【課題】被実装部材上に回路チップと隣接して搭載される磁気センサにおいて、回路チップとパッドとを電気的に接続するワイヤ同士の接触を抑制することができる磁気センサを提供する。
【解決手段】複数のパッド３１〜３６を一辺１０ａと垂直方向において互いに完全にオフセットした状態で配置する。これによれば、被実装部材上に磁気センサの一辺１０ａを回路チップと隣接して搭載し、パッド３１〜３６と回路チップとをワイヤで接続した際に、ワイヤ同士が接触してしまうことを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】３軸センサ・チップパッケージためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは、ベース１０５と、第１のセンサダイ１１０が、第１のアクティブセンサ回路１１２および、第１のアクティブセンサ回路に電気的に結合された複数の金属パッド１１４とを備え、ベースに取り付けられた第２のセンサダイ１２０が、第１の表面１２８の上に配置された第２のアクティブセンサ回路１２２と、第２の表面の上に配置された第２のアクティブセンサ回路に電気的に結合された第２の複数の金属パッド１２２とを備え、第２のアクティブセンサ回路は、第１のアクティブセンサ回路に対して直交に方位付けされ、ベースに垂直であるように、第２のセンサダイが配置される。第２の表面は、第１の表面に隣接し、第１の表面の面に対して角度がつけられている。 （もっと読む）

【課題】センサ寸法の拡大が抑制され小型化に有利で、高いセンサ特性が安定して得られ、作製工程が複雑化しない、磁気センサを提供する。
【解決手段】抵抗素子を直列に接続した通電経路単位４１，４２，４３，４４のそれぞれに関し、一方端部は電源端子Ｖｃｃに電気的に接続され、他方端部は接地端子ＧＮＤに電気的に接続され、抵抗素子同士の接続部は出力端子Ｖｏ１〜Ｖｏ４に電気的に接続される。通電経路単位のそれぞれを構成する複数の抵抗素子の少なくとも１つは、磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素子であり、電源端子は全ての通電経路単位につき共通化され、接地端子は全ての通電経路単位につき共通化される。全ての通電経路単位は絶縁膜の一方の面に接して形成され、絶縁膜の他方の面に接して配置された導電膜を用いて、電源端子共通化のための電源接続配線及び接地端子共通化のための接地接続配線が形成される。 （もっと読む）

【課題】磁電変換素子を極めて容易に短時間で作業性の優れた連続方法で製造することを可能とする。
【解決手段】基板が磁性体の磁電変換素子用ペレットを、リードフレームに接続する工程を備える磁電変換素子の製造方法は、複数の半導体素子を形成したウエハの裏面に樹脂層を設ける工程と、樹脂層を設けたウエハをダイシングして個別の磁電変換素子用ペレットにする工程と、磁電変換素子用ペレットを、樹脂層を介してリードフレームに固着する工程と、磁電変換素子用ペレット上の電極をリードフレームと結線する工程とを具え、該樹脂層が厚み１〜５０μｍであり、前記樹脂層の樹脂がガラス転移点６０〜１６０℃、接着活性温度１７０〜３５０℃、および熱伝導率０．２〜３．５Ｗ／ｍ／℃を有している。 （もっと読む）

【課題】デザインルールを変更することなく電極パッドの配置を変更することによって、ペレット取数を増加させることを可能にすること。
【解決手段】基板１１上に設けられた導電層からなる十字型パターンである感磁部の周辺に電極パッド１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが配置されている。基板上１１の素子形状は長方形であり、この長方形の平面内に配置された感磁部１２の十字型パターンの一方の一対の端子１２ａ，１２ｂは、引き回し電極１３ａ，１３ｂを介して電極パット１４ａ，１４ｂに接続されている。十字型パターンの他方の一対の端子１２ｃ，１２ｄは、引き回し電極を介することなく電極パット１４ｃ，１４ｄに接続されている。長方形の長辺に沿って、電極パット１４ａと、電極パット１４ｃと、電極パット１４ｄと、電極パット１４ｂが、この順に横一列に配置されている。 （もっと読む）

電子デバイスは、第１の基板及び第２の基板を備える。第１の基板は、第１の基板の少なくとも一部を介して相互に少なくとも実質的に平行な複数の導電性トレースを含む回路を備える。複数のボンドパッドは、第１の基板の表面上に配置されるとともに、複数の導電性トレースの少なくとも２つの上に延在する幅を持つ。複数のビアは、少なくともいくつかの導電性トレースの隣接部から複数のボンドパッドまで延在する。第２の基板は、第１の基板に結合されるとともに、複数の導電性バンプを有する第１の基板上の複数のボンドパッドに接続される回路を備える。更に、メモリデバイスと、電子デバイス及びメモリデバイスを形成する関連方法とが開示され、同様に電子システムも開示されている。 （もっと読む）

【課題】磁気増幅のための磁性材料を内蔵した小型かつ薄型の磁気センサの提供。
【解決手段】半導体回路１と複数のホール素子４を備える半導体基板上に、外部接続端子パッド部３の部位に開口を有する絶縁膜２、絶縁膜上であって複数のホール素子の感磁部を覆う部位に配置された下地通電層５、外部接続端子パッド部上及びパッド部の周辺部の絶縁膜上であって覆う部位から離間した位置に、下地通電層とは独立に配置された下地通電層５、下地通電層上に配置された磁性体６、下地通電層上に配置された再配線通電層７、再配線層と磁性体の間の露出された絶縁膜上及び再配線層上及び磁性体上に連続して配置され、周辺部に開口を有する絶縁膜８、開口を埋めるように再配線層上に配置された半田形成用下地層９、並びに、半田形成用下地層上に配置された外部接続用半田部１０を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に磁気増幅用として磁気センシングする領域上に厚く形成された磁性体を備えた磁気センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁気センサは、半導体回路１上に絶縁膜４を介して設けられたＴｉ又はＴｉ系材料からなる第１の金属層８と、この第１の金属層８上に設けられたＣｕ又はＣｕ系材料からなる第２金属層９と、この第２の金属層９上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体１１とを備えている。また、半導体回路１には、外部接続端子パッド２が設けられている。また、この外部接続端子パッド２上には、Ｔｉ又はＴｉ系材料からなるＡｕ下地金属層５が設けられている。また、このＡｕ下地金属層５上には、Ａｕ又はＡｕ系材料からなるＡｕ接続金属膜７が設けられている。 （もっと読む）

【課題】入力信号が不定になることがなく、また、増幅ばらつきが少なく、温度特性に優れる磁気センサデバイスを提供する。
【解決手段】印加される磁界の方向に応じて抵抗値が変化する複数のＭＲ素子をブリッジ状に接続し、抵抗値の変化に応じた検出信号を出力パッド１１１等から出力する検出回路１０と、検出信号が入力される入力パッド２２１等を有し、入力された検出信号を増幅して出力する増幅回路２０と、を有し、出力パッド１１１等と入力パッド２２１等がダブルワイヤボンディングで接続された構成とする。 （もっと読む）

【課題】感度が高く、小型化を図ることができるマグネトインピーダンスセンサ素子を提供すること。
【解決手段】マグネトインピーダンスセンサ素子１は、基体２と、磁性アモルファスワイヤ３と、被覆絶縁体４と、検出コイル５と、端子搭載面６１を有する端子台６と、端子搭載面６１に形成したワイヤ用電極端子１１及びコイル用電極端子１２と、ワイヤ用電極端子１１と磁性アモルファスワイヤ３に設けた一対のワイヤ通電端３１とを電気的に接続するワイヤ用接続配線１１０と、コイル用電極端子１２と検出コイル５に設けた一対のコイル通電端５１とを電気的に接続するコイル用接続配線１２０とを有する。端子搭載面６１は、その法線が磁性アモルファスワイヤ３の長手方向成分を有し、磁性アモルファスワイヤ３の長手方向における、磁性アモルファスワイヤ３の両端の間に配置されている。 （もっと読む）

スピントランスファトルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）ビットセルアレイのための容量ローディングが減少されたパッドが提供される。パッドは、複数の穴形状の下部金属層、および複数の穴形状の下部金属層の最上層上に形成された平面の上部金属層を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】熱圧着及び超音波ボンディングいずれの接合手法を採用した場合であっても、磁気抵抗素子の外部電極と外部端子の接合端部との間における充分な接合強度を確保することができる接合構造とされた磁気センサを提供する。
【解決手段】本発明にかかる磁気センサは、磁気抵抗素子１と、該磁気抵抗素子１の外部電極６に接合される接合端部７を有する外部端子２とからなるものであり、前記接合端部７は、スリット１１を介して複数の接合片１２に分岐させられたうえで前記外部電極６と接合されている。また、この際、スリット１１を介して複数の接合片１２に分岐させられた構造に代え、外部端子２の接合端部７を、複数の開口部１３が形成されたものとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で磁気抵抗素子のデータ書き換え特性の評価を正確に行なうことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、第１の電圧が供給される第１端と、第２端とを有し、データ書き込み時、磁気抵抗素子Ｓにデータを書き込むための書き込み電流が流れ、書き込み電流の方向が書き込みデータの論理値に依存しない書き込み電流線ＤＬと、書き込み電流線ＤＬの第２端に結合される第１導通電極と、第２の電圧が供給される第２導通電極とを有し、データ書き込み時、書き込み電流線ＤＬに書き込み電流を流すことにより、磁気抵抗素子Ｓの磁化に作用する磁場を発生するトランジスタＴＲＤと、第１の電圧が供給される第１のパッドＰＤ１と、第２の電圧が供給される第２のパッドＰＤ４と、半導体装置１０１が備える他の回路に第３の電圧を供給するための第３のパッドＰＤ２，ＰＤ３とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜製造技術を用いて形成することができ、バイアス磁界を印加させる必要がない薄膜タイプの磁性体素子と、外部磁界の変化による磁性体素子の特性変化を電圧の変化として検出できるピックアップコイルを備えた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気デバイス１０は、第一基板１１、その一面側に配された第一磁性体素子１３、前記一面側にあって第一磁性体素子と重なり、第一磁性体素子を挟むように、かつ、第一絶縁層２１と第二絶縁層２２をそれぞれ介して配される第一導電層１２と第二導電層１４、及び第二導電層と第二絶縁層を覆うように配された第三絶縁層２３、を少なくとも備える。また、第一導電層と第二導電層が電気的に接続されてコイル形状をなし、第一導電層、第二導電層及び／又は第一磁性体素子が、第三絶縁層の外面へ開口部を有する貫通孔１６，１７を通じて外部と電気的に接続される構造を備える。 （もっと読む）

本発明は、プレート状の第１の部分（３０）を含む集積回路に関する。この構成要素はまた、第１の部分（３０）とは別の、第１の部分（３０）に取り付けられ、変形可能な接続手段（２２）によって第１の部分（３０）に接続され、第１の部分（３０）との間で非ゼロの角度を形成する少なくとも１つのプレート状の第２の部分（３２）を含む。
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【課題】ベース基板両面のセンサ感度がともに高く、それぞれの感度特性が安定し、薄型の磁気センサの提供を図る。
【解決手段】磁気センサ３１は、磁電変換素子３と、磁電変換素子３を主面側に搭載するベース基板２と、磁性体部材１９と、磁電変換素子３を封止するモールド樹脂４と、を備える。磁性体部材１９は磁性体材料を含むベース基板２とともに集磁効果を高める。磁電変換素子３は、磁電変換素子基板３Ａと、磁電変換素子基板３Ａの一方の主面に形成した薄膜感磁部３Ｂと、を備える。磁電変換素子３のバンプ電極７は、ベース基板２の接続電極５にバンプ接合し、磁電変換素子３の薄膜感磁部３Ｂをベース基板２に対向させる。 （もっと読む）

【課題】小型で、ＭＩ素子の配置に関して自由度が高く、量産に適した磁気発生コイルを含む磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１は、配線３２とＡｌからなる電極２１を片方の面に有する下側ＩＣチップ２と、配線３１を片側の面に有する上側ＩＣチップ４と、Ｓｉ基板上に高透磁率膜を形成したＭＩ素子５と、配線３１と配線３２を電気的に接続する接続端子３３とを有する。下側ＩＣチップ２と上側ＩＣチップ４を面突合せで配置し、配線３１、配線３２の露出部を接続端子３３により接続することで螺旋中心軸３５を軸とした螺旋構造よりなる磁界発生部３を形成する。磁界発生部３は、下側ＩＣチップ２と上側ＩＣチップ４のそれぞれに対し面平行方向、つまりｚ軸方向に法線をもつ面に対し平行方向に形成され、中心にはＭＩ素子５が配置される。また螺旋中心軸３５とＭＩ素子５の磁気反応方向が一致するように配置される。 （もっと読む）

【課題】 センサ素子のセンサ部と測定対象との離間距離を、簡単かつ高精度に設定可能であり、実用性に優れたセンサ装置を提供すること。
【解決手段】 本発明のセンサ装置Ｘは、測定対象９０に係る物理量を電気信号に変換するための機能を担うセンサ部１２を一主面に有するセンサ素子１０と、センサ素子１０の一主面に当接される当接面２０ａおよび測定対象９０を支持する支持面２０ｂが平行に配置された支持体２０と、を備える。そして、センサ素子１０、当接面２０ａおよび支持面２０ｂが平行に保持されるため、センサ素子１０のセンサ部１２と測定対象９０の離間距離を簡単かつ高精度に設定することができ、より取り扱いに優れたセンサ装置Ｘを提供できる。 （もっと読む）

集積回路（１０）は、磁界感知素子（３０）を支持する第１の基板（１４）および他の磁界感知素子（２０）を支持する第２の基板（２６）を備えることができる。第１および第２の基板は、様々な構成で配列されてもよい。他の集積回路は、その表面に配置された第１の磁界感知素子および第２の異なる磁界感知素子を備えることができる。
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