Fターム[5F110FF04]の内容
Fターム[5F110FF04]に分類される特許
2,801 - 2,805 / 2,805
表示装置及びその作製方法
【課題】 配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明はEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Cuを有する配線を設ける。また、該配線のCuを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。
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配線構造、その製造方法、および表示装置
【課題】 配線構造と他の電極間のショートを防ぐ。
【解決手段】 SiO2により構成されたゲート絶縁膜12およびその上に積層され、SiNにより構成された層間絶縁膜13に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールに、高融点金属により構成された第1の保護金属層170と、高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された配線層172と、および高融点金属により構成され、ゲート絶縁膜12よりも厚く形成された第2の保護金属層174とがこの順で積層された電極53を形成する。
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発光装置およびその作製方法
【課題】アクティブマトリクス型の発光装置における光の取り出し効率を向上させる手段を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型の発光装置において、第1の凹部101a〜第3の凹部101cを有する第1の基板100に金属膜102a〜第3の金属膜102cを形成することや、画素電極145、有機層148、凸部149aの表面を有する陰極149からなる発光素子150を形成することにより、光の損失や隣の画素への光漏れを防ぐことができる。
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MOS型センサおよびその駆動方法
【課題】 最適な蓄積時間を素早く見つける駆動方法を提供する。
【解決手段】 複数の画素を有するMOS型センサにおいて、複数の画素の全ての画素を同時にリセットした後、前記複数の画素から信号を順に出力し、前記リセットをした時から、前記複数の画素が、飽和した信号を出力する直前までの期間を、蓄積時間とすることを特徴とするMOS型センサの駆動方法が提供される。
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液晶表示装置およびその作製方法
【課題】 IPS方式の液晶表示装置において、TFTを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートTFT構造を採用し、ソース領域119及びドレイン領域120のパターニングとソース配線121及び画素電極122のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。
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