共通のダイ内で形成された少なくとも２つのＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイスを含む、ＩＩＩ族−窒化物をベースとする集積半導体デバイス。
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【課題】 本発明は、ショットキ・コンタクト（１６）を形成するために半導体（１４）上に導電性炭素材料（１７）を堆積する方法に関する。
【解決手段】 本発明の方法は、半導体（１４）をプロセス・チャンバ（１０）内に導入するステップと、プロセス・チャンバ（１０）の内部（１０'）を所定温度に加熱するス
テップと、プロセス・チャンバ（１０）を第１所定圧力以下に減圧するステップと、プロセス・チャンバ（１０）の内部（１０'）を第２所定温度に加熱するステップと、少なく
とも炭素を含むガス（１２）を、第１所定圧力よりも高い第２所定圧力に達するまで導入するステップと、少なくとも炭素を含むガス（１２）から、半導体（１４）上に導電性炭素材料（１７）を堆積することにより、半導体（１４）上に堆積した炭素材料（１７）がショットキ・コンタクト（１６）を形成するステップを備えている。 （もっと読む）

電界効果トランジスタは、ＧａＮチャネル層１２とＡｌＧａＮ電子供給層１３を含む半導体層構造と、電子供給層１３上に互いに離間して形成されたソース電極１およびドレイン電極３と、ソース電極１とドレイン電極３との間に形成されたゲート電極２と、電子供給層１３上に形成されたＳｉＯＮ膜２３とを有している。ゲート電極２は、ドレイン電極３側にひさし状に張り出し、かつＳｉＯＮ膜２３上に形成されたフィールドプレート部５を有している。ＳｉＯＮ膜２３のフィールドプレート部５と電子供給層１３との間に位置する部分（フィールドプレート層２３ａ）の厚さが、ゲート電極２からドレイン電極３の方向に向かって次第に厚くなるように変化している。 （もっと読む）

窒化物ベースの半導体チャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、および窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に保護層を形成することによって、トランジスタが製作される。パターニングされたオーム性接触金属領域が、バリア層上に形成され、第１および第２のオーム性接触を形成するためにアニールされる。アニールは、保護層をゲート領域上に載せたままで実施される。バリア層のゲート領域上に、ゲート接点も形成される。ゲート領域内に保護層を有するトランジスタも形成され、バリア層の成長させたままのシート抵抗と実質的に同じシート抵抗をもつバリア層を有するトランジスタも同様である。
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活性層との電気的コンタクトで形成された金属のソースおよびドレインコンタクト（２０，２２）を有する活性半導体層を備えるトランジスタ構造。ゲートコンタクト（２６）が、活性層内の電界を変調するためにソースコンタクトとドレインコンタクトとの間に形成されている。スペーサ層（２４）が、活性層の上に形成されている。導電性フィールドプレート（２８）がスペーサ層の上に形成され、ゲートコンタクトの端からドレインコンタクトに向かって距離Ｌ_ｆ延びている。フィールドプレートは、ゲートコンタクトに電気的に接続されている。

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半導体部品は、半導体基板（１１０）と、半導体基板の上方のエピタキシャル半導体層（１２０）と、エピタキシャル半導体層内のバイポーラトランジスタ（７７０、８７０）と、エピタキシャル半導体層内の電界効果トランジスタ（７８０、８８０）とを含む。エピタキシャル半導体層の一部によって、バイポーラトランジスタのベースと電界効果トランジスタのゲートとが形成され、エピタキシャル半導体層のその一部は実質的に均一なドーピング濃度を有する。同じまたは他の実施形態においては、エピタキシャル半導体層の異なる部分によって、バイポーラトランジスタのエミッタと電界効果トランジスタのチャネルとが形成され、エピタキシャル半導体層のその異なる部分はエピタキシャル半導体層の一部の実質的に均一なドーピング濃度と同じかまたは異なる実質的に均一なドーピング濃度を有する。
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電子および／または光電子用途用のＧａＮデバイスを作製するための基板を形成するために有用に用いられる大面積単結晶半絶縁性窒化ガリウムを開示する。大面積半絶縁性窒化ガリウムは、たとえばＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ ＮｉおよびＣｕなどの深いアクセプタドーパント種で、成長している窒化ガリウム材料をその成長中にドープして、窒化ガリウムにおけるドナー種を補償しかつ窒化ガリウムに半絶縁特性を付与することによって、容易に形成される。
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