【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】インジウム、チタン、及び亜鉛を含む酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタ、及び該トランジスタを含む半導体装置を提供する。酸化物半導体層に接するバッファ層としては、チタン、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む金属酸化層を適用することができる。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供すること。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】絶縁層に凸状構造体を形成し、該凸状構造体に接して酸化物半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を３次元方向（基板垂直方向）に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、凸状構造体の上面と側面とが交わる上端コーナー部に曲面を形成し、酸化物半導体層が当該曲面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成する。これによって、酸化物半導体層の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、少なくとも酸化物半導体膜中に希ガスイオンを注入する注入工程を行い、減圧下、窒素雰囲気下、又は希ガス雰囲気下において、希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜に加熱工程を行って希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜中に含まれる水素若しくは水を放出させ、酸化物半導体膜を高純度化する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、各種イオンをイオン注入した後に活性化させるための熱処理を行う場合に、炭化珪素表面が荒れてしまうことを防ぐ炭化珪素半導体デバイスの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 炭化珪素単結晶基板又は炭化珪素単結晶エピタキシャル膜が成膜された基板にイオン注入する工程と、該基板上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法である。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】直接窒化されたサファイア基板２上のＡｌＮ層にラジカル源５から窒素ラジカル又は窒素イオンを含む気体を所定時間照射する。その後、成長させるＩＩＩ族窒化物の構成元素からなるターゲット３ａに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するＰＬＤ(パルスレーザ堆積)法によってＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】透明な薄膜を堆積し、パターン構造を直接堆積する方法を提供する。
【解決手段】透明な薄膜を堆積し、パターン構造を直接堆積する方法であって、パルスレーザ源を提供し、前記パルスレーザ源が出射するレーザ１を透明な基板３を介してターゲット５上に集光させて、前記レーザのエネルギーを使用して前記ターゲットの部分を融除又は蒸発させ、前記基板を前記ターゲットに対して並進運動させる、前記融除又は蒸発された前記ターゲットの材料が前記基板上に堆積し、前記基板上にパターン構造を形成できるようにする。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上に、ドレイン電極層またはソース電極層を形成した後、低抵抗な酸化物半導体層をソース領域またはドレイン領域として形成し、その上に半導体層として酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。好ましくは、半導体層として酸素過剰酸化物半導体層を用い、ソース領域及びドレイン領域として酸素欠乏酸化物半導体層を用いる。 （もっと読む）

【課題】シリコン以外の元素の層を堆積して形成していなくても十分な歪み量の歪みシリコン層を有するシリコンウェーハ及びその製造方法を低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコンウェーハにイオンを注入することによって該シリコンウェーハの表面層をイオン注入層とし面内方向の格子を歪ませた後、前記シリコンウェーハのイオン注入された面上にシリコンを気相成長させることにより歪みシリコン層を成長させることを特徴とする歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 可動部を省略し、簡略な構成でサンプルデバイスを良好に製造できるコンビナトリアルデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】 コンビナトリアルデバイス製造装置は、膜を組み合わせて基板上に複数種類のデバイスを製造するものであって、膜を形成するための材料をイオン化してイオンを放出するイオン源と、イオン源から放出されたイオンを基板上に蒸着するイオン輸送系と、イオン輸送系で輸送されるイオンの進行方向を電界及び磁界のうち少なくともいずれか一方を使って偏向し、基板上でのイオンの蒸着位置を制御する制御系とを備えている。 （もっと読む）