【課題】エピタキシャル層に残存する転位の数を少なくする。
【解決手段】第２エピタキシャル層２００は、第１エピタキシャル層１００上にエピタキシャル成長している。第１エピタキシャル層１００は、エピタキシャル成長層１１０及び欠陥層１２０を有している。欠陥層１２０は、エピタキシャル成長層１１０の上、かつ、第１エピタキシャル層１００の表層に位置している。欠陥層１２０の欠陥密度は、５×１０^１７ｃｍ^−２以上である。欠陥層１２０を突き抜けた欠陥は、第２エピタキシャル層２００の内部でループを形成している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置について、小型化を図りつつ、ドレイン耐圧を向上する。
【解決手段】ゲート電極２０と、ゲート電極２０と離間するソース電極２４と、平面視でゲート電極２０からみてソース電極２４の反対側に位置し、かつゲート電極２０と離間するドレイン電極２２と、平面視でゲート電極２０とドレイン電極２２の間に位置し、絶縁膜２６を介して半導体基板１０上に設けられ、かつゲート電極２０、ソース電極２４およびドレイン電極２２と離間する少なくとも一つのフィールドプレート電極３０と、絶縁膜２６中に設けられ、かつフィールドプレート電極３０と半導体基板１０を接続する少なくとも一つのフィールドプレートコンタクト４０と、を備え、平面視でフィールドプレート電極３０は、フィールドプレートコンタクト４０からソース電極２４側またはドレイン電極２２側の少なくとも一方に延伸している。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＨＥＭＴ積層物と、を備え、ＨＥＭＴ積層物は、２ＤＥＧを含む化合物半導体層と、化合物半導体層より分極率の大きい上部化合物半導体層と、上部化合物半導体層上に備えられたソース電極、ドレイン電極及びゲートと、を備え、基板は、シリコン基板より誘電率及び熱伝導度の高い窒化物基板であるＨＥＭＴ。該基板は、シリコン基板より誘電率及び熱伝導度の高い絶縁層、この絶縁層に蒸着された金属層及びこの金属層に付着されたプレートを備える。 （もっと読む）

【課題】伝導帯電子チャネルと単一端子応答を有する電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明は、単一端子トランジスタ装置に関する。一具体例において、nチャネルトランジスタは、離散正孔準位H₀を有する第一半導体層と、伝導帯底E_C2を有する第二半導体層と、第一半導体層と第二半導体層の間に配置される広バンドギャップ半導体バリア層と、第一半導体層の上方のゲート誘電層と、ゲート誘電層の上方にあり、ゼロバイアスを加え、n端子特徴を得るために、離散正孔準位H₀が伝導帯底E_c2の下方に位置するように選択された有効仕事関数を有するゲート金属層と、からなる。 （もっと読む）

【課題】高電圧を印加しても壊れにくい電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタは、基板１、チャネル層３及びバリア層４と、バリア層４上にこの順で離間して設けられたソース電極６、ゲート電極７およびドレイン電極８とを備え、ソース電極６の直下に第１のｎ型不純物拡散領域１２が設けられ、ドレイン電極８の直下に第２のｎ型不純物拡散領域１３が設けられ、第２のｎ型不純物拡散領域の下側の前記チャネル層３および第２のｎ型不純物拡散領域の前記ゲート電極側の前記チャネル層３および前記バリア層４に第３のｎ型不純物拡散領域１５が設けられる。第３のｎ型不純物拡散領域１５は第２のｎ型不純物拡散領域１３よりも低いｎ型不純物濃度を有し、ゲート電極とドレイン電極との間に電圧が印加されたときバリア層４およびチャネル層３においてその絶縁破壊強度を超える電界集中が生じることを抑制する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極材料の耐熱上の問題を克服し、ソース抵抗の低減が可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極９を挟んでソース電極８、ドレイン電極１０をそれぞれ形成するソース領域３、ドレイン領域６のいずれか一方または双方の領域にイオンを注入し活性化した第１の高濃度キャリア領域６と、ゲート電極９の直下に形成したチャネル領域４と第１の高濃度キャリア領域６との間の領域に、熱処理によりキャリアを拡散させた熱拡散領域７の第２の高濃度キャリア領域とを形成し、第１の高濃度キャリア領域６は、チャネル領域４と互いに隣接して形成される第２の高濃度キャリア領域７と隣接および／または一部重複し、かつ、チャネル領域４以上に深く形成した第２の高濃度キャリア領域７よりも深く形成する。第１の高濃度キャリア領域６のキャリア濃度を、チャネル領域４よりも高濃度の第２の高濃度キャリア領域７よりさらに高くする。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低く、耐圧性及びチャネル移動度が高い電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭＯＳ構造を有し、窒化化合物半導体からなる電界効果トランジスタであって、基板上に形成されたｉ型または所定の導電型を有する半導体層と、エピタキシャル成長によって半導体層とソース電極およびドレイン電極のそれぞれとの間に形成された、所定の導電型とは反対の導電型を有するコンタクト層と、エピタキシャル成長によってドレイン電極側のコンタクト層と半導体層との間にゲート電極と重畳するように形成された、所定の導電型とは反対の導電型を有するとともに該コンタクト層よりもキャリア濃度が低い電界緩和層と、エピタキシャル成長によって半導体層上の電界緩和層に隣接する領域に形成された、ｉ型または所定の導電型を有する媒介層と、媒介層上に形成したゲート絶縁膜と、を備える。 （もっと読む）

寄生ＮＰＮなしでバルクシリコンからの電流フローを許容する、非常に短いチャネルを有するハイブリッドパワー電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）装置。装置は、ＪＦＥＴコンポーネント、ＪＦＥＴコンポーネントに近接して配置された第１の蓄積型ＭＯＳＦＥＴ、およびトレンチ端の底部のＪＦＥＴコンポーネントに近接して配置された第２の蓄積型ＭＯＳＦＥＴまたはソースに接続する絶縁ゲートを有するＭＯＳＦＥＴを含む。 （もっと読む）

【課題】寸法制御が容易で特性の安定したＬＤＤ構造を有するＦＥＴなどの半導体装置の製造方法及びその製造方法によって得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】この発明におけるＬＤＤ構造を有する半導体装置の製造方法は、レジスト寸法の増大にパターンシュリンク剤を用いる。そして、レジスト３とパターンシュリンク剤６との架橋反応を制御することでＬＤＤ構造形成部分の寸法の制御を容易にし、特性の安定した半導体装置を得るものである。 （もっと読む）

本発明は、製作中に追加の注入物を受け取るＪＦＥＴを提供する。この注入物は、ＪＦＥＴのドレイン領域をそのソース領域の方へ延ばし、かつ／またはそのソース領域をそのドレイン領域の方へ延ばす。注入物は、ドレイン／チャネル（および／またはソース／チャネル）接合部で所与のドレイン電圧および／またはソース電圧に対して普通なら生じるはずの電界の大きさを低減させ、それによって電界に関連するゲート電流および降伏の問題の重大度を軽減する。ＪＦＥＴのゲート層は、各注入物に対して、ゲート層の横方向の境界とドレイン領域および／またはソース領域との間にそれぞれ間隙を設ける幅を有するように寸法設定され、各注入物がそれぞれの間隙内に注入されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】十分に大きな電流密度を得ることができるノーマリオフ型の窒化物半導体からなる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。アンドープＡｌＧａＮ層１０４の上にはソース電極１０９及びドレイン電極１１０が設けられる。アンドープＡｌＧａＮ層１０４とアンドープＧａＮ層との界面で発生する２次元電子ガスとｐ型ＧａＮ層１０５とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 移動体通信端末のパワーアンプ等に用いる化合物半導体装置に関し、しきい値電圧が高く、また利得も大きい化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】 半絶縁性ＧａＡｓ基板１０と、前記半絶縁性ＧａＡｓ基板１０上に形成されたバッファ層１２と、前記バッファ層１２上に形成され、ＩｎＧａＡｓ層である電子走行層１４と、前記電子走行層１４上に形成され、厚さが１０ｎｍ程度に薄いＡｌＧａＩｎＡｓ層である緩和層１６と、前記緩和層１６上に形成され、厚さが２０ｎｍ程度に薄く、Ａｌの組成比が前記緩和層１６より大きいＡｌＧａＡｓ層である障壁層１８とを有している。 （もっと読む）