【課題】有機発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＯＬＥＤを駆動する駆動トランジスタと、駆動トランジスタの動作を制御するスイッチングトランジスタとを備え、駆動トランジスタの活性層は、電流チャネルに平行な縦方向に成長した結晶構造を有し、スイッチングトランジスタの活性層は、電流チャネルに垂直な横方向に成長した結晶構造を有する有機発光素子である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイ状に複数個形成された薄膜トランジスタ１０（ＴＦＴ）において、工程を簡略化できるとともに、エッチング等の工程に耐えられない半導体材料、あるいは適当なエッチャントがない半導体材料（エッチャントが電極のエッチャントと同一である場合等）であっても、素子分離が容易に行える薄膜トランジスタ１０を提供する。
【解決手段】それぞれの薄膜トランジスタ１０の周囲に隔壁５が設けられており、隔壁５表面の最大高さ（Ｒｚ）と半導体の膜厚（ｔ）の関係がＲｚ＞ｔであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体活性層、およびソース電極、ドレイン電極からなる薄膜トランジスタにおいて、良好なトランジスタ特性を保ちつつ、膜がはがれにくい信頼性の高いフレキシブルなトランジスタを実現する。
【解決手段】可撓性プラスチックの基材上に、無機材料からなる密着層、金属からなるゲート電極、ゲート電極と接する側のゲート絶縁層がシリコン及び酸素を主体として化学蒸着法（ＣＶＤ法）で炭素を０．５〜４％（原子分率）を含有するように形成した層と、半導体活性層と接する側のゲート絶縁層が、シリコン及び窒素を主体としてスパッタ法で炭素を０．０５〜０．５％（原子分率）を含有するように形成した層の２層以上の異なる組成からなるゲート絶縁層、酸化物からなる半導体活性層、ソース電極、ドレイン電極の順に多層構成であって、可撓性プラスチック基材とゲート電極の層間に密着層を形成した薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることができる薄膜トランジスタ基板、それの製造方法及びそれを有する表示装置を提供する。
【解決手段】基板５１０と、基板上５１０に配置され、ゲートライン、前記ゲートラインと連結されたゲート電極１３０、及び伝導体パターン１４０を含むゲート配線と、前記ゲート配線をカバーするゲート絶縁膜５２０と、ゲート絶縁膜５２０上に配置される活性パターン２１０と、活性パターン２１０上に配置され前記ゲートラインと交差されるデータライン３１０、ゲート電極１３０上に位置するソース電極３２０、及びドレイン電極３３０を含むデータ配線と、前記データ配線をカバーする保護膜５３０と、基板５１０と前記ゲート絶縁膜５３０上に配置される画素電極４１０と、を含んで構成される薄膜トランジスタ基板。 （もっと読む）

【課題】ソース電極とドレイン電極との間の漏れ領域を縮小してオフ電流の経路長を増大させ、かつ薄膜トランジスタに照射された光によるキャリアの生成を抑え、それによりオフ電流を低減させる薄膜トランジスタ基板とその製造方法とを提供する。
【解決手段】本発明の一つの観点による薄膜トランジスタ基板では、薄膜トランジスタのチャンネル領域に露出した活性層がチャンネル領域から外に、ソースラインの幅に対して好ましくは30％以下の幅まで突出している。活性層をそのように露出させるために用いられるマスクでは、ソース遮光部とドレイン遮光部との間の凹形状の領域に、折線形状の細いスリットパターンから成る半透過部が形成されている。このマスクを用いてパターニングされた基板では、チャンネル領域から外に拡がる活性層の上記の突出部分から成るキャリアの移動可能領域（すなわち漏れ領域）が縮小する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ用途に有用な有機半導体材料を分子設計し、得られた有機半導体材料を用いて、高いキャリア移動度を示し、ＯＮ／ＯＦＦ比が高く、かつ、高耐久性を併せ持つ、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】芳香族縮合多環を部分構造として有する化合物を含有する有機半導体材料であって、分子内に３個の環に属する炭素原子を少なくとも２個有し、さらに下記一般式（ａ）で表される置換基を少なくとも１個有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


（式中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子または置換基を表す。Ｌはアルケニル基またはアルキニル基を含む２価の連結基を表す。） （もっと読む）

【課題】高純度の有機電子材料を簡便に得ることができる高分子有機電子材料の処理方法、該処理方法によって処理された高分子有機電子材料を用いた有機電界発光素子、長寿命で光応答性に優れた有機感光体、動作速度が速く製造容易な有機半導体トランジスタ素子を提供する。
【解決手段】電荷輸送性材料等の高分子有機電子材料を溶剤に溶解させた後、多孔質粒子と接触させる（例えば、多孔質粒子を充填したカラムを通過させる）ことにより分画することを特徴とする高分子有機電子材料の処理方法、および該処理方法によって処理された高分子有機電子材料を用いた有機電界発光素子、有機感光体、有機半導体トランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】簡便な塗布プロセスによって製造することができ、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに空気中の酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体素子及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】４価の白金のオルトメタル化錯体を還元的脱離反応することによって得られた、２価の白金のオルトメタル化錯体を含有する有機半導体層を有することを特徴とする有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】簡便な塗布プロセスによって製造することができ、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに空気中の酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】下記一般式（１）で表される部分構造を有する４価の白金のオルトメタル化錯体であることを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


（式中、Ｚ₁、Ｚ₂は置換または無置換の芳香族環を表し、Ｘ₁、Ｘ₂はマイナス１価のアニオン性単座配位子を表し、かつＺ、Ｚ₂が形成する平面とは同じ平面に存在しない配位子である。Ａ₁は炭素原子または窒素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】保存安定性が高く、特性に優れた有機半導体層を形成することができる有機半導体用組成物、これを用いて製造された信頼性の高いトランジスタを製造可能なトランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および、電子機器の製造方法を提供すること。
【解決手段】有機半導体用組成物は、チオフェン環とアルキル鎖とを含む有機半導体材料と、シスデカリンを含有する有機溶媒とを含有する。この有機半導体用組成物は、例えば、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを覆うように設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０上に設けられたゲート絶縁層４０と、ゲート絶縁層４０上に設けられたゲート電極５０とを有するトランジスタの有機半導体層３０を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】効率のよい発光が得られる有機発光トランジスタを提供することを課題とする。またキャリア移動度が高い有機発光トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層を有し、ゲート電極と半導体層はゲート絶縁膜により電気的に絶縁されており、半導体層は、有機化合物を含み、ソース電極とドレイン電極のどちらか一方は半導体層に正孔を注入し、他方は半導体層に電子を注入し、ソース電極およびドレイン電極は、仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料と仕事関数が３．８ｅＶ以下の材料との積層された構造である有機発光トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】均質な表面処理と、有機半導体層の均質な結晶化と配向によりキャリア移動度の高い有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層の上に、表面処理層及びその上に有機半導体化合物を含有する有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層及び表面処理層の表面に走査型プローブ顕微鏡の探針を近接ないしは接触した状態で走査した時、該探針と該有機半導体層との間に生じ検出されるＦＦＭ信号差が、５０ｍＶ以上２００ｍＶ以下であり、かつ該探針と該表面処理層との間に生じ検出されるＦＦＭ信号差よりも大きいことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及び保持蓄電器の形成時において写真エッチング工程及び保持蓄電器のためのイオンドーピング工程を除去して製造工程を単純化する。
【解決手段】透明な絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成しているシリコン層と、前記シリコン層を覆っているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極と、前記ゲート絶縁膜膜上に形成されている保持蓄電器用保持電極とを含み、前記シリコン層はドーピングされているソース領域とドレイン領域、及び前記ソース領域とドレイン領域との間に位置してドーピングされていない第１領域と、前記ドレイン領域と隣接して前記第１領域と分離されてドーピングされていない第２領域とを含み、前記保持電極は前記第２領域上に位置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高移動度、低閾値電圧を有する有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板１０１上に形成されたゲート電極１０２と、ゲート電極１０２上に形成されたゲート絶縁膜１０３と、ゲート絶縁膜１０３上に形成された有機半導体層１０５と、有機半導体層１０５上または有機半導体層１０５を間に挟んでゲート絶縁膜１０３上に形成されたソース電極１０６およびドレイン電極１０７を備え、ゲート絶縁膜１０３の表面が、有機半導体層１０５を構成する第１の有機分子の主骨格と同じ主骨格を有する第２の有機分子と化学結合して修飾されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタおよびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単純な構造で配線やＴＦＴの影響を低減し、かつ、フレキシブルディスプレイに適した薄膜トランジスタ装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル絶縁基板上にゲート電極、ゲート配線、キャパシタ下部電極、キャパシタ配線を有し、それらの上に形成されたゲート絶縁膜の上に、ドレイン電極、それと接続されたドレイン配線、ソース電極、それと接続された画素電極が配置されており、ソース電極とドレイン電極の間隙を含むように半導体層が配置され、前記画素電極と電気的に接続され、前記絶縁物の一部分及び画素電極の上に広がる上部画素電極を有する薄膜トランジスタ装置であって、画素電極の厚さが、ドレイン電極、ドレイン配線、ソース電極の厚さよりも厚いことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。 （もっと読む）

【課題】浅い接合領域上に、浅いニッケルモノシリサイド層を形成する。
【解決手段】絶縁膜で画成されたシリコン面上に金属ニッケル膜を堆積し、シラン雰囲気中、２２０℃を超えない温度で熱処理し、組成がＮｉ₂Ｓｉのシリサイド層を、接合領域との界面および金属ニッケル膜表面に、未反応の金属ニッケル膜が残るように形成した後、前記未反応の金属ニッケル膜をエッチング除去し、熱処理してニッケルモノシリサイド層に変換する。 （もっと読む）

【課題】新たなプロセス工程を追加することなく高速な動作が可能なＬＤＤ型の薄膜半導体装置、薄膜半導体装置の製造方法、表示システムを提供すること。
【解決手段】少なくとも表面の一部が絶縁性物質となる基板の該絶縁性物質上に形成された非単結晶の半導体膜を含む薄膜半導体装置において、半導体膜が、薄膜トランジスタのソース部及びドレイン部に配置される第１の不純物半導体膜（３、４）と、薄膜トランジスタのドレイン部とチャネル部との間及びソース部とチャネル部との間の少なくとも一方に配置される高抵抗の第２の不純物半導体膜（９）とを含む。ドレイン部におけるＬＤＤ長をＬldddとし、ドレイン部におけるコンタクトホールのチャネル部側の端辺からゲート電極までの距離をＬcontdとした場合に、０．８×Ｌlddd≦Ｌcon td≦１．２×Ｌldddの関係にある。 （もっと読む）

【課題】有機半導体配合物を備える電子短チャネル装置を提供する。
【解決手段】本発明は、ソースからドレインへのチャネル長が短く、半導体バインダーを含む有機半導体配合物を有する有機電界放射型トランジスタ（ＯＦＥＴ）などの改良された電子装置に関する。 （もっと読む）

【課題】高移動度かつ低ヒステリシスを示す電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極とドレイン電極間に設けた半導体層と、絶縁層と、ゲート電極を有する電界効果型トランジスタであって、半導体層がカーボンナノチューブと共役系重合体から形成される層であり、かつ、絶縁層と半導体層との間に一般式（１）で表される化合物から形成される薄膜を有する電界効果型トランジスタ。
【化１】


Ｒは芳香族基、置換芳香族基から選ばれ、Ａはシラン残基、チタン残基、有機酸残基から選ばれ、ｎは０〜２０の範囲である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタとそのトランジスタの製造方法及びこれを適用する有機発光ディスプレイを提供する。
【解決手段】相互に平行して配置され、チャンネル領域とチャンネル領域の両側にドーピングされた二つの高伝導領域とを有する二つの多結晶シリコン層１０ａ、１０ｂと、二つの多結晶シリコン層１０ａ、１０ｂのチャンネル領域に対応して配置され、二つの多結晶シリコン層１０ａ、１０ｂと交差するように形成されたゲート１２と、ゲート１２と多結晶シリコン層１０ａ、１０ｂとの間に介在されるゲート絶縁層と、を備え、ゲート１２の一側端部に隣接して形成され、ニつの多結晶シリコン層１０ａ、１０ｂのチャンネル領域と一側の高伝導領域との間に低伝導領域が形成されている構造を有している。 （もっと読む）