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Fターム[5F110CC03]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | 構造 (17,285) | 逆コプレナ (2,617)

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2,001 - 2,020 / 2,536


【課題】高精細でありトランジスタ特性の良好な、フレキシブルで大面積にも対応でき量
産性のある、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的
とする。
【解決手段】基材上に、少なくとも下部電極のゲート電極、上部電極のソース電極及びド
レイン電極、絶縁層のゲート絶縁層、半導体からなる活性層の半導体活性層を含む層構成
の薄膜トランジスタであって、少なくとも上部電極が前記基材とは異なる第二の基材上の
、例えば、表面に凹部、又は凸部、又は平部を有する基材の凹部、又は凸部、又は平部に
電極材料が形成された後、前記基材のゲート絶縁層上に転写されて、上部電極のソース電
極及びドレイン電極を形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】特性に優れ、かつ、特性が大気中において経時的に劣化するのを防止し得る電子デバイス、かかる電子デバイスを製造する電子デバイスの製造方法、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタ1は、ソース電極20aおよびドレイン電極20bと、ソース電極20aおよびドレイン電極20bの表面に形成された有機膜60と、ソース電極20aおよびドレイン電極20bを覆い、かつ、有機膜60と接触するように設けられた有機半導体層30と、有機半導体層30上に設けられたゲート絶縁層40と、ゲート絶縁層40上に設けられたゲート電極60とを有する。有機膜60は、好ましくは一般式:CF(CF(CHCH(CHSH)(ただし、mは1〜35の整数を示し、nは2〜33の整数を示す。)で表される非共役系有機化合物を、ソース電極20aおよびドレイン電極20bの表面に結合させてなるものである。 (もっと読む)


【課題】プラスチック基板上への製造や、軽量化、構造・プロセスの簡素化が可能であり、フレキシブルで、大面積化が可能な新しい圧力センサデバイスを提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に、少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、有機半導体層及びゲート絶縁層を有し、該ゲート絶縁層の少なくとも一層がゴム弾性を示す弾性層である圧力センサ。 (もっと読む)


次を含むトランジスタが提供される:基材、ゲート電極、前記基材と前記ゲート電極との間に位置しない半導体材料、前記半導体材料と接触するソース電極、前記半導体材料と接触するドレイン電極、及び前記ゲート電極及び前記半導体材料と接触する誘電体材料。その際、前記半導体材料は、1〜99.9重量%の、1kHzにおいて3.3を超える誘電率を有するポリマー、0.1〜99重量%の、本明細書に記載の官能化ペンタセン化合物を含む。
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【課題】優れた耐電圧特性を有し、液相プロセスを用いて高温による熱処理を行うことなく形成し得るゲート絶縁層を備える薄膜トランジスタ、信頼性の高い電子回路、表示装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタ1は、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、互いに分離して設けられたソース電極20aおよびドレイン電極20bと、ソース電極20aおよびドレイン電極20b間に介在する有機半導体層30と、有機半導体層30とゲート電極50との間に位置するゲート絶縁層40とを有する構造をしており、さらに基板10上に搭載されている。ゲート絶縁層40は、絶縁性無機粒子の表面に疎水性化合物を付与してなる複合粒子41が、絶縁性ポリマーで構成されたマトリクス42中に分散されてなる。 (もっと読む)


【課題】分子構造の平面性が高く、薄膜特性に優れた有機半導体層を形成することができる有機半導体層用組成物、これを用いて製造された信頼性の高い薄膜トランジスタを製造可能な薄膜トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および電子機器の製造方法を提供すること。
【解決手段】有機半導体層用組成物は、π共役系構造を含む主鎖と、側鎖とを有し、所定の条件を満たす有機半導体材料と、この材料に対する第二ビリアル係数が−1×10−3〜1×10−3cm3・mol/g2の溶媒を含む。例えば、有機半導体材料としてポリ(3−ヘキシルチオフェン)を使用した場合、溶媒はアニソールまたはトリクロロエタンを用いることができる。この組成物は、ゲート電極50、ゲート絶縁層40、ソース電極20a、ドレイン電極20bおよび有機半導体層30を有する薄膜トランジスタ1の有機半導体層30を形成するのに用いることができる。 (もっと読む)


【課題】従来の構成では、半導体層と電極の界面に同一の吸着分子層を挿入したため、キャリアの注入効率は改善したが、撥水性を十分上げることができないという課題があった。
【解決手段】本発明の有機FETでは、ソース電極3およびドレイン電極5の上面に絶縁層4と第一の有機分子層6を、ソース電極3およびドレイン電極5の側面に第二の有機分子層7を挿入する。第一の有機分子層6にシランカップリング剤を用いるため、電極表面の撥水性が上がり、第二の有機分子層7にチオール化合物を用いるため、キャリアの注入効率が向上する。 (もっと読む)


【課題】 欠陥が少なく、高い結晶性、配向性を備えた有機半導体層を安価なプロセスで作製する。
【解決手段】 有機半導体化合物の前駆体と溶媒とを少なくとも含む溶液を基板に付着させる工程、及び該有機半導体化合物の前駆体を有機半導体化合物に変換する工程を少なくとも有する有機半導体層の形成方法であって、前記溶媒の基板に対する接触角が14°以下であり、且つ、前記溶液における有機半導体化合物の前駆体の濃度が0.05wt%以上であることを特徴とする有機半導体層の形成方法。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタバックプレーン回路について作製コストを抑えるとともに有機半導体へのキャリア注入を効率化する。
【解決手段】各薄膜トランジスタ110は、ドレインコンタクト構造Dと、ソースコンタクト構造Sと、ソースコンタクト構造とドレインコンタクト構造との間に配置された有機半導体領域115とを含む。各アドレスラインは複数の薄膜トランジスタの列のドレインコンタクト構造に接続されている。各アドレスラインと各薄膜トランジスタのソースコンタクト構造及びドレインコンタクト構造とはそれぞれ、ベース部分118−1,118−2と、ベース部分の少なくとも一つの表面に対向しベース部分に比べて薄いコンタクト層119−1,119−2とを含む。ベース部分は第一材料を含んで構成され、コンタクト層は有機半導体との電気接触性が第一材料に比べて良好な第二材料を含んで構成される。 (もっと読む)


【課題】透明薄膜トランジスタを用いる有機発光表示装置の両面発光効果を極大化することができる有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の有機発光表示装置は、第1透明基板300上の所定の領域に形成された有機発光ダイオードと、有機発光ダイオードを駆動する少なくとも1つの透明薄膜トランジスタを有する表示部330と、表示部330の少なくとも一側面に配設され、光の透過を調節する調節部320とを備える。調節部320は、第1透明基板300の、表示部330と反対の面側に形成される光遮断膜である液晶層315と、液晶層315の上部および下部にそれぞれ形成された第1透明電極314および第2透明電極316と、第2透明電極316の、液晶層315と反対の面側に形成される第2透明基板317とを備える。かかる構成により、通常は透明な状態を維持するが、使用者が望む時点で画像を自由に表示することができる。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブ素子のカーボンナノチューブに接する薄膜、例えばパッシベーション膜や電極の堆積による特性劣化を小さくする。
【解決手段】カーボンナノチューブ2の表面に、微粒子4を吹きつけ又はスピンコートにより堆積する。その後、表面に微粒子4が堆積したカーボンナノチューブ2上に薄膜(パッシベーション膜6)を形成する。薄膜6形成時に、カーボンナノチューブ2の表面は微粒子層5で保護され、薄膜6形成時の損傷が回避される。また、堆積する微粒子4のエネルギは、室温の熱エネルギ程度でプラズマや蒸着・CVDに比べて小さくカーボンナノチューブ2を損傷しない。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタの特性が向上した表示装置を提供する。
【解決手段】
本発明は、表示装置とその製造方法に関し、本発明による表示装置は、絶縁基板上に形成されているゲート電極を含むゲート配線と;ゲート電極上に形成されているゲート絶縁膜と;ゲート絶縁膜上にゲート電極を中心に相互離隔して形成されてチャネル領域を定義するソース電極及びドレイン電極とを含み、多重層からなる導電層;及びチャネル領域に形成されている有機半導体層を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】レーザーを用いた有機半導体のパターニングを容易にするソース/ドレイン電極を二重構造で形成した有機薄膜トランジスタ及びそれを含む平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板と、ゲート電極、ゲート電極とゲート絶縁層により絶縁されたソース/ドレイン電極、ゲート電極とゲート絶縁層により絶縁され、ソース/ドレイン電極と電気的に接続するように所定部分がパターニングされた有機半導体層、及びソース/ドレイン電極の上面に形成された保護層、を含む有機薄膜トランジスタ並びにそれを含む平板ディスプレイ装置。 (もっと読む)


【課題】溶剤や樹脂に対する溶解・相溶性に優れ、高いキャリア移動度を持つ電荷輸送性材料を用い、動作速度が速く製造が容易な有機半導体トランジスタ素子を提供すること。
【解決手段】ソース及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、ゲート電極とを備え、有機半導体が電荷輸送性ポリエーテルを1種以上含有する有機半導体トランジスタ素子。 (もっと読む)


【課題】有機半導体の結晶性を向上し得るインクジェットプリンティングシステム及びこれを用いた薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】インクジェットプリンティングシステムは、基板上にインキを滴下するインクジェットプリンティングチャンバーと、インクジェットプリンティングチャンバーと所定間隔離間しており、基板に滴下されたインキの溶媒の蒸気圧を調節してインキを乾燥させる乾燥チャンバーとを有する。 (もっと読む)


一定量の粒子半導体材料と一定量のバインダーとを混合することを含む印刷可能な組成物を製造する方法。半導体材料は、典型的には、ほぼ5ナノメートルないし10マイクロメートルの粒径を有するナノ粒子ケイ素である。バインダーは、天然油、またはその誘導体もしくは合成類似物を含む自己重合型材料である。好ましくは、バインダーは、天然油、あるいは対応する脂肪酸の純粋な不飽和脂肪酸、モノ−およびジ−グリセリド、またはメチルおよびエチルエステルを含む誘導体からなる前駆体の自己重合型材料である。方法は、単一または複数の層で基体に印刷可能な組成物を適用し、ついで印刷可能な組成物を硬化させて基体上にコンポーネントまたは導体を形成することを含むことができる。
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【課題】ZnO半導体膜を用い、ソース電極及びドレイン電極にn型又はp型の不純物を添加したZnO膜を用いたときでも欠陥や不良が生じない半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極3上の酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜からなるゲート絶縁膜5と、前記ゲート絶縁膜上のAl膜又はAl合金膜11aと、前記Al膜又はAl合金膜11a上のn型又はp型の不純物が添加されたZnO膜11bと、前記n型又はp型の不純物が添加されたZnO膜11b上及び前記ゲート絶縁膜5上のZnO半導体膜13とを有する。 (もっと読む)


【課題】有機半導体層のパターニング時にソース電極及びドレイン電極の損傷が防止される有機薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備えた有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】(i)ソース電極及びドレイン電極123と、(ii)ソース電極及びドレイン電極123に各々接し、ソース電極とドレイン電極との間のチャンネル領域CA外の領域の表面が灰化された有機半導体層127と、(iii)ソース電極、ドレイン電極123、及び有機半導体層127と絶縁されたゲート電極121と、(iv)ゲート電極121をソース電極、ドレイン電極123、及び有機半導体層127から絶縁させるゲート絶縁膜125と、を備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】半導体ナノワイヤ等の線状構造体を配置するときに、その位置やや数量をコントロールする。
【解決手段】基板上にゲート電極と絶縁層が形成された基体を用意し、その上にソース電極11とドレイン電極12を形成する。ソース電極の端部付近に凹凸形成部分24−1とドレイン電極の端部付近に凹凸形成部分24−2を形成し、次にSiナノワイヤ25を分散させた分散液23を、チャネルの中心部分に滴下させる。そして、凹凸形成部分の凹部に分散液中のSiナノワイヤ25を挿入させる。そして、凹部に整列配向したSiナノワイヤ25を、両電極に接合させる。 (もっと読む)


【課題】溶媒への溶解性が高く、簡便な塗布プロセスによって製造することができ、特性が良好であり、さらに空気中の酸素に対して安定な有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物を含有する有機半導体材料。


(Aは3環以上が縮合したアセン構造、L1は2価の連結基、R1〜R5は水素原子、アルキル基、アルケニル基等から選ばれる基、m及びnは1〜4の整数。) (もっと読む)


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