【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えた素子が得られる、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、Ｖ族元素を含むガスと金属材料とをプラズマで活性化して反応させるスパッタ法により、ＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を成膜し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５、及びｐ型半導体層１６を順次積層する方法であり、中間層１２を成膜する際、基板１１とスパッタターゲットとを対向して配置するとともに、前記プラズマに曝される位置に基板１１を配してスパッタを行なう。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板やガラス基板などに低温工程で形成するものの、数nmの厚みでゲート絶縁膜を形成することにより、低電圧動作、且つ商用化が容易な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属をパターニングし、蒸着してゲート電極１２を形成した後、常温乃至100℃以下でO₂プラズマ工程によりゲート電極１２を直接酸化して10nm以下の厚みで金属酸化膜を成長させることで、ゲート電極の表面に沿ってゲート絶縁膜１３を形成する。次いで、ゲート絶縁膜１３の上に有機半導体膜１４を蒸着し、有機半導体膜１４上にソース／ドレイン電極１５／１６を互いに一定の距離をもって離隔するように形成する。二重ゲート絶縁膜とする場合には、有機絶縁膜を、自己組立工程またはスピンコーティング工程で金属酸化膜の上に形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えた素子が得られる、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、金属材料とＶ族元素を含んだガスとをプラズマで活性化して反応させることによってＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を成膜し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５、及びｐ型半導体層１６を順次積層する製造方法とし、前記Ｖ族元素を窒素とし、中間層１２を成膜する際の、前記ガス中における窒素のガス分率を２０％超９９％以下の範囲とするとともに、中間層１２を単結晶組織として形成する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の半導体酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜と、この膜の製造方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）を使用してｐ型ＺｎＯ材料を成膜させる。この方法では、ＬｉとＰの両方を含有する化合物とＺｎＯとの混合物からなる固体ターゲット上にパルスレーザビームを集光させる。集光されたレーザパルスの高いパワー密度により、ターゲット表面上の材料が融除されてプラズマが形成され、これが基板表面上に堆積する。また、パルスレーザ源を含んだ透明な基板と、パルスレーザの波長に対し透明である基板と、マルチターゲットシステムとを使用するパルスレーザ成膜プロセスについて説明する。パルスレーザの光路は、パルスレーザが基板の裏から入射して基板を通過し、ターゲット上に集光するように配置されている。基板をターゲットに向かって並進運動させ、アブレーションプルームのルートを利用した微細パターンの付着が可能になる。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプの発生がなく、らせん転位や刃上転位などの転位密度が極めて少なく、かつ、異方位結晶の混入のない高品質な炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】不活性雰囲気において、炭化珪素原料を２２００〜２３００℃の範囲内の第１の温度に、炭化珪素種結晶を第１の温度より低くかつ２２００℃以上の第２の温度になるように加熱し、圧力を１３．３〜２６．６ｋＰａの範囲内で炭化珪素単結晶の成長速度が８０μｍ／ｈ以下になるように調整して炭化珪素単結晶を成長させる第一の成長工程と、該成長工程に続いて成長速度を第一の成長工程より速くするために、第一の成長工程における圧力から０．９３ｋＰａ／ｈ以下の速度で減圧させる減圧工程と、減圧後の圧力で、炭化珪素原料を前記第１の温度に、炭化珪素種結晶を第２の温度に加熱維持し、第１の成長工程における成長速度より速い成長速度で成長させる第２の成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 １．１μｍよりも短波長な発光波長を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、活性層６を備える。活性層６は、６個の量子ドット層６１と、５個の間隙層６２とを含む。６個の量子ドット層６１および５個の間隙層６２は、交互に積層される。５個の間隙層６２の各々は、ノンドープのＧａＡｓからなる。そして、５個の間隙層６２の各々は、３０〜５０ｎｍの膜厚を有する。６個の量子ドット層６１の各々は、量子ドット６１１とキャップ層６１２とからなる。量子ドット６１１は、ＩｎＡｓからなり、キャップ層６１２は、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ（ｙ＝０．０５〜０．５）からなる。量子ドット６１１は、１．８〜２．４モノレイヤーのＩｎＡｓをＭＢＥにより結晶成長することにより形成される。 （もっと読む）