【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、逆スタガ型薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜（セミアモルファス半導体膜ともいう。）が形成され、微結晶半導体膜上にバッファー層が形成され、バッファー層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。上記において、微結晶半導体膜を表面に水素プラズマを作用させたゲート絶縁膜上に形成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好であり、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する液晶表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、逆スタガの薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出するようにソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、画素電極、電極間絶縁膜、および共通電極がこの順に積層されたＦＦＳモードの液晶装置の製造方法、および液晶装置において、コンタクトホール内部およびその開口縁での短絡や断線を確実に防止可能な構成を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０上には、薄膜トランジスタ３０と、層間絶縁膜４、６と、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール６ａおよびドレイン電極５ｂを介して薄膜トランジスタ３０に電気的に接続された画素電極７ａと、電極間絶縁膜８ａと、スリット状の開口部９ｂが複数、形成された共通電極９ａとが積層されている。コンタクトホール６ａは、画素電極７ａの上層側に形成されたホール内絶縁膜８ｂにより埋められている。ホール内絶縁膜８ｂは、電極間絶縁膜８ａと同時形成された絶縁膜であり、ポリシラザンを所定の溶媒に溶解、分散させてなる液状物を塗布後、焼成させてなる。 （もっと読む）

【課題】複数箇所に転置される半導体膜どうしの間隔が抑えられる、半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の凸部を複数有する第１のボンド基板を、ベース基板に貼り合わせる。そして、第１のボンド基板を複数の第１の凸部において分離させることで、ベース基板上に複数の第１の半導体膜を形成する。次に、第２の凸部を複数有する第２のボンド基板を、ベース基板の第１の半導体膜とは異なる領域に、複数の第２の凸部が重なるよう、ベース基板に貼り合わせる。そして、第２のボンド基板を複数の第２の凸部において分離させることで、ベース基板上に複数の第２の半導体膜を形成する。第２のボンド基板は、複数の第２の凸部の、第２のボンド基板に対して垂直方向（深さ方向）における幅が、先に形成される第１の半導体膜の膜厚より大きいものとする。 （もっと読む）

装置は、ガラスに被覆された半導体繊維を含んでおり、その半導体繊維は、第１ｎ-ドープ部と第１ｐ-ドープ部、および第１ｎ-ドープ部に結合された第１伝導体と、第１ｐ-ドープ部に結合された第２伝導体とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】低い基板温度であっても成膜速度を維持して膜厚方向の結晶化率が安定した結晶性のシリコン薄膜を基板上に成膜可能で、これにより基板上への結晶性のシリコン薄膜の直接成膜を産業上において実用化すると共に、このシリコン薄膜を用いることで高性能化が図られた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスと水素ガスとを成膜ガスに用いたプラズマＣＶＤ法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する成膜工程Ｓ２を行う。また前工程として、前記核生成工程では、Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスとハロゲン化ゲルマニウムガスとを成膜ガスに用いた反応性熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によって基板上に結晶核を生成するための核生成工程Ｓ１を行う。 （もっと読む）

【課題】複数箇所に転置される半導体膜どうしの間隔が抑えられる、半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ボンド基板からベース基板への半導体膜の転置を複数回に渡って行う。そして、先に転置される半導体膜と後に転置される半導体膜とを隣接させる場合、後の転置は、端部が部分的に除去されたボンド基板を用いて行う。後の転置に用いられるボンド基板は、端部が除去された領域の、ボンド基板に対して垂直方向における幅が、先に転置される半導体膜の膜厚より大きいものとする。 （もっと読む）

【課題】有機ＦＥＴ素子の高移動度と低閾値電圧を両立することのできる有機トランジスタ材料を提供すること。
【解決手段】単層カーボンナノチューブおよび有機半導体材料を含む有機トランジスタ材料であって、該有機トランジスタ材料に含まれる単層カーボンナノチューブから得られる膜の波長１０００ｎｍにおける吸光度（Ａ）に対する波長１２００ｎｍにおける吸光度（Ｂ）の比（Ｂ／Ａ）が１．０未満である有機トランジスタ材料。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた高性能な半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に、波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を用いて半導体層に光照射を行い、かつ、光を照射する半導体層の膜厚ｄ（ｎｍ）が、光の波長をλ（ｎｍ）、半導体層の屈折率をｎ、ｍを１以上の自然数（ｍ＝１、２、３、４・・・）、０≦α≦１０とすると、ｄ＝λ／２ｎ×ｍ±α（ｎｍ）を満たすようにする。半導体層中で反射、共鳴し加熱処理を行うことのできる光を、半導体層の光吸収率が大きい最適な条件で半導体層へ照射することができる。 （もっと読む）

【課題】表示ムラが少ない表示装置を量産性高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁膜または下地膜として機能する絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を成膜する。次に、エネルギー分布のプロファイルがなだらかなレーザビーム、即ち単位面積当たりのエネルギーが低いレーザビームを非晶質半導体膜に照射して、非晶質半導体膜を微結晶化させて、ゲート絶縁膜または下地膜として機能する絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成する。次に、当該微結晶半導体膜をチャネル形成領域用いて薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、トランジスタの移動度を向上するために半導体層に歪を与える際、引っ張り歪を与えるのが好ましいトランジスタと、圧縮歪を与えるのが好ましいトランジスタとを同一基板上で効率良く形成するための構成および作製方法を提供する。
【解決手段】同一基板上に単結晶半導体基板より分離し、絶縁表面を有する基板に接合層を介して接合された単結晶半導体層を含む複数種のトランジスタを形成する。一のトランジスタは、引っ張り歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用い、他のトランジスタは、接合後に支持基板の加熱処理によって生ずる熱収縮の一部を利用した圧縮歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用いる。 （もっと読む）

【課題】接続孔内から無電解めっき層が剥がれて抜け落ちるのを防止できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体層３２上に形成された第１の絶縁層３３，２０３と、前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の絶縁層の上面から途中まで異方性エッチングにより形成された第１の接続孔２０３ｃと、前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の接続孔に繋げられ、前記第１の接続孔下の前記第１の絶縁層が等方性エッチングにより形成され、前記半導体層上に位置する第２の接続孔２０３ｇと、前記第１の接続孔内の側面及び前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層２０３ｄと、前記第２の接続孔の底面の前記半導体層から成長され、前記第２の接続孔内及び前記第１の接続孔内に埋め込まれた無電解めっき層２０４ａと、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に高エネルギーを有する少なくとも一種類の粒子により該高エネルギーを供給することにより加熱し、加熱した半導体層表面に研磨処理を行う。高エネルギーの供給による加熱処理により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に電磁波を照射し、電磁波の照射された半導体層表面に研磨処理を行う。電磁波の照射により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。従って、電磁波の照射と研磨処理によって、結晶欠陥が低減され、かつ平坦性も高い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】イオンの照射に起因する問題を解決した、良好な特性が得られる半導体基板を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の表面をプラズマ処理し、プラズマ処理された単結晶半導体基板の表面に、絶縁層を形成し、絶縁層を介して、単結晶半導体基板を、絶縁表面を有する基板に貼り合わせ、単結晶半導体基板を、損傷領域で分離して、絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成する。これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】大型の半導体装置で、高速に動作する半導体装置を提供することを目的する。
【解決手段】単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファスシリコン（またはマイクロクリスタルシリコン）の半導体層を有するボトムゲート型のトランジスタとを同一基板に形成する。そして、各々のトランジスタが有するゲート電極を同じレイヤーで形成し、ソース及びドレイン電極も同じレイヤーで形成する。このようにして、製造工程を削減する。つまり、ボトムゲート型のトランジスタの製造工程に、少しだけ工程を追加するだけで、２つのタイプのトランジスタを製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】表面リーク電流を低減することができる、III族窒化物半導体を用いた窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５が、順に積層された窒化物半導体積層構造部２を備えている。ゲート絶縁膜９が形成されている。このゲート絶縁膜９は、窒化物半導体積層構造部２の表面全域に接して形成された窒化シリコン膜２０と、この窒化シリコン膜２０の上に形成された酸化シリコン１０膜とを備えている。ゲート絶縁膜９の上には、ゲート絶縁膜９を挟んで領域１２に対向するようにゲート電極１１が形成されている。また、窒化物半導体積層構造部２の引き出し部６の表面には、ドレイン電極７が接触形成されている。一方、窒化物半導体積層構造部２のｎ型ＧａＮ層５の頂面には、ソース電極１３が接触形成されている。 （もっと読む）

【課題】工程の簡略化を図り、又は特性不良を抑制する半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に第１の導電膜と第２の導電膜を形成し、第１の導電膜上と第２の導電膜上に第１の絶縁膜を形成し、第１の導電膜上に第１の絶縁膜を介して電荷蓄積層を選択的に形成し、第１の絶縁膜上と電荷蓄積層上に第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上に、第１の導電膜と重なる第１の半導体膜と、第２の導電膜と重なる第２の半導体膜と、第１の導電膜及び第２の導電膜と重ならない第３の半導体膜を形成し、第１の半導体膜、第２の半導体膜及び第３の半導体膜上に第３の絶縁膜を形成し、第３の半導体膜の上方に第３の絶縁膜を介して第３の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 アクティブチャンネルとして、酸素と、窒素と、亜鉛、錫、ガリウム、カドミウム、及びインジウムからなる群より選ばれる一つ以上の元素とを含む半導体材料を有するＴＦＴを提供する。
【解決手段】 半導体材料は、底部ゲートのＴＦＴ、最上部ゲートのＴＦＴ、他のタイプのＴＦＴに用いることができる。ＴＦＴは、エッチングによってパターン形成されて、チャンネルと金属電極の双方を作成させることができる。次に、エッチング停止層として半導体材料を用いたドライエッチングによってソース・ドレイン電極を画成することができる。アクティブ層のキャリヤ濃度、移動度、ＴＦＴの他の層との接合部は、あらかじめ決められた値に調整可能である。この調整は、窒素含有ガスと酸素含有ガスの流量比を変えること、堆積された半導体膜をアニーリングし更に／又はプラズマ処理すること、或いはアルミニウムのドーピング濃度を変えることによって達成することができる。 （もっと読む）

【課題】下部ゲート電極に影響を受けることなく半導体膜を結晶化できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の作製方法は、基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に絶縁膜１０７を形成し、絶縁膜１０７上に下部ゲート絶縁膜１０３を形成し、下部ゲート絶縁膜１０３上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜を結晶化することにより下部ゲート絶縁膜１０３上に結晶質半導体膜を形成し、前記結晶質半導体膜上に上部ゲート絶縁膜１０５を形成し、上部ゲート絶縁膜１０５上に上部ゲート電極１０６ａ，１０６ｂを形成し、前記剥離層を絶縁膜１０７から剥離し、絶縁膜１０７を加工することにより下部ゲート絶縁膜１０３を露出させ、前記露出した下部ゲート絶縁膜１０３に接する下部ゲート電極１１５ａ、１１５ｂを形成することを特徴とする。 （もっと読む）