【課題】記憶装置の作製工程を簡略化することにより製造コストを低減し、より安価な記憶装置を提供することを課題とする。
【解決手段】電極として機能する二つの導電層（金属層）を接触させ、界面領域を腐食（酸化ともいう）させることにより、電気抵抗が高い領域を形成する。該高抵抗領域は、異種金属を接触させた場合に、イオン化傾向が大きい金属が腐食しやすくなるという性質を利用して形成するものである。これにより、電極間に絶縁層や半導体層を別途設けることなく、記憶素子を作製することができる。つまり、製造工程を簡略化して製造コストを低減した記憶装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上した液晶表示装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板と、基板上に形成されたトランジスタと、トランジスタに電気的に接続された画素電極と、を有し、トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の微結晶構造を有する半導体層と、微結晶構造を有する半導体層上のバッファー層と、を有し、トランジスタのチャネル幅Ｗと、トランジスタのチャネル長Ｌとは、０．１≦Ｗ／Ｌ≦１．７の関係を満たすことを特徴としている。 （もっと読む）

ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート構造（３１０Ｎ，３１０Ｂ，３１０Ｐ）によって従来のゲート電極構造（３１０）を置換するためのプロセスシーケンスにおいて、例えば、選択性の高いエッチングステップ（３２２，３２５，３２７，３３１）を使用することによって、追加のマスク形成ステップの数を少なく保つことができ、これにより、従来のＣＭＯＳ技術との高い互換性を保つことができる。更に、ここに開示の技術は、前工程（front-end）のプロセス技術および後工程（back-end）のプロセス技術との互換性を実現し、これにより、トランジスタレベルのほか、コンタクトレベルでも実績のある歪み発生機構を組み込むことが可能となる。
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【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のインドール環を表す） （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１およびＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、キャリア移動度や安定性が高い金属酸化物半導体を得ることにあり、更に生産効率が向上した金属酸化物半導体の製造方法を得ることにあり、これを用いて安定に動作する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子を得ることにある。
【解決手段】基板上に、金属酸化物半導体の前駆体を含む薄膜を形成した後、該薄膜に対し、還元処理を行った後、酸化処理を施すことを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】しきい値制御された、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜にしきい値制御のための不純物元素をイオン注入法により添加し、その後、レーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。そして、微結晶半導体膜上にバッファ層を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】生産コストを削減することができる半導体装置の作製方法、及び該作製方法を用いる製造装置の提案を課題とする。
【解決手段】ボンド基板（半導体基板）をベース基板（支持基板）に貼り合わせた後に、該ボンド基板を劈開させて半導体膜を形成するのではなく、先にボンド基板を複数箇所において劈開することで複数の第１の半導体膜（マザーアイランド）を形成してから、該複数の第１の半導体膜をベース基板に貼り合わせる。そして、上記複数の第１の半導体膜をそれぞれ部分的にエッチングすることで、１つの第１の半導体膜から単数または複数の第２の半導体膜（アイランド）を形成し、該第２の半導体膜を用いて半導体素子を作製する。複数の第１の半導体膜は、半導体素子が有する第２の半導体膜がレイアウトされるべき領域を少なくともカバーするように、上記レイアウトに合わせてベース基板に貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高移動度、熱安定性に優れた有機薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】支持体上にゲート電極、絶縁層、ソース電極及びドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
一般式（１） Ａ−（Ｙ）_n
（式中、Ａは、芳香族炭化水素環、または芳香族複素環、または芳香族炭化水素環及び芳香族複素環が少なくとも３環以上縮合した縮合環を表し、
Ｙは、−ＣＯ−，−ＣＯＮＨ−，−ＳＯ₂−，−ＳＯ₂ＮＨ−、でそれぞれ表される連結基のうち少なくとも１つを部分構造として有する置換基を表す。ｎは、１〜８の整数を表す。但し、複数のＹは、同じでも異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する液晶表示装置、及び該液晶表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上にバッファ層と、バッファ層上において微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、チャネル保護層及びバッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域上にソース電極及びドレイン電極を有する。 （もっと読む）

【課題】特性が均一な微結晶半導体を有する半導体装置を効率良く提供することを課題とする。また、高品質な電子機器を効率良く提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、半導体層が完全溶融する光強度のパルスレーザー光を照射することにより、微結晶半導体領域を形成する。これにより、特性が均一な微結晶半導体領域を有する半導体装置を作製することができ、また、これを用いて、高品質な電子機器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノベンゾチオフェン環、あるいは置換または未置換のナフトチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を抑制しつつ、且つ製造コストの増加を抑え、加えて、電気特性が高く、オフ電流の低減を図ることができる薄膜トランジスタを具備する液晶表示装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に設けられたゲート電極と、基板及びゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介したゲート電極上に、微結晶半導体膜と、上部に窪みが存在するバッファ層とが順に積層して設けられた第１の島状半導体膜及び第２の島状半導体膜と、導電性半導体膜と、導電性半導体膜上に接して設けられた導電膜と、を有し、導電性半導体膜が、第１の島状半導体膜及び第２の島状半導体膜の間に、ゲート絶縁膜に接して設けられている薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のインドール環を表す） （もっと読む）

【課題】スループット良くＳＯＩ基板を製造できる方法を提供する。
【解決手段】支持基板に半導体基板から分離させた半導体層を転置して、ＳＯＩ基板を製造する。まず、半導体層の基となる半導体基板を準備する。該半導体基板には所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ、一表面上に絶縁層を形成する。半導体基板と支持基板とを、絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合した後、半導体基板にレーザビームを選択的に照射して脆化層の脆化を進行させる。そして、物理的手段又は加熱処理により、脆化層の脆化を進行させた領域を始点として、半導体基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する発光装置、及び該発光装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する発光装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上にバッファ層と、バッファ層上において微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、チャネル保護層及びバッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域上にソース電極及びドレイン電極を有する。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にトリベンゾ［ｄｅ，ｋｌ，ｖｗｘ］ヘキサフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を生産性よく作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜の表面からレーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。次に、結晶性が改善された微結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）