【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板１と、ゲート電極配線２と、ゲート絶縁膜３と、チャネルとなる第１の半導体層４と、第１及び第２のコンタクト層５ａ、５ｂとなる第２の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂとを有し、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂに対して露出する第２の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層６ａ、６ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層のバックチャネル部を半導体層成膜後の薄膜トランジスタ作製工程によるダメージから保護し、良好なトランジスタ特性を得ると共に、薄膜トランジスタ作製の工程数を削減することである。
【解決手段】基板１と、基板１上に設けられたゲート電極２と、基板１上に設けられ、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に設けられ、アモルファス酸化物からなる半導体層４と、半導体層４上に設けられた保護膜５と、ゲート絶縁膜３上に設けられたソース電極６、及びドレイン電極７と、を備え、保護膜５を、金属材料の化成処理、又は陽極酸化によって形成する。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有膜を調製するための方法を提供する。
【解決手段】ケイ素、酸化物そして任意選択で窒素、炭素、水素およびホウ素を含む誘電体膜を形成する方法が提供される。さらに、例えば半導体ウェハーなどの加工対象物の上に誘電体膜またはコーティングを形成するための方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡便な工程で、有機半導体層の移動度を低下させることなくパターニングした有機半導体素子を得ることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ソース電極１およびドレイン電極２を覆うように有機半導体層３を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上の少なくとも上記ソース電極１および上記ドレイン電極２間のチャネル領域Ｃ上に、第一誘電体層４を形成する第一誘電体層形成工程と、上記第一誘電体層を覆うように上記有機半導体層上に、第二誘電体層５を形成する第二誘電体層形成工程と、を有し、第二誘電体層５は、第一誘電体層４の周囲で有機半導体層３と接触する接触部を有し、接触部Ｘにおける有機半導体層３および第二誘電体層５の界面に、有機半導体層と第二誘電体層とが混ざり合った混合層６を形成することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層のパターン精度が良好であり、トランジスタ特性に優れた有機半導体素子を容易に製造することが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶性有機半導体材料を配向させる配向層１上にソース電極２およびドレイン電極３を形成する電極形成工程と、ソースおよびドレイン電極を覆うように配向層１上に、液晶性有機半導体材料を有する有機半導体層４を形成する工程と、基板５と上記基板上にパターン状に形成された親液部６および撥液部７を有する有機半導体層転写基板８を用い、撥液部がソースおよびドレイン電極間のチャネル領域Ｃ上に配置されるように、有機半導体層４上に積層して、親液部６上に、その液晶相温度で熱転写する工程と、液晶相温度よりも低い温度で、配向層１から剥離することにより、親液部６上に熱転写された有機半導体層４を配向層１から除去する工程と、を有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】隔壁形成プロセスを省き、かつ、塗布法により半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に形成された梯子状の凸部を有するゲートバス電極と、ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上および基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の凹凸に沿うようにゲート電極上および基板上に形成されたゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、半導体層の中央に形成された保護膜と、半導体層の両端部で接続されたソース電極とドレイン電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】作製コストを低減させることが可能な、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを備える画像表示装置、薄膜トランジスタ及び画像表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第一基板と、当該第一基板上に設けられたゲート電極と、前記第一基板及び前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層と、当該半導体層上に設けられた保護膜と、前記半導体層及び前記保護膜上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を備え、前記保護膜は、前記半導体層を設けた後に連続して設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタとしたもの。 （もっと読む）

【課題】生産性が良く、低コストに、開口面積の大きい薄膜トランジスタアレイ、及びそれを用いた画像表示装置を作製することができる薄膜トランジスタアレイを提供する。
【解決手段】半導体層と、半導体層に離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ゲート絶縁層を介して半導体層に離間して配置されたゲート電極とを有する表示スイッチング用の薄膜トランジスタを備えた画素が絶縁基板上に複数形成された薄膜トランジスタアレイにおいて、複数の画素１００は互いに隣接して格子状に配置され、この複数の画素１００のうち互いに隣接する４つの画素１００を一単位とし当該一単位の中心部分あに各画素１００の薄膜トランジスタ１００１が集中して配置される構成にした。 （もっと読む）

【課題】基板の表面粗度によらず膜表面が平坦であり、信頼性が高く、製造コストを低減させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。ゲート絶縁層１２は、絶縁基板１０上に下部層１２ａと該下部層１２ａ上に積層された少なくとも一層以上の上部層１２ｂとがこの順で形成されてなり、下部層１２ａは真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面粗度によらず膜表面が平坦であり、信頼性が高く、製造コストを低減させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性のプラスチック基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。ゲート絶縁層１２は、プラスチック基板１０上に下部層１２ａと該下部層１２ａ上に積層された少なくとも一層以上の上部層１２ｂとがこの順で形成されてなり、下部層１２ａは、炭素含有酸化シリコンを含む材料からなり、下部層１２ａの炭素濃度が、１５atm％以上４０atm％以下となるように真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】再現性良く、高収率でフレキシブルデバイスとしての電界効果型トランジスタを作製することができ、下地層そのものに堅牢性を与えることによって後工程による破壊や傷による表面形状の異常が生じない電界効果型トランジスタ及びその製造方法、並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板１０と、下地第一層２１及び下地第二層２２と、ゲート電極３０と、ゲート絶縁層４０と、ソース電極５０、ドレイン電極６０、及び半導体層７０とがこの順で形成された電界効果型トランジスタ１であり、下地第二層２２は、下地第一層２１に接する面と反対側の面２２ａの表面粗さＲｍｓ_２が０．３ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】酸化膜とＣＶＤ膜との密着性を高めて界面特性の優れた膜の作製を実現する。
【解決手段】処理チャンバ２０５内において、処理基板に対してオゾン含有ガスのみを供給して処理基板上に酸化膜を形成する酸化工程と、この酸化工程を経た処理基板に対してＣＶＤ原料ガスとオゾン含有ガスとを供給して当該処理基板上に前記原料ガスの成分の酸化物からなる酸化膜を形成させるＣＶＤ工程とが実行される。前記ＣＶＤ工程の初期段階の製膜速度は前記酸化工程の製膜速度よりも小さく制御される。また、前記ＣＶＤ工程を経た処理基板をオゾン含有ガスの雰囲気または紫外光領域の波長を有する光が照射されたオゾン含有ガスの雰囲気に曝すアニール工程と、このアニール工程を経た処理基板を前記ＣＶＤ工程に供する工程とを有するとよい。前記アニール工程を経た処理基板を前記ＣＶＤ工程に供する工程を複数繰り返すとなおよい。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、オンオフ比の高いトランジスタを提供すること。
【解決手段】絶縁基板１０１上に少なくともゲート電極１０２と、ゲート絶縁層１０３が順次積層され、このゲート絶縁層上に酸化物を含む半導体層１０４とソース電極１０５およびドレイン電極１０６が設けられたボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、半導体層のゲート側の面の酸素密度が、反対の面の酸素密度よりも低いことを特徴とする薄膜トランジスタとする。このため半導体層１０４に酸素含有プラズマを照射する。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ表面の凹凸に起因する、ゲートリーク電流や素子の絶縁破壊を抑制することができる薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供すること。
【解決手段】透明な基板上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線に離間して形成されたキャパシタ配線と、前記ゲート配線およびキャパシタ配線上に形成された透明なゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体活性層と、前記ゲート絶縁膜上及び前記半導体活性層上に一部重なって形成されたソース配線と、前記ゲート絶縁膜上及び前記半導体活性層上に一部重なり、前記ソース配線と離間して形成されたドレイン電極とを備え、前記オーバーコート層がくぼみを有し、前記ゲート配線がくぼみ部分に配置されていることを特徴とする薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタを薄膜トランジスタの基板側ではなく上層、もしくは薄膜トランジスタ内部にカラーフィルタを形成する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決方法】実質的に透明な基板と、基板上に形成された実質的に透明なゲート電極と、ゲート電極の同一層に隔離して形成された実質的に透明なキャパシタ電極と、ゲート電極及びキャパシタ電極を覆うように形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体層と、半導体層に跨って形成された実質的に透明なソース電極及び実質的に透明なドレイン電極と、ソース電極またはドレイン電極上に貫通孔を設けて形成された実質的に透明な層間絶縁層と、ソース電極またはドレイン電極のいずれかにより延在された電極領域に電気的に接続され、導電性着色材料により形成された画素電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】オン電流が高く、かつオフ電流が低い、つまり高いオンオフ比を持つ薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上に少なくともソース、ドレイン、ゲートの各電極と酸化物を含む半導体層とゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタであって、該半導体層が第一の領域と、該第一の領域よりも該ゲート絶縁層に近い第二の領域を含み、且つ該第一の領域の導電率が、該第二の領域の導電率よりも低いことを特徴とする薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に適用される比較的膜厚の厚い絶縁膜中の水素濃度を大幅に低減する。
【解決手段】半導体装置７０には、半導体基板１上に複数のメモリセルトランジスタが設けられる。ｎ型拡散層７、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）２、及び絶縁膜６上と、側壁絶縁膜８の側面とには積層シリコン窒化膜９が形成される。メモリセルトランジスタのゲートの周囲に積層シリコン窒化膜９が設けられる。積層シリコン窒化膜９は、例えば膜厚が略１００ｎｍであり、ｎ層のシリコン窒化膜から構成される。ｎ層のシリコン窒化膜の膜厚は、それぞれ３ｎｍ以下に設定される。ｎ層のシリコン窒化膜は、それぞれ膜中の水素結合がプラズマ処理で置換され、水素が離脱され、膜中の水素濃度が大幅に低減されたシリコン窒化膜である。 （もっと読む）

【課題】可撓性基材上に形成した薄膜トランジスタが剥がれることなく、耐久性及び信頼性に優れたに製品を得ることができる薄膜トランジスタ基板及びこれを用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】可撓性基材１の第１の面である表面に第１の下地層２を設け、可撓性基材１の第１の面と反対の第２の面である裏面に第２の下地層３を設け、第１の下地層２上には半導体回路４を形成し、この半導体回路４上に画像表示要素５を設ける。そして、第１の下地層２の膜厚を第２の下地層３の膜厚より薄くした。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタと半導体回路とを形成した基板の位置合わせを不要にし、かつ安定的な動作を示す半導体回路及び表示装置を提供する。
【解決手段】実質的に透明な基材上に形成されたカラーフィルタ層上にソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、ゲート電極、及び金属酸化物からなる半導体活性層を備えた実質的に透明な薄膜トランジスタと、実質的に透明な薄膜トランジスタと電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって形成された配線と、からなる実質的に透明な半導体回路を設けた画像表示装置において、半導体活性層の膜厚が１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下であることを特徴とする画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極が形成される壁面が複数形成されている場合、各ゲート電極での電流特性が大きく変動しないようにしたＧａＮ系半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮドレイン層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５が積層されており、ｐ型ＧａＮチャネル層５の上には、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。リッジ部１１側面には、絶縁膜７、ゲート電極８が形成されている。リッジ部１１の形状によって、リッジ部１１が有する壁面の個数は変わるが、リッジ部１１の壁面がいくつであっても、少なくとも２つ以上の壁面が同一の面方位に形成される。 （もっと読む）