【課題】低温、かつ少ない工程で、ナノドットを作製する方法、並びにこのナノドットを有する浮遊ゲートトランジスタ及びその作製方法の提供。
【解決手段】同軸型真空アーク蒸着源１を用いて、金属材料又は半導体材料から、絶縁層３４中に埋め込まれる、電荷を保持するためのナノドット３３を作製する。基板３１上に酸化物膜３２を形成する工程と、ナノドット３３を酸化物膜３２上に作製する工程と、ナノドット上に絶縁層３４を形成することでナノドットを埋め込むようにする工程と、絶縁層３４上に電極膜３５を形成する工程とを有し、かくして浮遊ゲートトランジスタが作製される。 （もっと読む）

【課題】 禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ半導体を光吸収層とする変換効率の高い太陽電池、及び、その製造方法を提供すること。
【解決手段】p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。 （もっと読む）

【課題】発光量が制御可能な発光装置及びその駆動方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体層１及びこの上に形成されたソース電極４及びドレイン電極５と、ｐ型半導体層２及びこの下に形成されたゲート電極３と、ソース電極４とドレイン電極５との間に交流電圧を印加する交流電源６と、ゲート電極３とソース電極４との間に直流電圧を印加する直流電源７とを有し、交流電圧によって、ｎ型半導体層１に電子が所定量注入され、直流電圧によって、ｐ型半導体層からｎ型半導体層に正孔を注入して、電子と正孔とを再結合させる。交流電圧は直流電圧によってバイアスされて印加される。基板上に下地絶縁層が形成され、この下地絶縁層上にゲート電極３、ｐ型半導体層２、ｎ型半導体層１がこの順に形成される。ｎ型半導体層１がｎ型酸化亜鉛により、ｐ型半導体層２がｐ型酸化亜鉛により形成され、下地絶縁層が酸化亜鉛により形成される。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ／ＩＩ−ＶＩ半導体インターフェイスを再現的に製造する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素ソース（６８、１７０）、ＩＩ族元素ソース（７２、９２’）、Ｖ族元素ソース（７０、１７２）、及びＶＩ族元素ソースを含む分子線エピタキシー（ＭＢＥ）装置（５０、１５０）を準備する。ＩＩＩ−Ｖ半導体表面を有する基板（１２）をＭＢＥ装置（５０、１５０）内に位置決めする。基板（１２）を次にＩＩＩ−Ｖ半導体成長に適切な温度まで加熱し、結晶質ＩＩＩ−Ｖ半導体バッファ層（１４）を成長させる。基板の温度を交互分子線エピタキシーによってＩＩ−ＶＩ半導体成長に適切な温度まで調整し、結晶質ＩＩ−ＶＩ半導体バッファ層（１６）をＩＩＩ−Ｖバッファ層上に成長させる。ＩＩ族及びＶＩ族ソースを操作して、ＩＩＩ−Ｖバッファ層をＶＩ族元素フラックスに暴露する前にＩＩ族元素フラックスに暴露させる。 （もっと読む）