【課題】平面に適用された磁場を測定する方法を提供する。
【解決手段】第１の交流ドライブ電流を第１のストラップに適用し、第１のストラップの少なくとも一部が、磁気抵抗センサの上に横たわり、第１のストラップが、第１の方向Ｘに延びる大きさを有することを特徴とし、第２の交流ドライブ電流を第２のストラップに同時に適用し、第２のストラップの少なくとも一部が第１のストラップの少なくとも一部の上に横たわり、第２のストラップが第２の方向Ｙに延びる大きさを有し、第２の方向が、第１の方向と並行ではなく、第２の交流ドライブ電流が、第１の交流ドライブ電流と位相が異なり、磁気抵抗センサが、磁気抵抗センサの平面で回転する周期的回転磁気ドライブ磁場に影響を受けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化及びコスト低下を図るとともに、不正行為の検出も可能にした金属部材検出装置を提供する。
【解決手段】金属部材が通過する通路３の側方に、磁界発生手段５と、金属部材が通路３を通過する際に生じる磁界発生手段５からの磁界の変化を検出する磁界検出手段６とを備え、磁界検出手段６は、互いに異なる複数軸方向の磁界を検出可能な磁気検出素子８を有しており、磁気検出素子８の検出結果を組み合わせるなどにより、金属部材の通過及びその方向などを検出する。 （もっと読む）

【課題】精度の高い磁界検出方法を提供する。
【解決手段】
トンネル磁気抵抗効果素子１０を用いて外部磁界を検出する磁界検出方法が提供される。磁界検出方法は、トンネル磁気抵抗効果素子１０の自由層１５の磁化方向を変化させるバイアス磁界Ｈｂと外部磁界Ｈｅｘとを同時に、もしくはバイアス磁界Ｈｂと外部磁界Ｈｅｘとを個別にトンネル磁気抵抗効果素子１０に印加したときの電気特性を測定するステップと、バイアス磁界Ｈｂおよび外部磁界Ｈｅｘに応じて測定されたトンネル磁気抵抗効果素子１０の電気特性に基づいて外部磁界を算出するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】小さい磁気ヒステリシス、高い線形性、及び高い検出感度を併せ持つ電流センサを提供すること。
【解決手段】磁化方向が略固定された強磁性固定層及び外部磁界に対して磁化方向が変動するフリー磁性層を含んで構成された複数の磁気検出部（３２）と、前記フリー磁性層にバイアス磁界を印加するハードバイアス層を含んで構成された複数の永久磁石部（３３）と、が交互に接して配置された磁気抵抗効果素子（１２ａ、１２ｂ）を備え、隣接する前記永久磁石部（３３）の間隔が２０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 動作点の変動と抵抗値比のばらつきを抑制することができると共に、温度特性を改善した磁気センサを提供する。
【解決手段】 磁気センサ１は、センサ回路部２を備える。このセンサ回路部２は、第１および第３の磁気抵抗素子Ｒ1，Ｒ3を直列接続した第１の直列回路６と、第２および第４の磁気抵抗素子Ｒ2，Ｒ4を直列接続した第２の直列回路７とを備え、第１の直列回路６と第２の直列回路７とを並列接続したブリッジ回路５によって構成される。第１ないし第４の磁気抵抗素子Ｒ1〜Ｒ4の表面は絶縁膜１２によって覆われる。また、第３の磁気抵抗素子Ｒ3および第４の磁気抵抗素子Ｒ4の表面には、絶縁膜１２を挟んで磁性材料からなる磁束集磁膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の出力を低下させずに耐環境性の向上を図ること。
【解決手段】半導体に磁界を加えると抵抗が変化する磁気抵抗体１０を備えている磁気抵抗素子で、磁気抵抗体１０が、基板１１上に設けられた薄膜状の半導体層１２ａからなる感磁部１２と、感磁部１２上に配置された複数の短絡電極１３，１３とを備え、半導体層１２ａの厚みが、０．４μｍ以上０．８μｍ以下である。半導体層１２ａの延在方向に対して垂直方向の半導体層の幅をＷ、複数の短絡電極間の一定間隔の距離をＬとしたときに、距離Ｌと幅Ｗの比であるＬ／Ｗが、０．１８以上０．２２以下である。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子に対するバイアス磁界の強さを確保しつつバイアス磁界の強さのばらつきを抑制して、センサの検出精度を向上させる。
【解決手段】磁気抵抗素子を備えるセンサチップ３を基板２にベアチップ実装することにより、モールドＩＣを用いる従来の磁気センサにおけるモールド成形工程を廃止し、モールド成形に基づくセンサチップ３と磁石５との相対位置のばらつき要因を排除する。また、磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石５を基板２に接合することにより、センサチップ３を磁石５に実装する従来の磁気センサと比較して、高導電率の磁石５を用いることが可能になり、磁気抵抗素子に対して強いバイアス磁界を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】環境磁界をキャンセルするための補償磁界を極めて小さなエネルギーで生成できる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁界センサ２と、磁界センサ２が検出する環境磁界をキャンセルする補償磁界を生成して磁界センサ２に印加する磁界補償手段１０とを備える磁界検出装置１であって、磁界補償手段１０が、磁界センサ２のｘ軸方向に補償磁界を印加するための永久磁石３ａ，３ｂ、その再着磁用のコイル６ａ，６ｂおよび再着磁用の電流を供給する電源部１１、ｙ軸方向に補償磁界を印加するための永久磁石４ａ，４ｂ、その再着磁用のコイル６ａ，６ｂ、および再着磁用の電流を供給する電源部１２、ｚ軸方向に補償磁界を印加するための永久磁石５ａ，５ｂ、その再着磁用のコイル７ａ，７ｂ、および再着磁用の電流を供給する電源部１３と、再着磁用の各電流を磁界センサ２の検出した環境磁界に基づき制御する制御部９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 強磁場耐性を向上させた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 素子連設体１７，１８，５２，５３を備える。各素子連設体では、素子部へ供給されるバイアス磁界Ｂ１，Ｂ２の方向が、隣り合う素子部で逆向きとなるように各バイアス層が配置されるとともに、平面視にて前記軟磁性体と重なり面積の大きい前記バイアス層を両側に配置した前記素子部と、前記重なり面積がゼロの前記バイアス層を両側に配置した前記素子部とが並んでいる。Ｐ１，Ｐ２は感度軸方向である。第１の素子連設体１７と第２の素子連設体１８とが直列に接続された磁気抵抗効果素子と、第３の素子連設体５２と第４の素子連設体５３とが直列に接続された第２の磁気抵抗効果素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】 磁性パターンを有する被検知物を磁気抵抗効果素子から微小距離離間させた非接触状態で、安定して感度良く被検知物の磁性パターンを検出する磁気センサ装置を得る。
【解決手段】 搬送路を搬送される被検知物と、この被検知物の一方の面に磁極が配置され、前記被検知物に交差する交差磁界を生成する磁石と、前記被検知物の他方の面に設けられ、出力端子を有し、前記交差磁界内を搬送される前記被検知物の磁気成分による前記交差磁界の搬送方向成分の変化を抵抗値の変化として出力する磁気抵抗効果素子とを備えた。 （もっと読む）

【課題】磁化容易軸の揃った用磁石アレイ及び該磁石アレイを利用した磁気センサを製造する。
【解決手段】磁性体から成る素材ブロックから所定厚さの板状素材を切り出す工程と、切り出された板状素材から所定形状の磁石アレイ用磁石を切り出す工程と、切り出された全ての磁石アレイ用磁石で磁化容易軸の方向を認識できるように目印を加工する工程と、加工された目印に基づいて磁化容易軸が所定方向となるように磁石アレイ用磁石を配置して磁石アレイを組み立てる工程とによって磁石アレイを製造し、この磁石アレイを利用して磁気センサを製造する。 （もっと読む）

【課題】磁気検出部を標準化することで、磁気検出部を変更することなく、種々の取付方法やコネクタに対応可能で、成形時に磁気検出部の位置精度の向上が図られ、かつ生産効率の向上を図ることができる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１は、磁気検出素子４を備えたベース５とベース５に固定した磁界発生手段３とべース５と磁界発生手段３とをキャップ９に圧入して一体化した磁気検出部２と、磁気検出部２を取り付けるための取付部と磁気検出部２の検出信号を取り出すためのコネクタ部からなる二次成形部１０とから構成される。 （もっと読む）

【課題】磁性体試料のサイズや移動による表面高さの変動に対して影響を受けることなく、高精度、高分解能で磁場の絶対値を測定可能とする。
【解決手段】磁性体試料５の磁場を検出するためにホルダベース３７に取り付けられた測定子と、試料５と平行にホルダベース３７を二方向に移動可能な微動ユニット３５と、試料５対して垂直方向に測定子４０を移動可能なＺｍ駆動系２１と、既知磁場を発生させる外部磁場発生器５０と、測定子を外部磁場発生器５０の既知磁場中に移動可能な一軸駆動機構３０と、試料５に磁場を印加するライト素子とを備えている。測定子は、試料５の対向面に凸部を有し、ここにリード素子が設けられ、前記凸部表面にはＤＬＣ膜が形成されている。測定子は、可撓性支持構造を介してホルダベース３７に取り付けられ、ホルダベース３７はホルダアーム３６を介して微動ユニット３５に連結されている。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗読取センサを提供する。
【解決手段】 センサは、浮上面に沿って上部電極と下部電極との間に配置された磁気反応性スタックである。センサ内の電流がスタックと少なくとも１つの電極との間の第１の多層絶縁構造によって浮上面近くの領域に制限されることで、読取機の感度が向上する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を飽和させることなく、被検知物へ掛かる磁界強度が強化され、検知感度を向上させる磁気センサ装置を得る。
【解決手段】筐体の中空部を搬送される被検知物の一方の面に搬送方向に沿って磁極が反転するように配置した第１の磁石と、前記被検知物の他方の面に前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置し前記第１の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記第１の磁石の磁極の反転部に第１の間隙を備えた第１のヨークと、前記第２の磁石の磁極の反転部に前記第１の間隙より長い第２の間隙を備えた第２のヨークと、前記被検知物と前記第１のヨークとの間の前記勾配磁界の弱磁界強度領域に設けられ、前記勾配磁界の強磁界強度領域を搬送される前記被検知物による磁界変化を検知する磁気抵抗効果素子とを備えた。 （もっと読む）

【課題】外部磁界の影響の程度を評価してオフセット値の採否を決定する。
【解決手段】機器１は、内部磁界Ｂｉを発生させる部品と、３次元磁気センサ６０と、ＣＰＵ１０とを備える。ＣＰＵ１０は、３次元磁気センサ６０から順次出力される複数の磁気データｑ_ｉで示される座標が内部磁界Ｂｉの成分を示す座標を中心点とする球面Ｓの近傍に確率的に分布すると仮定して、球面Ｓの中心点ｘ_０を算出し、複数の磁気データｑ_ｉで示される座標が、球面と曲面ＳＸとを重ね合わせることで得られる立体ＳＤの表面近傍に確率的に分布すると仮定して導入された、複数の磁気データｑ_ｉで示される座標と立体ＳＤの表面との誤差を表す目的関数ｆ_２（Ｅ、ｘ）の値を最小化するときの、目的関数ｆ_２（Ｅ、ｘ）における曲面ＳＸを表す成分ｋ（Ｅ）に基づく第１評価値ｆ_３（Ｅ）が所定の大きさ以下の場合に、中心点ｘ_０を３次元磁気センサ６０のオフセットとして採用する。 （もっと読む）

【課題】磁気センサの調整が煩雑となることが抑制された磁気センサ調整方法、及び、磁気センサ調整装置を提供する。
【解決手段】磁電変換素子（２０）、磁石（３０）、及び、磁電変換素子（２０）の出力信号を閾値電圧に基づいて二値化する信号処理部（４３）を有する磁気センサ（１０）の出力特性を調整する磁気センサ調整方法であって、磁性体（７０）と磁気センサ（１０）との距離が第１距離の時の磁電変換素子（２０）の第１出力信号の電圧値Ｖａ、及び、磁性体（７０）と磁気センサ（１０）との距離が第２距離の時に出力される磁電変換素子（２０）の第２出力信号の電圧値Ｖｂを計測し、磁電変換素子（２０）の出力特性に関わる係数をａ，ｂ、閾値電圧をＶｔｈとすると、Ｖｔｈ＝ａ×ｌｎ（Ｖｂ−Ｖａ）＋ｂ＋Ｖａが成立するように磁電変換素子（２０）の出力信号の電圧レベルを調整する。 （もっと読む）

【課題】磁界プローブ、磁界測定装置、及び磁界測定方法において、磁界プローブの小型化を図ること。
【解決手段】測定対象Ｓに近接する先端部２ａを備えたベース２と、先端部２ａに設けられた磁気抵抗素子８と、磁気抵抗素子８の横の前記ベース２に設けられ、磁気抵抗素子８に印加する第１のバイアス磁界H₁を発生させる第１の磁界発生部３と、ベース２に設けられ、第１のバイアス磁界H₁とは異なる向きの第２のバイアス磁界H₂を発生させて、磁気抵抗素子８に前記第２のバイアス磁界H₂を印加する第２の磁界発生部４とを有し、第１のバイアス磁界H₁の向きを切り替えることにより、第１のバイアス磁界H₁と第２のバイアス磁界H₂とを合成した合成バイアス磁界H_sの向きが、ベース２の先端方向D_tから９０°変化する磁界プローブによる。 （もっと読む）

【課題】 それぞれの結晶粒の構造が単磁区構造ではない場合であっても、軟磁性材料からなる鋼板の集合組織から、当該鋼板の磁気特性を正確に計算できるようにする。
【解決手段】 各結晶粒Ａの＜１００＞方向と磁界Ｈの方向とのなす最小角度α_minを導出する。次に、＜１００＞方向と磁界Ｈの方向とのなす最小角度α_minを用いて、計算対象の鋼板に与えられる磁界Ｈの磁化容易軸方向の成分Ｈ_<100>を導出し、それに対応する「磁化容易軸方向の磁束密度Ｂ_<100>」を、「計算対象の鋼板の単結晶の＜１００＞方向におけるＢ−Ｈ曲線」から導出する。次に、導出した「磁化容易軸方向の磁束密度Ｂ_<100>」と、＜１００＞方向と磁界Ｈの方向とのなす最小角度α_minを用いて、磁界Ｈの方向の磁束密度Ｂ_<100>^Hを、各結晶粒Ａの「磁界Ｈの方向の磁束密度Ｂ_<100>^H（Ｍ，Ｉ）」として導出する。 （もっと読む）

【課題】複数のセンサ素子の全てのセンサ面をフレームに対して規定された所定の同一平面上に配置することが可能な多チャンネル磁気センサ装置の製造方法を提案すること。
【解決手段】磁気センサ装置８の製造工程では、上端面２１から下端面２２に貫通する複数の装着孔２３と、各装着孔２３の軸線Ｌと直交する研削基準面２６とが形成されたフレーム２０を用意する。次に、各磁気センサ素子１３のセンサ面１３ａが一方側を向く状態として各装着孔２３に各磁気センサ素子１３を挿入し、研削基準面２６を基準として磁気センサ素子１３を装着孔２３の軸線Ｌの方向で位置決めして、センサ面１３ａを装着孔２３の上端開口２３ａから突出させる。その後、各装着孔２３に樹脂２９を充填して、各磁気センサ素子１３をフレーム２０に固定する。しかる後に、センサ面１３ａを、研削基準面２６を基準として平面研削する。 （もっと読む）