【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｙ_１〜Ｙ_４はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、またはメチレン基を表し、ｌ、ｍおよびｎはそれぞれ独立に０または１を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に１または２を表す） （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板は、基板に形成されたゲートラインと、データラインとを備え、前記ゲートラインとデータラインは交差して画素領域を画成し、前記画素領域内に画素電極と薄膜トランジスタが形成され、前記ゲートラインとデータラインの間に第１絶縁層と第２絶縁層が形成され、前記画素電極は前記第１絶縁層と第２絶縁層の間に配置される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】チャネル形成領域にＳｉＯｘを含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層を用い、電気抵抗値の低い金属材料からなる配線層とのコンタクト抵抗を低減するため、ソース電極層及びドレイン電極層と上記ＳｉＯｘを含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層との間にソース領域又はドレイン領域を設ける。ソース領域又はドレイン領域、及び画素領域は同一層のＳｉＯｘを含まないＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層を用いる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の活性層が保護されるとともにソース電極及びドレイン電極とのオーミックコンタクトが確保され、閾値変動が抑制される電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタ１００は、ゲート電極１２と、ゲート電極上に形成されている絶縁層１４と、絶縁層を隔てて前記ゲート電極に対向する位置に形成されている酸化物半導体層１６と、Ｇａを主成分とする酸化物を含み、酸化物半導体層上に形成されている保護層１８と、Ｉｎを主成分とする非晶質酸化物を含み、保護層上に形成されている接触層２０Ａ，２０Ｂと、接触層上で、該接触層に接触しているとともに対向配置されているソース電極２２Ａ及びドレイン電極２２Ｂと、を有する。接触層は、保護層とソース電極及びドレイン電極とが厚さ方向で重なる領域に形成されており、ソース電極とドレイン電極との間では分離している。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表すが、同時に０を表すことはない） （もっと読む）

【課題】金属触媒を利用して結晶化した半導体層を利用した薄膜トランジスタにおいて、半導体層に残留する残留金属触媒を最小化して特性が向上した薄膜トランジスタとその製造方法、及び有機電界発光表示装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と；基板上に形成されたシリコン膜と；シリコン膜上部に形成された拡散層と；拡散層上に形成された金属触媒を利用して結晶化した半導体層と；半導体層のチャネル領域に対応するように位置するゲート電極と；半導体層とゲート電極を絶縁させるためにゲート電極と半導体層間に位置するゲート絶縁膜と；半導体層のソース／ドレイン領域に電気的に連結されるソース／ドレイン電極とを含む。また、基板全面にかけて位置する保護膜；及び保護膜上に位置し、ソース／ドレイン電極と電気的に連結される第１電極、有機膜層及び第２電極を含む有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ［ｈｉ，ｗｘ］ヘプタセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換または未置換のチエノチオフェン環、あるいは置換または未置換のインドール環を表し、環Ｂは置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換または未置換のチエノチオフェン環、あるいは置換または未置換のインドール環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１およびＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、置換または未置換のアリール基、あるいは置換エチニル基を表し、Ｙ_１〜Ｙ_４はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、またはメチレン基を表し、ｍおよびｎはそれぞれ独立に０または１を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に１または２を表す） （もっと読む）

【課題】半導体装置の消費電力を低減させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｓ１）を準備する工程と、テンプレート（Ｓ２）を準備する工程と、前記テンプレート表面にゲート電極（１０）を形成する工程と、前記基板およびテンプレートを貼り合わせる工程と、前記テンプレートから前記基板および前記ゲート電極を一体的に剥離して前記ゲート電極を前記テンプレートから前記基板に転写するする工程と、を有する。かかる方法によれば、ゲート電極の表面の平坦性が向上し、その上に形成されるゲート絶縁膜（１２）の表面の平坦性も向上する。その結果、ゲート絶縁膜の薄膜化が容易となり、半導体装置の消費電力の低減ができる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの表面積を増大させて容量が増加した有機電界発光表示装置及びその製造方法。
【解決手段】薄膜トランジスタ及びキャパシタ領域を含む基板と；バッファー層と；トランジスタ領域に位置する金属触媒を利用して結晶化した半導体層パターンと；ゲート絶縁膜と；前記パターンの一定領域に対応されるゲート電極及びキャパシタ領域のキャパシタ下部電極と；層間絶縁膜と；前記パターンと一部が連結されるソース／ドレイン電極及びキャパシタ下部電極に対応される上部電極と；同じく層間絶縁膜上のソース／ドレイン電極と電気的に連結される第１電極と；発光層を含む有機膜層；及び第２電極をこの順で含み、キャパシタ領域に対応されるバッファー層、ゲート絶縁膜、及び層間絶縁膜の一定領域、キャパシタ下部電極、及びキャパシタ上部電極の表面には半導体層パターンを形成する結晶粒の結晶粒界及びシードの形状と一致する形状の突出部を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にベンゾ［ｃ］ナフト［２，１−ｐ］クリセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_８は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいはアリール基を表し、Ｒ_０およびＲ_００は、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいはアリール基で置換されていてもよいナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、あるいはベンゾ［ｂ］チエニル基を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層をチャネル層として適用するトランジスタにおいて、特性のばらつきを低減すると共に、酸化物半導体層とソース電極層及びドレイン電極層とのコンタクト抵抗を低減することを課題とする。
【解決手段】チャネル層を酸化物半導体で設けるトランジスタにおいて、酸化物半導体層の領域のうち、ソース電極層とドレイン電極層の間に位置しチャネルが形成される領域を少なくとも非晶質構造で設け、ソース電極層及びドレイン電極層等の外部と電気的に接続する領域を結晶構造で設ける。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。Ａ^１−Ａ_２（１）｛Ａ_１およびＡ_２、は、式（ａ）あるいは式（ｂ）で表される基


［Ｘ_１〜Ｘ_１４は、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリール基を表し、Ｙ_１〜Ｙ_４は、Ｏ、Ｓ、Ｎ−Ｒ（ＲはＨ、アルキル基、アルコキシアルキル基、アリール基）を表し、ｒ及びｓは０又は１］を表す｝ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】本発明は、真空雰囲気での成膜を用いずに低温プロセスで欠陥密度の少ない酸化シリコン膜の成膜を実現することを可能にする。
【解決手段】基板１１上にポリシラン化合物を含有する溶液を塗布して塗布膜１２を形成した後に、不活性雰囲気中で第１熱処理を行って、前記塗布膜１２をシリコン膜１３に形成する工程と、前記シリコン膜１３上にポリシラン化合物を含有する塗布膜１４を形成した後に、不活性雰囲気中で第２熱処理を行って、前記塗布膜１４を酸化シリコン前駆体膜１５に形成する工程と、酸化雰囲気中で第３熱処理を行って、前記酸化シリコン前駆体膜１５を酸化シリコン膜１６に形成するとともに、前記シリコン膜１３を緻密化する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の活性層を、Ｇａ等を主成分とする酸化物を含む層によって確実に保護して電界効果型トランジスタを製造する方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１０又は絶縁層１４上に、酸化物半導体層１６と、該酸化物半導体層上にＧａを主成分とする酸化物を含む第１の保護層１８及びＩｎを主成分とする非晶質酸化物を含む第２の保護層２０をこの順に交互に少なくとも１層ずつ積層した複合保護層２１とを有する積層体３０をパターン形成する。次いで、積層体上に、対向配置されたソース電極４０Ａ及びドレイン電極４０Ｂをパターン形成する。積層体のソース電極及びドレイン電極が形成されている領域以外において、複合保護層の最上部に位置する第２の保護層から、層ごとに順次エッチングして除去することにより、複合保護層の最下部に位置する第１の保護層を露出させる。 （もっと読む）