軸３５を軸とした螺旋構造よりなる磁界発生部３を形成する。磁界発生部３は、下側ＩＣチップ２と上側ＩＣチップ４のそれぞれに対し面平行方向、つまりｚ軸方向に法線をもつ面に対し平行方向に形成され、中心にはＭＩ素子５が配置される。また螺旋中心軸３５とＭＩ素子５の磁気反応方向が一致するように配置される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）において構成される磁気バイアスコイルを含む磁気検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＩ（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）素子を使用した磁気方位センサ等が製造されている。ＭＩ素子は、磁気や電波の磁気成分に基づいてそのインピーダンスを変化させ、電気的に応答する。これらのＭＩ素子を使用した装置は、良好な感度を得るために磁気に対するインピーダンスの変化分がもっとも大きな磁気範囲を利用する。そのためには、ＭＩ素子に磁気バイアスを加える必要がある。
【０００３】
従来の技術として、方位センサに搭載されたＭＩ素子に磁気バイアスを加える手段として、ボビン状のケースに導線を巻回した磁界発生用のコイルが知られている（例えば、非特許文献１）。
【０００４】
この方位センサは、二次元的に方位を検出するためにＭＩ素子を２つ使用し、それぞれを磁気検出方向が直行するように配置している。また、磁界発生コイルは、それぞれのＭＩ素子の磁気検出方向に対して４５°をなす角度から磁界を加えるように配置されている。
【０００５】
この磁界発生用コイルによると、１つのコイルで磁界を発生することにより２つのＭＩ素子に同時に磁気バイアスを加えることができるため、方位センサを小型に構成することが可能である。
【非特許文献１】方位センサー、機能、［ｏｎｌｉｎｅ］、カシオ計算機株式会社、［平成１７年１１月１０日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.casio.co.jp/ww/PROTREK/special/index.html＞
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来の磁界発生コイルによると、ボビン状のケースを使用しているため、ケースに厚みがある以上は小型化に限界がある。また、コイルの構造上、ＭＩ素子と別の生産ラインを設ける必要が生じ、量産の効率化に限界がある。また、３軸以上の構成の磁気検出装置には使用できず、ＭＩ素子の配置等、方位センサの設計に制限が生じるという問題がある。
【０００７】
従って、本発明の目的は、小型で、ＭＩ素子の配置に関して自由度が高く、量産に適した磁気発生コイルを含む磁気検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明は上記目的を達成するため、第１の基板と、前記第１の基板上に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、第２の基板と、前記第２の基板上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置されるＭＩ（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）素子とからなることを特徴とする磁気検出装置を提供する。
【０００９】
このような構成によれば、ＭＩ素子にバイアス磁界を加える螺旋構造が微細構造により形成されることにより、装置全体を小型に構成することができ、微小な電流でバイアス磁界を印加することが可能となる。また、基板上に電極を設けたことでＭＩ素子の複雑な配線取り回しが必要なくなる。
【００１０】
（２）また、本発明は上記目的を達成するため、集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、集積回路が形成された第２の半導体と、前記第２の半導体上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第２の半導体上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置されるＭＩ素子とからなることを特徴とする磁気検出装置を提供する。
【００１１】
このような構成によれば、（１）の効果に加え、半導体集積回路を設けたことによりパッケージ中での信号処理が可能となり、パッケージ全体での小型化が可能となり、電子機器への搭載方法の自由度向上となる。また、パッケージ全体の製造が半導体製造プロセスによって可能となり量産化に適する。
【００１２】
（３）また、本発明は上記目的を達成するため、集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、基板と、前記基板上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する回路基板と、前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置されるＭＩ素子とからなることを特徴とする磁気検出装置を提供する。
【００１３】
このような構成によれば、（２）の効果に加え、配線取り出し等を考慮した磁気検出装置を構成することが可能となる。また、複数方向の磁気検出装置を精度良く１枚の基板にまとめてパッケージ化することが可能となる。
【００１４】
（４）また、本発明は上記目的を達成するため、集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなすＡｕワイヤと、前記螺旋構造内に配置されるＭＩ素子とからなることを特徴とする磁気検出装置を達成する。
【００１５】
このような構成によれば、（２）の効果に加え、より薄型の磁気検出装置が可能となる。
【００１６】
前記第１のチップと前記第２のチップは、任意の組み合わせでパルス発生装置またはデジタルフィルタの機能を有することが望ましい。
【００１７】
前記パターンは５０μｍ以下のピッチでＣｕメッキ層が配置されることが望ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、小型で、ＭＩ素子の配置に関して自由度が高く、量産に適した磁気発生コイルを含む磁気検出装置を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施の形態を図面を参考にして詳細に説明する。
【００２０】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に関する磁気検出装置の概略構成図である。
【００２１】
（構成）
この磁気検出装置１は、パルス電圧を発生するパルス発生部２０と、外部磁界に対してインピーダンス変化として電気的に応答するＭＩ素子５と、ＭＩ素子５に磁気バイアスを加える磁気発生部３と、検出磁界より所望の周波数成分を取り出すためのデジタルフィルタ部４０とを有する。この磁気発生部３は図示しない電源より電力を供給されている。
【００２２】
デジタルフィルタ部４０は、デジタルバンドパスフィルタと、整流部と、デジタルローパスフィルタと、波形整形部とからなるＦＩＲ（Ｆｉｎｉｔｅ Ｉｍｐｕｌｓｅ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ）フィルタもしくはＩＩＲ（Ｉｎｆｉｎｉｔｅ Ｉｍｐｕｌｓｅ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ）フィルタ形式により構成される。
【００２３】
図２Ａは本発明の第１の実施の形態に係る磁気検出装置の構成を示す斜視図である。図２Ｂは、図２ＡのＡ−Ａ部における切断面を示す図である。なお、一部詳細に説明するため、図面を一点鎖線で示している。
【００２４】
磁気検出装置１は、配線３２とＡｌからなる電極２１を片方の面に有する下側ＩＣチップ２と、配線３１を片側の面に有する上側ＩＣチップ４と、Ｓｉ基板上に高透磁率膜を形成したＭＩ素子５と、配線３１と配線３２を電気的に接続する接続端子３３とを有する。配線３１および配線３２は電極２１と電気的に接続され、電極２１には図示しない電源より電力が供給されている。
【００２５】
下側ＩＣチップ２および配線３２は、ＷＬＰにより作製される。下側ＩＣチップ２は、Ｓｉ基板に半導体プロセスによって回路パターンが設けられており、図１に示したパルス発生部２０の機能を有している。回路パターンはＳｉＯ２によるパッシベーション膜３４により絶縁され、電極２１のみ表面に現れている。下側ＩＣチップ２は絶縁樹脂３６により電極２１以外を覆い、絶縁樹脂３６の表面上に配線３２がＣｕメッキにより５０μｍ以下の可能な限り狭小なピッチで形成されている。現状では最小ピッチは１μｍである。配線３２は、絶縁樹脂３６に開口された部分より下側ＩＣチップ２上の電極２１と電気的に接続されている。また、配線３２の表面は絶縁樹脂３６により絶縁されており、接続端子３３取り付け部分のみ露出している。
【００２６】
上側ＩＣチップ４および配線３１は、ＷＬＰにより作製される。上側ＩＣチップ４は、Ｓｉ基板に半導体プロセスによって回路パターンが設けられており、図１に示したデジタルフィルタ部４０の機能を有している。回路パターンはパッシベーション膜３４により絶縁され、さらに絶縁樹脂３６により覆われた後、その表面上に配線３１がＣｕメッキにより５０μｍ以下の可能な限り狭小なピッチで形成されている。配線３１の表面は絶縁樹脂３６により絶縁されており、接続端子３３取り付け部分のみ露出している。
【００２７】
上記した下側ＩＣチップ２と上側ＩＣチップ４を面突合せで配置し、配線３１、配線３２の露出部を接続端子３３により接続することで螺旋中心軸３５を軸とした螺旋構造よりなる磁界発生部３を形成する。磁界発生部３は、下側ＩＣチップ２と上側ＩＣチップ４のそれぞれに対し面平行方向、つまり図２Ａ、図２Ｂに示すｚ軸方向に法線をもつ面に対し平行方向に形成され、中心にはＭＩ素子５が配置される。また螺旋中心軸３５とＭＩ素子５の磁気反応方向が一致するように配置される。なお、磁気反応方向とは、図２Ａ、図２Ｂに示すｙ軸方向である。
【００２８】
配線３１と配線３２とは、Ｃｕメッキにより配線３２の上に円柱状の接続端子３３を形成して半田バンプで接合するか、半田バンプのみを接続端子３３として用いて接合する。
【００２９】
また、ＭＩ素子５は図示しない下側ＩＣチップ２上の電極と電気的に接続されており、図１に示したパルス発生部２０より信号が入力される。また、ＭＩ素子５は図示しない上側ＩＣチップ４上の電極と電気的に接続されており、図１に示したデジタルフィルタ部４０に信号を出力する。
【００３０】
（動作）
以下に、本発明の実施の形態における磁気検出装置の動作を図１から図４を参照しつつ説明する。
【００３１】
ＭＩ素子５はつづら折れ状パターンの長手方向にて外部磁界に反応し、インピーダンスが変化する。パルス発生部２０の出力は、ＭＩ素子５のインピーダンス変化に基づき変化し、デジタルフィルタ部４０へと入力される。デジタルフィルタ部４０は、所望の帯域の周波数信号のみを図示しない搭載機器の信号処理部へと出力する。
【００３２】
図３は、ＭＩ素子５の磁気応答特性を示すグラフである。縦軸にＭＩ素子の感度、横軸に外部磁界Ｂを示す。
【００３３】
図３のI部に示すように、磁気発生部３による磁気バイアスがない場合は、外部磁界Ｂの変化に対しＭＩ素子のインピーダンスはほぼ変化を表さない。図３のII部に示すように、８×１０−４Ｔ程度の磁気バイアスがある場合は、大きなインピーダンス変化を示すため十分な電気的応答を得ることができる。上記の理由により、磁気発生部３に電力を供給し、磁気バイアスを調整することによって磁気検出装置１として十分な感度を得ることができるようになる。
【００３４】
（第１の実施の形態の効果）
上記した実施の形態によると、ＷＬＰにより上側ＩＣチップ４および下側ＩＣチップ２を作製したため、プリント基板では実現できない５０μｍ以下のピッチにより形成された微細構造により配線３１および配線３２が形成可能となり、従来のコイルに比べコイルサイズに対する巻数を多くすることができる。その結果、磁界発生部３において所望の磁気バイアスを微小電流で得ることが可能となり省電力になる。
【００３５】
また、コイルパターンを狭小ピッチで巻数を多くすることができるため、コイルの幅、長さを短くでき、装置をチップレベルで構成することが可能となる。また、ＩＣ上に磁気発生部３とＭＩ素子５用の電極を設けたことにより配線引回し等によるスペースの制限がなくなり搭載機器設計の際に配置の自由度が向上する。
【００３６】
また、複数の軸に対し磁気検出をする場合、それぞれの軸のＭＩ素子に対し磁気発生部を設けることで、ＭＩ素子の配置の自由度が向上する。
【００３７】
また、磁気発生部３の配線３１、配線３２は、半導体製造プロセスにより形成され、ＭＩ素子５のマウントもチップマウンタにより可能となるので、新たな設備を設けることなしに磁気検出装置１を半導体製造プロセスによって製造でき、量産化に適する。
【００３８】
〔第２の実施の形態〕
【００３９】
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る磁気検出装置を示す斜視図である。また、一部詳細に説明するため、図面を一点鎖線で示している。なお、以下の説明において、第１の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については共通の符号を付している。
【００４０】
（構成）
【００４１】
磁気検出装置１は、配線３２とＡｌからなる電極２１を片方の面に有する回路基板２Ａと、配線３１を片側の面に有する上側ＩＣチップ４と、Ｓｉ基板上に高透磁率膜を形成したＭＩ素子５と、配線３１と配線３２を電気的に接続する接続端子３３とを有する。配線３１および配線３２は電極２１と電気的に接続され、電極２１には図示しない電源より電力が供給されている。
【００４２】
配線３１と配線３２は接続端子３３により電気的に接続されることにより、螺旋中心軸３５を中心として螺旋構造を構成する。ＭＩ素子５は螺旋中心軸３５上にその中心が位置するように、また螺旋中心軸３５とＭＩ素子５の磁気反応方向が一致するように配置される。なお、磁気反応方向とは、図４に示すｙ軸方向である。
【００４３】
なお、上側ＩＣチップ４は、Ｓｉ基板に半導体プロセスによって回路パターンが設けられており、図１に示したパルス発生部２０とデジタルフィルタ部４０の機能を有している。
【００４４】
また、ＭＩ素子５は図示しない上側ＩＣチップ４上の電極と電気的に接続されており、図１に示したパルス発生部２０とデジタルフィルタ部４０とでそれぞれ信号を送受信する。
【００４５】
（第２の実施の形態の効果）
上記した実施の形態によると、第１の実施の形態の効果に加え、共通の回路基板２Ａ上に複数の磁気検出装置１を半導体製造プロセスを用いて磁気検出する各軸に対して設置することにより、方位センサ等の軸ズレを抑え精度を向上させることができる。また、回路基板２Ａを使用したことにより、配線取り出しも含めて磁気検出装置を構成することが可能となり、パッケージとして小型にデザインすることが可能となる。また、方位センサ等の磁気検出装置のパッケージとして構成することができるため、電子機器への搭載が簡潔になり、製造リードタイムを短くすることができる。
〔第３の実施の形態〕
【００４６】
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る磁気検出装置を示す斜視図である。
【００４７】
（構成）
磁気検出装置１は、ワイヤ配線３１ａと、配線３２とＡｌからなる電極２１とを片方の面に有する下側ＩＣチップ２と、Ｓｉ基板上に高透磁率膜を形成したＭＩ素子５とを有する。配線３２と電極２１は電気的に接続され、電極２１には図示しない電源より電力が供給されている。
【００４８】
ワイヤ配線３１ａと配線３２が電気的に接続されることにより、螺旋中心軸３５を中心として螺旋構造を構成する。ＭＩ素子５は螺旋中心軸３５上にその中心がくるように、また螺旋中心軸３５とＭＩ素子５の磁気反応方向が一致するように配置される。なお、磁気反応方向とは、図５に示すｙ軸方向である。
【００４９】
なお、下側ＩＣチップ２は、Ｓｉ基板に半導体プロセスによって回路パターンが設けられており、図１に示したパルス発生部２０とデジタルフィルタ部４０の機能を有している。
【００５０】
また、ＭＩ素子５は図示しない下側ＩＣチップ２上の電極と電気的に接続されており、図１に示したパルス発生部２０とデジタルフィルタ部４０とでそれぞれ信号を送受信する。
【００５１】
なお、ワイヤ配線３１ａとＭＩ素子５は図示しない封止樹脂により保護する。
【００５２】
（第３の実施の形態の効果）
上記した実施の形態によると、第１の実施の形態の効果に加え、図５に示すｚ方向の厚みを抑えることができるため、薄さを求められる電子機器への搭載に適した形状となる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に関する磁気検出装置の概略構成図である。
【図２Ａ】本発明の第１の実施の形態に係る磁気検出装置の構成を示す斜視図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＡ−Ａ部における切断面を示す図である。
【図３】ＭＩ素子５の磁気応答特性を示すグラフである。縦軸にＭＩ素子のインピーダンス、横軸に外部磁界Ｂを示す。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る磁気検出装置を示す斜視図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る磁気検出装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５４】
１ 磁気検出装置
２ 下側ＩＣチップ
２Ａ 回路基板
３ 磁気発生部
４ 上側ＩＣチップ
５ ＭＩ素子
２０ パルス発生部
２１ 電極
３１ａ ワイヤ配線
３１ 配線
３２ 配線
３３ 接続端子
３４ パッシベーション膜
３５ 螺旋中心軸
３６ 絶縁樹脂
４０ デジタルフィルタ部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）において構成される磁気バイアスコイルを含む磁気検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＩ（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）素子を使用した磁気方位センサ等が製造されている。ＭＩ素子は、磁気や電波の磁気成分に基づいてそのインピーダンスを変化させ、電気的に応答する。これらのＭＩ素子を使用した装置は、良好な感度を得るために磁気に対するインピーダンスの変化分がもっとも大きな磁気範囲を利用する。そのためには、ＭＩ素子に磁気バイアスを加える必要がある。
【０００３】
従来の技術として、方位センサに搭載されたＭＩ素子に磁気バイアスを加える手段として、ボビン状のケースに導線を巻回した磁界発生用のコイルが知られている（例えば、非特許文献１）。
【０００４】
この方位センサは、二次元的に方位を検出するためにＭＩ素子を２つ使用し、それぞれを磁気検出方向が直行するように配置している。また、磁界発生コイルは、それぞれのＭＩ素子の磁気検出方向に対して４５°をなす角度から磁界を加えるように配置されている。
【０００５】
この磁界発生用コイルによると、１つのコイルで磁界を発生することにより２つのＭＩ素子に同時に磁気バイアスを加えることができるため、方位センサを小型に構成することが可能である。
【非特許文献１】方位センサー、機能、［ｏｎｌｉｎｅ］、カシオ計算機株式会社、［平成１７年１１月１０日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.casio.co.jp/ww/PROTREK/special/index.html＞
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来の磁界発生コイルによると、ボビン状のケースを使用しているため、ケースに厚みがある以上は小型化に限界がある。また、コイルの構造上、ＭＩ素子と別の生産ラインを設ける必要が生じ、量産の効率化に限界がある。また、３軸以上の構成の磁気検出装置には使用できず、ＭＩ素子の配置等、方位センサの設計に制限が生じるという問題がある。
【０００７】
従って、本発明の目的は、小型で、ＭＩ素子の配置に関して自由度が高く、量産に適した磁気発生コイルを含む磁気検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明は上記目的を達成するため、第１の基板と、前記第１の基板上に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、第２の基板と、前記第２の基板上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置されるＭＩ（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）素子とからなることを特徴とする磁気検出装置を提供する。
【０００９】
このような構成によれば、ＭＩ素子にバイアス磁界を加える螺旋構造が微細構造により形成されることにより、装置全体を小型に構成することができ、微小な電流でバイアス磁界を印加することが可能となる。また、基板上に電極を設けたことでＭＩ素子の複雑な配線取り回しが必要なくなる。
【００１０】
（２）また、本発明は上記目的を達成するため、集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、集積回路が形成された第２の半導体と、前記第２の半導体上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第２の半導体上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置されるＭＩ素子とからなることを特徴とする磁気検出装置を提供する。
【００１１】
このような構成によれば、（１）の効果に加え、半導体集積回路を設けたことによりパッケージ中での信号処理が可能となり、パッケージ全体での小型化が可能となり、電子機器への搭載方法の自由度向上となる。また、パッケージ全体の製造が半導体製造プロセスによって可能となり量産化に適する。
【００１２】
（３）また、本発明は上記目的を達成するため、集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、基板と、前記基板上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する回路基板と、前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置されるＭＩ素子とからなることを特徴とする磁気検出装置を提供する。
【００１３】
このような構成によれば、（２）の効果に加え、配線取り出し等を考慮した磁気検出装置を構成することが可能となる。また、複数方向の磁気検出装置を精度良く１枚の基板にまとめてパッケージ化することが可能となる。
【００１４】
（４）また、本発明は上記目的を達成するため、集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなすＡｕワイヤと、前記螺旋構造内に配置されるＭＩ素子とからなることを特徴とする磁気検出装置を達成する。
【００１５】
このような構成によれば、（２）の効果に加え、より薄型の磁気検出装置が可能となる。
【００１６】
前記第１のチップと前記第２のチップは、任意の組み合わせでパルス発生装置またはデジタルフィルタの機能を有することが望ましい。
【００１７】
前記パターンは５０μｍ以下のピッチでＣｕメッキ層が配置されることが望ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、小型で、ＭＩ素子の配置に関して自由度が高く、量産に適した磁気発生コイルを含む磁気検出装置を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施の形態を図面を参考にして詳細に説明する。
【００２０】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に関する磁気検出装置の概略構成図である。
【００２１】
（構成）
この磁気検出装置１は、パルス電圧を発生するパルス発生部２０と、外部磁界に対してインピーダンス変化として電気的に応答するＭＩ素子５と、ＭＩ素子５に磁気バイアスを加える磁気発生部３と、検出磁界より所望の周波数成分を取り出すためのデジタルフィルタ部４０とを有する。この磁気発生部３は図示しない電源より電力を供給されている。
【００２２】
デジタルフィルタ部４０は、デジタルバンドパスフィルタと、整流部と、デジタルローパスフィルタと、波形整形部とからなるＦＩＲ（Ｆｉｎｉｔｅ Ｉｍｐｕｌｓｅ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ）フィルタもしくはＩＩＲ（Ｉｎｆｉｎｉｔｅ Ｉｍｐｕｌｓｅ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ）フィルタ形式により構成される。
【００２３】
図２Ａは本発明の第１の実施の形態に係る磁気検出装置の構成を示す斜視図である。図２Ｂは、図２ＡのＡ−Ａ部における切断面を示す図である。なお、一部詳細に説明するため、図面を一点鎖線で示している。
【００２４】
磁気検出装置１は、配線３２とＡｌからなる電極２１を片方の面に有する下側ＩＣチップ２と、配線３１を片側の面に有する上側ＩＣチップ４と、Ｓｉ基板上に高透磁率膜を形成したＭＩ素子５と、配線３１と配線３２を電気的に接続する接続端子３３とを有する。配線３１および配線３２は電極２１と電気的に接続され、電極２１には図示しない電源より電力が供給されている。
【００２５】
下側ＩＣチップ２および配線３２は、ＷＬＰにより作製される。下側ＩＣチップ２は、Ｓｉ基板に半導体プロセスによって回路パターンが設けられており、図１に示したパルス発生部２０の機能を有している。回路パターンはＳｉＯ２によるパッシベーション膜３４により絶縁され、電極２１のみ表面に現れている。下側ＩＣチップ２は絶縁樹脂３６により電極２１以外を覆い、絶縁樹脂３６の表面上に配線３２がＣｕメッキにより５０μｍ以下の可能な限り狭小なピッチで形成されている。現状では最小ピッチは１μｍである。配線３２は、絶縁樹脂３６に開口された部分より下側ＩＣチップ２上の電極２１と電気的に接続されている。また、配線３２の表面は絶縁樹脂３６により絶縁されており、接続端子３３取り付け部分のみ露出している。
【００２６】
上側ＩＣチップ４および配線３１は、ＷＬＰにより作製される。上側ＩＣチップ４は、Ｓｉ基板に半導体プロセスによって回路パターンが設けられており、図１に示したデジタルフィルタ部４０の機能を有している。回路パターンはパッシベーション膜３４により絶縁され、さらに絶縁樹脂３６により覆われた後、その表面上に配線３１がＣｕメッキにより５０μｍ以下の可能な限り狭小なピッチで形成されている。配線３１の表面は絶縁樹脂３６により絶縁されており、接続端子３３取り付け部分のみ露出している。
【００２７】
上記した下側ＩＣチップ２と上側ＩＣチップ４を面突合せで配置し、配線３１、配線３２の露出部を接続端子３３により接続することで螺旋中心軸３５を軸とした螺旋構造よりなる磁界発生部３を形成する。磁界発生部３は、下側ＩＣチップ２と上側ＩＣチップ４のそれぞれに対し面平行方向、つまり図２Ａ、図２Ｂに示すｚ軸方向に法線をもつ面に対し平行方向に形成され、中心にはＭＩ素子５が配置される。また螺旋中心軸３５とＭＩ素子５の磁気反応方向が一致するように配置される。なお、磁気反応方向とは、図２Ａ、図２Ｂに示すｙ軸方向である。
【００２８】
配線３１と配線３２とは、Ｃｕメッキにより配線３２の上に円柱状の接続端子３３を形成して半田バンプで接合するか、半田バンプのみを接続端子３３として用いて接合する。
【００２９】
また、ＭＩ素子５は図示しない下側ＩＣチップ２上の電極と電気的に接続されており、図１に示したパルス発生部２０より信号が入力される。また、ＭＩ素子５は図示しない上側ＩＣチップ４上の電極と電気的に接続されており、図１に示したデジタルフィルタ部４０に信号を出力する。
【００３０】
（動作）
以下に、本発明の実施の形態における磁気検出装置の動作を図１から図４を参照しつつ説明する。
【００３１】
ＭＩ素子５はつづら折れ状パターンの長手方向にて外部磁界に反応し、インピーダンスが変化する。パルス発生部２０の出力は、ＭＩ素子５のインピーダンス変化に基づき変化し、デジタルフィルタ部４０へと入力される。デジタルフィルタ部４０は、所望の帯域の周波数信号のみを図示しない搭載機器の信号処理部へと出力する。
【００３２】
図３は、ＭＩ素子５の磁気応答特性を示すグラフである。縦軸にＭＩ素子の感度、横軸に外部磁界Ｂを示す。
【００３３】
図３のI部に示すように、磁気発生部３による磁気バイアスがない場合は、外部磁界Ｂの変化に対しＭＩ素子のインピーダンスはほぼ変化を表さない。図３のII部に示すように、８×１０−４Ｔ程度の磁気バイアスがある場合は、大きなインピーダンス変化を示すため十分な電気的応答を得ることができる。上記の理由により、磁気発生部３に電力を供給し、磁気バイアスを調整することによって磁気検出装置１として十分な感度を得ることができるようになる。
【００３４】
（第１の実施の形態の効果）
上記した実施の形態によると、ＷＬＰにより上側ＩＣチップ４および下側ＩＣチップ２を作製したため、プリント基板では実現できない５０μｍ以下のピッチにより形成された微細構造により配線３１および配線３２が形成可能となり、従来のコイルに比べコイルサイズに対する巻数を多くすることができる。その結果、磁界発生部３において所望の磁気バイアスを微小電流で得ることが可能となり省電力になる。
【００３５】
また、コイルパターンを狭小ピッチで巻数を多くすることができるため、コイルの幅、長さを短くでき、装置をチップレベルで構成することが可能となる。また、ＩＣ上に磁気発生部３とＭＩ素子５用の電極を設けたことにより配線引回し等によるスペースの制限がなくなり搭載機器設計の際に配置の自由度が向上する。
【００３６】
また、複数の軸に対し磁気検出をする場合、それぞれの軸のＭＩ素子に対し磁気発生部を設けることで、ＭＩ素子の配置の自由度が向上する。
【００３７】
また、磁気発生部３の配線３１、配線３２は、半導体製造プロセスにより形成され、ＭＩ素子５のマウントもチップマウンタにより可能となるので、新たな設備を設けることなしに磁気検出装置１を半導体製造プロセスによって製造でき、量産化に適する。
【００３８】
〔第２の実施の形態〕
【００３９】
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る磁気検出装置を示す斜視図である。また、一部詳細に説明するため、図面を一点鎖線で示している。なお、以下の説明において、第１の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については共通の符号を付している。
【００４０】
（構成）
【００４１】
磁気検出装置１は、配線３２とＡｌからなる電極２１を片方の面に有する回路基板２Ａと、配線３１を片側の面に有する上側ＩＣチップ４と、Ｓｉ基板上に高透磁率膜を形成したＭＩ素子５と、配線３１と配線３２を電気的に接続する接続端子３３とを有する。配線３１および配線３２は電極２１と電気的に接続され、電極２１には図示しない電源より電力が供給されている。
【００４２】
配線３１と配線３２は接続端子３３により電気的に接続されることにより、螺旋中心軸３５を中心として螺旋構造を構成する。ＭＩ素子５は螺旋中心軸３５上にその中心が位置するように、また螺旋中心軸３５とＭＩ素子５の磁気反応方向が一致するように配置される。なお、磁気反応方向とは、図４に示すｙ軸方向である。
【００４３】
なお、上側ＩＣチップ４は、Ｓｉ基板に半導体プロセスによって回路パターンが設けられており、図１に示したパルス発生部２０とデジタルフィルタ部４０の機能を有している。
【００４４】
また、ＭＩ素子５は図示しない上側ＩＣチップ４上の電極と電気的に接続されており、図１に示したパルス発生部２０とデジタルフィルタ部４０とでそれぞれ信号を送受信する。
【００４５】
（第２の実施の形態の効果）
上記した実施の形態によると、第１の実施の形態の効果に加え、共通の回路基板２Ａ上に複数の磁気検出装置１を半導体製造プロセスを用いて磁気検出する各軸に対して設置することにより、方位センサ等の軸ズレを抑え精度を向上させることができる。また、回路基板２Ａを使用したことにより、配線取り出しも含めて磁気検出装置を構成することが可能となり、パッケージとして小型にデザインすることが可能となる。また、方位センサ等の磁気検出装置のパッケージとして構成することができるため、電子機器への搭載が簡潔になり、製造リードタイムを短くすることができる。
〔第３の実施の形態〕
【００４６】
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る磁気検出装置を示す斜視図である。
【００４７】
（構成）
磁気検出装置１は、ワイヤ配線３１ａと、配線３２とＡｌからなる電極２１とを片方の面に有する下側ＩＣチップ２と、Ｓｉ基板上に高透磁率膜を形成したＭＩ素子５とを有する。配線３２と電極２１は電気的に接続され、電極２１には図示しない電源より電力が供給されている。
【００４８】
ワイヤ配線３１ａと配線３２が電気的に接続されることにより、螺旋中心軸３５を中心として螺旋構造を構成する。ＭＩ素子５は螺旋中心軸３５上にその中心がくるように、また螺旋中心軸３５とＭＩ素子５の磁気反応方向が一致するように配置される。なお、磁気反応方向とは、図５に示すｙ軸方向である。
【００４９】
なお、下側ＩＣチップ２は、Ｓｉ基板に半導体プロセスによって回路パターンが設けられており、図１に示したパルス発生部２０とデジタルフィルタ部４０の機能を有している。
【００５０】
また、ＭＩ素子５は図示しない下側ＩＣチップ２上の電極と電気的に接続されており、図１に示したパルス発生部２０とデジタルフィルタ部４０とでそれぞれ信号を送受信する。
【００５１】
なお、ワイヤ配線３１ａとＭＩ素子５は図示しない封止樹脂により保護する。
【００５２】
（第３の実施の形態の効果）
上記した実施の形態によると、第１の実施の形態の効果に加え、図５に示すｚ方向の厚みを抑えることができるため、薄さを求められる電子機器への搭載に適した形状となる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に関する磁気検出装置の概略構成図である。
【図２Ａ】本発明の第１の実施の形態に係る磁気検出装置の構成を示す斜視図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＡ−Ａ部における切断面を示す図である。
【図３】ＭＩ素子５の磁気応答特性を示すグラフである。縦軸にＭＩ素子のインピーダンス、横軸に外部磁界Ｂを示す。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る磁気検出装置を示す斜視図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る磁気検出装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５４】
１ 磁気検出装置
２ 下側ＩＣチップ
２Ａ 回路基板
３ 磁気発生部
４ 上側ＩＣチップ
５ ＭＩ素子
２０ パルス発生部
２１ 電極
３１ａ ワイヤ配線
３１ 配線
３２ 配線
３３ 接続端子
３４ パッシベーション膜
３５ 螺旋中心軸
３６ 絶縁樹脂
４０ デジタルフィルタ部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、前記第１の基板上に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
第２の基板と、前記第２の基板上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、
前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置されるＭＩ（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）素子とからなることを特徴とする磁気検出装置。
【請求項２】
集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
集積回路が形成された第２の半導体と、前記第２の半導体上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第２の半導体上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、
前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置されるＭＩ素子とからなることを特徴とする磁気検出装置。
【請求項３】
集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
基板と、前記基板上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する回路基板と、
前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置されるＭＩ素子とからなることを特徴とする磁気検出装置。
【請求項４】
集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなすＡｕワイヤと、
前記螺旋構造内に配置されるＭＩ素子とからなることを特徴とする磁気検出装置。
【請求項５】
前記第１のチップと前記第２のチップは、任意の組み合わせでパルス発生装置またはデジタルフィルタの機能を有することを特徴とする請求項２から４に記載の磁気検出装置。
【請求項６】
前記パターンは５０μｍ以下のピッチでＣｕメッキ層が配置されることを特徴とする請求項１から４に記載の磁気検出装置。
【請求項１】
第１の基板と、前記第１の基板上に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
第２の基板と、前記第２の基板上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、
前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置されるＭＩ（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）素子とからなることを特徴とする磁気検出装置。
【請求項２】
集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
集積回路が形成された第２の半導体と、前記第２の半導体上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第２の半導体上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する第２のチップと、
前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置されるＭＩ素子とからなることを特徴とする磁気検出装置。
【請求項３】
集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
基板と、前記基板上に積層された絶縁樹脂による第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に積層され前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基板上の電極と電気的に接続され前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなす第２のパターンを構成する第２のＣｕメッキ層と、前記第２のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層に設けられた開口部によって前記第２のＣｕメッキ層を露出させ形成される第２の電極とを有する回路基板と、
前記第１の電極と前記第２の電極を導電性材料で接続することによりなる前記螺旋構造内に配置されるＭＩ素子とからなることを特徴とする磁気検出装置。
【請求項４】
集積回路が形成された第１の半導体と、前記第１の半導体に積層された絶縁樹脂による第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に積層され前記第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の半導体上の電極と電気的に接続され第１のパターンを構成する第１のＣｕメッキ層と、前記第１のＣｕメッキ層上に積層された絶縁樹脂による第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた開口部によって前記第１のＣｕメッキ層を露出させ形成される第１の電極とを有する第１のチップと、
前記第１のパターンに対向して設けられ前記第１のパターンと電気的に接続されることにより螺旋構造をなすＡｕワイヤと、
前記螺旋構造内に配置されるＭＩ素子とからなることを特徴とする磁気検出装置。
【請求項５】
前記第１のチップと前記第２のチップは、任意の組み合わせでパルス発生装置またはデジタルフィルタの機能を有することを特徴とする請求項２から４に記載の磁気検出装置。
【請求項６】
前記パターンは５０μｍ以下のピッチでＣｕメッキ層が配置されることを特徴とする請求項１から４に記載の磁気検出装置。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００７−２６３６４５（Ｐ２００７−２６３６４５Ａ）
【公開日】平成１９年１０月１１日（２００７．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−８７１１１（Ｐ２００６−８７１１１）
【出願日】平成１８年３月２８日（２００６．３．２８）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１０月１１日（２００７．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月２８日（２００６．３．２８）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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