【課題】電流により発生する磁場を化合物半導体回路で集約して検出することができる小型で、高感度かつ高精度な電流センサを実現すること。
【解決手段】半導体回路（ＬＳＩ回路）と化合物半導体回路（ホール素子を有する化合物半導体素子）とが形成された基板に、さらに、化合物半導体素子の直上に、該直下の化合物半導回路に対して磁束密度を増加させるための所定の形状からなる電気配線（コ字型または馬蹄型の形状を呈した金属配線）を形成し、この電気配線に被検出電流を流すようにした。 （もっと読む）

【課題】電流値を精度良く検知する。
【解決手段】磁気抵抗素子１１を備えた電流センサ１０であって、該磁気抵抗素子１１の、磁気抵抗素子１１自体に流すセンス電流に応じた出力変化（センス電流部１２による出力変化）と、磁気抵抗素子の近傍に配置される電気配線（電気配線ｗｄ２等の影響による出力変化）への電流に応じた出力変化と、の２つの出力変化に基づいて測定対象である負荷Ａへの電流を測定する。 （もっと読む）

【課題】 動作点の変動と抵抗値比のばらつきを抑制することができると共に、温度特性を改善した磁気センサを提供する。
【解決手段】 磁気センサ１は、センサ回路部２を備える。このセンサ回路部２は、第１および第３の磁気抵抗素子Ｒ1，Ｒ3を直列接続した第１の直列回路６と、第２および第４の磁気抵抗素子Ｒ2，Ｒ4を直列接続した第２の直列回路７とを備え、第１の直列回路６と第２の直列回路７とを並列接続したブリッジ回路５によって構成される。第１ないし第４の磁気抵抗素子Ｒ1〜Ｒ4の表面は絶縁膜１２によって覆われる。また、第３の磁気抵抗素子Ｒ3および第４の磁気抵抗素子Ｒ4の表面には、絶縁膜１２を挟んで磁性材料からなる磁束集磁膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子の消費電力を低減する。
【解決手段】ＭＲ素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたＭＲ膜１２とを備えている。ＭＲ膜１２は、ジグザグ状に折れ曲がる直線１２ａが更に多重にジグザグ状に折れ曲がる形状１２ｂを有する。直線１２ａは、複数の形状部１２１，１２２，１２３を形成している。それぞれの形状部１２１，１２２，１２３は、互いに平行な複数の長方形１２ｃがジグザグ状に直列に接続された形状を有し、かつジグザグ状に互いに直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】１つの基板に形成した複数の磁気抵抗素子部のピン磁性層を任意の方向に着磁させたとしても、磁気抵抗素子部の検出精度の低下を防止する。
【解決手段】基板１０に各磁気抵抗素子部２２に対応するヒータ部３０をそれぞれ形成し、ヒータ部３０の上方に各磁気抵抗素子部２２を形成する。磁場の向きが基板１０の一面１３の面方向のうちの第１の方向に設定された磁場中において、一方の磁気抵抗素子部２２に対応するヒータ部３０を加熱して磁場中アニールを行い、当該磁気抵抗素子部２２を構成するピン磁性層２２ａの磁化の向きを第１の方向に着磁する。続いて、磁場の向きを第１の方向とは異なる第２の方向に設定した磁場中において、他方の磁気抵抗素子部２２に対応するヒータ部３０を加熱して磁場中アニールを行い、当該磁気抵抗素子部２２を構成するピン磁性層２２ａの磁化の向きを第２の方向に着磁する。 （もっと読む）

【課題】基板の反射率に依存せず、アライメントマークの識別性を確保することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、シリコン基板２４と、シリコン基板２４上に少なくともＮｉＣｏパターン３１とアルミ電極３０とを含んで形成される回路部３と、シリコン基板２４上に回路部３のＮｉＣｏパターン３１と同工程において形成される低反射パターンとしてのＮｉＣｏパターン２２と、ＮｉＣｏパターン２２上に形成され、回路部３のアルミ電極３０と同工程において形成される高反射パターンとしてのアルミパターン２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置におけるマイクロコンピュータ周辺装置の高速起動。
【解決手段】マイクロコンピュータ周辺装置は、マイクロコンピュータから受信した初期設定コマンドに基づく設定信号をレジスタを介して機能回路部に出力し、初期設定を行う。ここで、レジスタにおける設定信号のデータをＭＴＪ素子等の不揮発性記憶素子を用いた保持回路で記憶しておく。電源再投入時には、保持回路に記憶された設定信号のデータで初期設定を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面の空き領域が少ない半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】このＭＲＡＭの各メモリセルＭＣは、磁気抵抗素子１８と２つのアクセストランジスタ１９ａ，１９ｂを含み、トランジスタ１９ａ，１９ｂのドレインを磁気抵抗素子１８を介して対応のビット線ＢＬに接続し、それらのゲートを対応のワード線ＷＬに接続し、それらのソースをそれぞれソース線ＳＬおよび補助配線ＡＬに接続する。したがって、アクセストランジスタ１９ｂのソースとＤＬドライバ１４に含まれるドライバトランジスタ２３のソースとを共通化することができ、シリコン基板３１の表面の空き領域を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】データ消失温度が高く、かつ生産性の高い不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る不揮発性記憶装置の製造方法は、第１の記憶部と、第１の記憶部が有するデータ消失温度よりも高いデータ消失温度を有する第２の記憶部と、を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、第２の記憶部のメモリセルを形成するための第２の積層体を形成する工程と、第１の記憶部が形成される領域に形成された第２の積層体を除去する工程と、第１の記憶部のメモリセルを形成するための第１の積層体を形成する工程と、第２の記憶部が形成される領域に形成された第１の積層体を除去する工程と、第１の記憶部が形成される領域に形成された第１の積層体と、第２の記憶部が形成される領域に形成された第２の積層体と、を同時に処理して、第１の積層体から第１の記憶部のメモリセルを形成するとともに、第２の積層体から第２の記憶部のメモリセルを形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】モータ制御用半導体装置に対するコンタクト用ピンからの影響を低減する
【解決手段】ホール素子１０２からの出力のオフセット電圧を取り除くオフセットキャンセル回路１０４に含まれるオシレータ回路１２と、オフセットキャンセル回路１０４からの出力信号を受けて、当該出力信号と基準信号とを比較して比較信号を生成して出力するコンパレータ回路１０６と、モータを駆動するための駆動信号を生成して出力する出力回路１１０と、モータの制御に関係しないテスト回路１１２と、を有し、オシレータ回路１２の回路パターン上、コンパレータ回路１０６の回路パターン上、及び、テスト回路１１２の回路パターン上のいずれか１つに重なるようにパルス幅変調信号の入出力パッドＰ１を形成する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を用いて電流を検知するセンサを備えた半導体装置に関する。簡単な構成により、電流の検出を高精度に実現することを目的にする。
【解決手段】半導体回路が形成された基板と、基板に配設された第１の配線部材と、第１の配線部材に立設された垂直配線部材と、垂直配線部材に接続され第１の配線部材と平行に架設された第２の配線部材と、垂直配線部材に対向配置された第１の磁電変換素子と、垂直配線部材をはさんで第１の磁電変換素子と対向する第２の磁電変換素子と、第１の磁電変換素子と第２の磁電変換素子を直列に接続する第１の素子配線と、第１の素子配線の中点が入力される第１の増幅回路とを備えている。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子から伝送路に出力される乗算信号の歪みを確実に低減する。
【解決手段】ＲＦ信号Ｓ_ＲＦ、およびローカル信号Ｓ２を入力すると共に、両信号Ｓ_ＲＦ，Ｓ２を加算して加算信号Ｓ１２として出力する加算部６と、磁化固定層、磁化自由層、および磁化固定層と磁化自由層との間に配設された非磁性スペーサー層を備え、加算信号Ｓ１２を入力したときに加算信号Ｓ１２に含まれているＲＦ信号Ｓ_ＲＦおよびローカル信号Ｓ２を磁気抵抗効果によって乗算して乗算信号Ｓ４を生成する磁気抵抗効果素子２と、磁化自由層に磁場を印加する磁場印加部３と、磁気抵抗効果素子２から出力される乗算信号Ｓ４を入力すると共に、入力インピーダンスよりも低いインピーダンスに変換して出力する受動型の第１インピーダンス変換部７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 回転角度の検出精度を高めながら小型化することができる回転センサを実現する。
【解決手段】 磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８が各磁気抵抗素子の出力信号間に位相差が出るように配置された磁気抵抗素子領域Ｅ１と、ホール素子Ｈ１，Ｈ２が各ホール素子の出力信号間に位相差が出るように配置されたホール素子領域Ｅ２とを有し、かつ、磁気抵抗素子領域およびホール素子領域の少なくとも一部同士が重ねられたセンサチップ５と、各ホール素子の各出力レベルと閾値レベルとの比較結果を出す比較部５３と、各磁気抵抗素子の各出力信号を用いて相対回転角度θに対応する演算角度φを演算する角度演算部６０と、その演算された角度と閾値角度とを比較し、その比較結果と比較部５３の比較結果とを用い、相対回転角度に対応する信号を出力する出力部７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 磁気発生部の相対回転角度の演算時間を短縮することができる回転センサを実現する。
【解決手段】角度演算部６０はＡＭＲセンサＭ１，Ｍ２から出力される信号を用い永久磁石２に対する相対回転角度θと演算により求めた演算角度φとの偏差が所定値に収束するようにフィードバック制御を行って相対回転角度θを演算する。初期値決定部５３はホール素子Ｈ１，Ｈ２から出力された各検出信号の各信号レベルと閾値との各比較結果を用い相対回転角度θの初期値θ０が含まれる角度範囲を判定し、その判定した角度範囲の中で発生し得る相対回転角度の初期値と前記演算角度の初期値との差の絶対値が９０°未満となるように演算角度の初期値を決定する。初期値決定部は永久磁石２が相対回転を開始する前にのみ演算角度φの初期値φ０を決定し角度演算部６０はその決定された演算角度φの初期値φ０を用いてフィードバック制御を開始し、相対回転角度θを演算する。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子などのスピントロニクス素子を用いた磁気センサに関し、ノイズを低減し、かつ、高感度化を図ることができる磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子群を用いた磁気センサ２０は、検知素子１０を直列に接続して磁気抵抗素子群８ａ、８ｂ、８ｃとし、これらを並列に配置してセル９として磁気抵抗素子群を連動する。基準抵抗１１を直列に配置することにより、磁気抵抗値の変化につれて出力変化を実現する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成されたスクライブラインと集積回路部との間の段差を低減することで、集積回路部におけるレジストの塗布ムラを低減することができる半導体ウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ基板２１上に、ＩＣ部５１、シールリング部５２及びスクライブライン５３が形成されたシリコンウェーハであり、最上層の絶縁層２５ｂの平坦面上に配線層２４ｃが形成されるとともに、最上層の配線層２４ｃと同一の材料からなる金属層５４ｃがシールリング部５２に形成され、配線層２４ｃ及び金属層５４ｃを覆うように、ＩＣ部５１、シールリング部５２及びスクライブライン５３の全面に亘って表面が平坦化された平坦化絶縁層５５が形成され、この平坦化絶縁層５５上にパッシベーション膜５６が形成され、パッシベーション膜５６上にＧＭＲ素子６〜９が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光センサと磁気センサの両方を用いる場合の省スペース化。
【解決手段】集積回路内に、磁気検出素子と、印加された磁界に応じて前記磁気検出素子で得られる電圧信号を取り出して磁気検出信号を得る磁気検出信号処理部と、を備える磁気センサ部と、光検出素子と、照射された光量に応じて該光検出素子で得られる電流信号を取り出して光検出信号を得る光検出信号処理部と、を備える光センサ部と、を設け、磁気検出素子と、光検出素子とは、共通の半導体基板に形成し、光磁気一体型センサとする。半導体基板のｐ導電型領域の上にｎ導電型領域を形成し、ｎ導電型領域を磁気検出素子として用い、かつｐ導電型領域とｎ導電型領域とのｐｎ接合を光検出素子として用いれば、単一のセンサ素子を光検出素子、磁気検出素子として利用することもできる。 （もっと読む）

【課題】複数のＭＴＪメモリセルアレイを同一チップ内に含む半導体集積回路装置の製造工程を効率化する。
【解決手段】システムＬＳＩ１００は、複数のＭＲＡＭ回路ブロック１１０ａ〜１１０ｆを備える。ＭＲＡＭ回路ブロック１１０ａ〜１１０ｆは、ＭＴＪメモリセルが行列状に配置されるＭＴＪメモリセルアレイ１０ａ〜１０ｆをそれぞれ含む。ＭＴＪメモリセルアレイ１０ａ〜１０ｆの各々には、書込データに応じて双方向のデータ書込電流を流すためのビット線ＢＬが配置される。ＭＴＪメモリセルアレイ１０ａ〜１０ｆのそれぞれにおけるビット線ＢＬの延在方向は、システムＬＳＩ１００上で同一方向である。 （もっと読む）

【課題】 読出し時に熱的に安定で、かつ書き込み時の電流を低減した、スピントルク磁化反転応用の磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】 強磁性体からなる固定層、非磁性障壁層、強磁性体からなる記録層、記録層と磁気的に結合した強磁性体からなる強磁性付加層が順次積層されたメモリ素子を備え、前記記録層の磁化方向と前記固定層の磁化方向が、略平行か、略反平行かによって情報の検出を行い、さらに前記記録層の磁化の方向を、前記記録層の膜面に垂直な方向に通電するスピン偏極した電流でスイッチングする磁気メモリにおいて、前記強磁性付加層の磁化方向が前記記録層と略平行とし、前記強磁性付加層の磁化の大きさが、150℃から２５０℃の温度範囲で消失する材料で、前記強磁性付加層を構成する。 （もっと読む）

本発明は、非強磁性中間層によって分離された第一の強磁性層および第二の強磁性層を含む少なくとも一つの第一の磁気抵抗スタック（ＭＴＪ１）、そして第一（Ｎ３）および第二（Ｎ２）レベルのメタライゼーションに各々属する少なくとも一つの第一（１９）および一つの第二（１８）の電流ラインからなる磁気構造を含む「論理関数」実行のためのデバイス（９）に関する。二つのラインの各々は、電流がそれを通って流れると第一のスタックの近くに磁場を発生させる。なお、強磁性硬層は、基準として機能する固定磁束に留められる。第一および第二のライン（１９、１８）は、第二の強磁性層の種々の距離に配置されるが、それら種々の距離は「論理関数」によって決定される。 （もっと読む）